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封装：TO-252类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
DOINGTER(杜因特)德普微电子Dersem(德信创微)晶导微电子
封装/规格：
TO-252
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结果货架 当前页 24 行 / 共 648 个 搜索：D / 封装：TO-252 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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D7N65

晶导微电子

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):7A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DOD403

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):70A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DOD405

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):30A
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TO-252
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DOD407

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):13A
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TO-252
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DOD417

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DOD425

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):40A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DOD434

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):30A
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TO-252
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DOD442

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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DOD444

DOINGTER(杜因特)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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DX4N65

Dersem(德信创微)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):4A
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DX7N65

Dersem(德信创微)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):7A
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DOD424

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):45A
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DM05NG

DOINGTER(杜因特)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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DP4080

德普微电子

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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DOD409

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):30A
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DP6580

德普微电子

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):65V
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DOD240

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):75A
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DOD484

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):25A
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DOD508

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DOD472

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):75A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DC010NG

DOINGTER(杜因特)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DE036NG

DOINGTER(杜因特)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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DOD8N06

DOINGTER(杜因特)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DH120NG

DOINGTER(杜因特)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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