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SOT-563 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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SOT-563 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装：SOT-563类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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结果货架 当前页 24 行 / 共 106 个 封装：SOT-563 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2N7002KDTL

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):300mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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2N7002KV

CBI(创基)

2N7002KV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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2N7002KV-TP

MCC(美微科)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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2N7002V

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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2N7002V-TP

MCC(美微科)

2N7002V-TP
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SOT-563
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BSS84V

CBI(创基)

BSS84V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CJX3134K

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CJX3139K

CJ(江苏长电/长晶)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CJX3439K

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM3737TRPBFREE

Central(中环)

数量:2个N沟道 · 连续漏极电流(Id):540mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM3757TRPBFREE

Central(中环)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM7002AGTRPBFREE

Central(中环)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM7002AJTRPBFREE

Central(中环)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM7003GTR

Central(中环)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM7003TGTRPBFREE

Central(中环)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CMLDM7003TR

Central(中环)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM7003TTR

Central(中环)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM7120GTRPBFREE

Central(中环)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM7484TRPBFREE

Central(中环)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM7585TRPBFREE

Central(中环)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 耗散功率(Pd):350mW
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM8002AGTRPBFREE

Central(中环)

数量:2个P沟道 · 连续漏极电流(Id):500mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM8005TRPBFREE

Central(中环)

数量:2个P沟道 · 耗散功率(Pd):350mW
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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CMLDM8120GTRPBFREE

Central(中环)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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EM6J1T2R

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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