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封装：PDFN-8L类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ElecSuper(静芯)鑫飞宏Huixin(慧芯)
封装/规格：
PDFN-8L
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ESDNJ03R4

ElecSuper(静芯)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):41A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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ESD3045DN33

ElecSuper(静芯)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ESD3066DN33

ElecSuper(静芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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ESD90P06DN56

ElecSuper(静芯)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ESD30L40DN-ES

ElecSuper(静芯)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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FH1610GS

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):62A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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H14N10FBL

Huixin(慧芯)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):13.8A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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FH1804GSB

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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