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TO-263 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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TO-263 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装：TO-263类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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结果货架 当前页 24 行 / 共 888 个 封装：TO-263 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

BSS169H6327

ElecSuper(静芯)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):290mA
状态现货可下单批号批号 20+21+,24+,25+起订按需交期核对后发
封装SOT-23 可供数量99,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
99,000
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CRSS037N10N

CRMICRO(华润微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态现货可下单批号批号 25+起订按需交期核对后发
封装TO-263 可供数量10,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
10,000
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CRSS052N08N

CRMICRO(华润微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-263 可供数量7,994 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
7,994
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NCE30H29D

NCE(无锡新洁能)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
状态现货可下单批号批号 26+,25+26+起订按需交期核对后发
封装TO-263 可供数量44,158 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
44,158
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NCE6080D

NCE(无锡新洁能)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
状态现货可下单批号批号 25+起订按需交期核对后发
封装TO-263 可供数量2,400 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
2,400
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NCEP15T14D

NCE(无锡新洁能)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-263 可供数量5,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
5,000
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TK16V60W,LVQ(S

TOSHIBA(东芝)

漏源电压(Vdss):600V · 连续漏极电流(Id):15.8A
状态现货可下单批号批号 24+起订按需交期核对后发
封装TO-263 可供数量15,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
15,000
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055N85

FM(富满)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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120N10

GOODWORK(固得沃克)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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2SJ604-ZJ-E1-AZ

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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2SK3479-Z-E1-AZ

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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6080D

FM(富满)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):68V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AGM025N08H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AGM025N10H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AGM035N10H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM03N85H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM056N10H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM15T06H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM15T13H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AGM18N20H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AGM3012H

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):193A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AGM3015H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AGM3015H-W1

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):240A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AGM402H

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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