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封装：SOT-23类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SE2N7002K(ESD)

SINO-IC(光宇睿芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOT-23 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BSS84

YFW(佑风微)

漏源电压(Vdss):50V · 连续漏极电流(Id):130mA
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封装SOT-23 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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3415E

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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FH2310

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):6.7A
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封装SOT-23 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BSS84K

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):130mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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SI2301

晶扬电子

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):2.8A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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FH2314

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):6.8A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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FH0210

鑫飞宏

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BC2301

Huixin(慧芯)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):2.8A
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SOT-23
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BC2302

Huixin(慧芯)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):3.3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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2N5003

GME(银河微电)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BC2303

Huixin(慧芯)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):2.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SK303N

SHIKUES(时科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):25V
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AP3139

ALLPOWER(铨力)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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RC3415P

RealChip(正芯半导体)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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FH3415M

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):2.7A
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BSS123K

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):170mA
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FH2311A

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):17V · 连续漏极电流(Id):6A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AO3415E

PAKER(派克微)

PMOS 漏源电压(Vdss)：20V VGS=±10V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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XR3415E

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BM3415E

BORN(伯恩半导体)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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FS3415K

FUXINSEMI(富芯森美)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY3415B

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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2N7002K

XZT(信展通)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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