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封装：SOIC-8类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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P5806NVG

NIKO-SEM(尼克森)

SOIC-8封装
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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TPS1101D

TI(德州仪器)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):15V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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AP4953GM

APEC(富鼎)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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TPS1100D

TI(德州仪器)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):15V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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TPS1120D

TI(德州仪器)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):15V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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TPS1101DR

TI(德州仪器)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):15V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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AOSP66920

AOS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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TPS1100DR

TI(德州仪器)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):15V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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TPS1120DR

TI(德州仪器)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):15V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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LP0701LG-G

Microchip(美国微芯)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):16.5V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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MCQ4407-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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JMTP130P04A

JJW(捷捷微)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):12A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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JMTP170N06D

JJW(捷捷微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):9.2A
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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APM4435KC-TR

ANPEC(茂达电子)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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CWDM305PDTR13PBFREE

Central(中环)

数量:2个P沟道 · 连续漏极电流(Id):5.3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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AO4801A

AOS

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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AO4266E

AOS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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CEM4953

CET(华瑞)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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CEM4435A

CET(华瑞)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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AOSD62666E

AOS

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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ALD1101SAL

ALD

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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ALD1102SAL

ALD

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):10V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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ALD1115SAL

ALD

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 导通电阻(RDS(on)):500Ω@5V
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封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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TC6320TG-G

Microchip(美国微芯)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装SOIC-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOIC-8
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