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SOP-8L 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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SOP-8L 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装：SOP-8L类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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结果货架 当前页 24 行 / 共 120 个 封装：SOP-8L / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AO4435-TD

TDSEMIC(拓电半导体)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):15A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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AO4485-TD

TDSEMIC(拓电半导体)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):12A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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APM4953-TD

TDSEMIC(拓电半导体)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):6.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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CMT3030S

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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CMT4406S

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):40A
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CMT4435S

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):10A
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CMT9435S

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HYG800P10LR1S

HUAYI(华羿微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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JMSH1552AP

JJW(捷捷微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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JMSL1018AP

JJW(捷捷微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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MOT6929S

MOT(仁懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SOP-8L
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SP010N10GP8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):12A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SP010N110GP8

Siliup(矽普)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SP010N15GP8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):8A
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SP010N70DP8

Siliup(矽普)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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SP010N70P8

Siliup(矽普)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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SP1012ACP8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):100V · 100V
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SP1012CP8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):100V · 100V
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SOP-8L
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SP2036CP8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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SP20P08P8

Siliup(矽普)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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SP3012CP8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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SP30N04AP8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):15A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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SP30N06DP8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):12A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8L
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SP30N06GP8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):18A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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