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SC-70 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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SC-70 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装:SC-70类目:三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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结果货架 当前页 24 行 / 共 29 个 封装:SC-70 / 类目:三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2N7002HW

Leiditech(雷卯电子)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SC-70
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2SJ463A-T1-AT

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SC-70
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2SK4037(TE12L,Q)

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
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SC-70
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2SK880-BL(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

2SK880-BL(TE85L · F)
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5HN01M-TL-E-SA

SANYOU(三友)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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BSS84WAHZGT106

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SC-70
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BSS84WT106

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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L2N7002KWT1G

LRC(乐山无线电)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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L2N7002SWT1G

LRC(乐山无线电)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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L2SK3018WT1G

LRC(乐山无线电)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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LBSS138WT1G

LRC(乐山无线电)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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LBSS139WT1G

LRC(乐山无线电)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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LBSS84WT1G

LRC(乐山无线电)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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LP1480WT1G

LRC(乐山无线电)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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LP1488WT1G

LRC(乐山无线电)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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RHU002N06FRAT106

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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RHU003N03FRAT106

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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RHU003N03T106

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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RJU003N03FRAT106

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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RSU002N06T106

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SN7002W

Leiditech(雷卯电子)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SSM3J09FU,LF

TOSHIBA(东芝)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SC-70
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SSM3J15FU,LF

TOSHIBA(东芝)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SSM3K15AFU,LF

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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