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封装：TO-252类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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结果货架 当前页 24 行 / 共 2,814 个 搜索：M / 封装：TO-252 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MS10N10

MSKSEMI(美森科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU6004D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MDT4N65

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU4003D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):50A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU3008D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):40A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MDD3080

MDD(辰达半导体)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MDT7N65

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MDT2N60

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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MDT9N20

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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MU4001D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):40A
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MS35N06

MSKSEMI(美森科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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MU3014D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):180A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MU4005D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):70A
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MU2001D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):90A
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MU3020D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):190A
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MU0004D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):7A
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MU6002D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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MU3009D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):50A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MU4004D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):60A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MST1018

MST(迈尔斯通)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):40A
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MU4006D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU0001D

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ME75N03

MATSUKI(松木)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU6888B

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):68V · 连续漏极电流(Id):88A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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