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类目
品牌
封装 / 规格
NXP(恩智浦) / ElecSuper(静芯) / PANJIT(强茂) / TOSHIBA(东芝)SOT-23 / SOT-23-3
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
2N7002
NXP(恩智浦)
2N7002，NXP(恩智浦)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，183,775件现货，特性：高密单元设计，实现极低的导通电阻RDS(on)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
183,775
询盘报价
2N7002BK
ElecSuper(静芯)
2N7002BK，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，264,000件现货，带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
264,000
询盘报价
2N7002K_R1_000Z9
PANJIT(强茂)
2N7002K_R1_000Z9，PANJIT(强茂)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，67,015件现货，特性：RDS(ON)，VGS@10V，VDS@500mA = 3Ω。 RDS(ON)，VGS@4.5V，VDS@200mA = 4Ω。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
67,015
询盘报价
2SK1062(TE85L,F)
TOSHIBA(东芝)
2SK1062(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，3,000件现货，特性：出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 100 mS（最小值），ID = 50 mA。 低导通电阻：RDS(ON) = 0.6 Ω（典型值）@ ID = 50三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
3,000
询盘报价
AO3400A
AOS/美国万代
AO3400A，AOS/美国万代，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，273,113件现货，特性：VDS(max) = 30V。 ID(max) = 5.8A。 RDS(ON) = 20mΩ(max)(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 32mΩ(max)(VGS = 4.5V)。 改善的dv/dt能力。 有三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
273,113
询盘报价
AO3400C
AOS
AO3400C，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，141,000件现货，AO3400C 是电源开关器件，不支持高速信号。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
141,000
询盘报价
AO3401A
AOS
AO3401A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，210,000件现货，AO3401A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
210,000
询盘报价
AO3402
AOS
AO3402，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，249,001件现货，MOS场效应管三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
249,001
询盘报价
AO3404A
AOS
AO3404A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，171,000件现货，特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = 5.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 18mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 24mΩ（典型值）@VGS三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
171,000
询盘报价
AO3407A
AOS
AO3407A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，267,724件现货，特性：VDS(max) = -30V。 ID(max) = -4A。 RDS(ON) < 51mΩ (max)@VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ (max)@VGS = -4.5V。 先进沟槽技术。 出色的RDS(O三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
267,724
询盘报价
AO3413
AOS
AO3413，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，45,000件现货，特性：-20V, -3A, RDS(ON) = 60mΩ@VGS = -4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色器件。应用：笔记本电脑。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
45,000
询盘报价
AO3414
AOS
AO3414，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，246,000件现货，特性：20V, 3A, RDS(ON) = 50mΩ@VGS = 4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件。应用：笔记本电脑。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
246,000
询盘报价
AO3415A
AOS
AO3415A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，162,623件现货，特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。 漏极电流ID为 -4A。 最大导通电阻RDS(ON)：在 -4.5V时为36mΩ，在 -三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
162,623
询盘报价
AO3422
AOS
AO3422，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，329,010件现货，特性：55V, 2A, RDS(ON) = 120mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用：电机驱动。 电动工具三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
329,010
询盘报价
AO3481C
AOS
AO3481C，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，60,000件现货，沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS标准且无卤三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
60,000
询盘报价
AOSS32338C
AOS
AOSS32338C，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，30,000件现货，Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
30,000
询盘报价
AP2302GN-HF
APEC(富鼎)
AP2302GN-HF，APEC(富鼎)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，49,476件现货，N沟 20V 3.2A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
49,476
询盘报价
AP2305AGN
APEC/富鼎
AP2305AGN，APEC/富鼎，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，36,000件现货，特性：TrenchFET Power MOSFET。 极低的导通电阻和最大直流电流能力。 高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
36,000
询盘报价
BLM2301
BL(上海贝岭)
BLM2301，BL(上海贝岭)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，402,888件现货，P沟道,-20V,-3A,110mΩ@-4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
402,888
询盘报价
BLM3400
BL(上海贝岭)
BLM3400，BL(上海贝岭)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，60,000件现货，N沟道，30V,5.8A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
60,000
询盘报价
BSS123,215
ElecSuper(静芯)
BSS123,215，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，9,000件现货，N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
9,000
询盘报价
BSS123-7-F
ElecSuper(静芯)
BSS123-7-F，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，504,000件现货，N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
504,000
询盘报价
BSS123LT1G
ElecSuper(静芯)
BSS123LT1G，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，196,809件现货，N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
196,809
询盘报价
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MOSFET 现货采购说明
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