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封装：TO-247类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
TI(德州仪器)
封装/规格：
TO-247
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IRFP141

TI(德州仪器)

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IRFP151

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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IRFP152

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IRFP153

TI(德州仪器)

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IRFP243

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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IRFP245

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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IRFP246

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):275V
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IRFP251

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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IRFP351

TI(德州仪器)

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IRFP352

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):400V
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IRFP362

TI(德州仪器)

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IRFP451

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IRFP462

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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IRFPG42

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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IRFP140R

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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IRFP142R

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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RFG30P05

TI(德州仪器)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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RFG45N06

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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RFG50N05

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数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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RFG75N05E

TI(德州仪器)

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HUF75343G3

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):55V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247
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RFG45N06LE

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247
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RFG50N06LE

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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