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TO-247-3 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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TO-247-3 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装：TO-247-3类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Microchip(美国微芯)APM(永源微电子)OSEN(欧芯)UTC(友顺)
封装/规格：
TO-247-3TO-220
更多：
结果货架 当前页 24 行 / 共 240 个 封装：TO-247-3 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

IRF3205PBF

OSEN(欧芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):55V
状态现货可下单批号批号 26+,22+,25+,24+起订按需交期核对后发
封装TO-220 可供数量209,806 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
209,806
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24NM60L-T47-T

UTC(友顺)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247-3 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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AP220N06MP

APM(永源微电子)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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AP280N10MP

APM(永源微电子)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APL502B2G

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APL602B2G

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT1001R6BFLLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT1001RBVFRG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT1001RBVRG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT10035B2FLLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT10045B2FLLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT10045B2LLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT10050B2VFRG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT10078BFLLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT10086BVFRG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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APT10086BVRG

Microchip(美国微芯)

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APT10090BFLLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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APT10090BLLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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APT106N60B2C6

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT10M19BVRG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT10M25BVRG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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APT1201R2BFLLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT1201R2BLLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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封装TO-247-3 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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APT1201R4BLLG

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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