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DPAK 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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DPAK 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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结果货架 当前页 24 行 / 共 173 个 封装：DPAK / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2SJ529L06-E

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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BMD60N190C1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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BMD60N600C1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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BMD65N340E2

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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BMD65N360E2

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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BMD65N380E2

Bestirpower(萃锦半导体)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):10.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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BMD70N360E2

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):700V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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BMD80N400E1

Bestirpower(萃锦半导体)

漏源电压(Vdss):800V · 连续漏极电流(Id):13A
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BUK6212-40C,118

NXP(恩智浦)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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BUK6218-40C

NXP(恩智浦)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):42A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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BUK624R5-30C,118

NXP(恩智浦)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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BUK9245-55A,118

NXP(恩智浦)

BUK9245-55A · 118
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CDM4-600LRTR13PBFREE

Central(中环)

CDM4-600LR TR13 PBFREE
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CDM4-650TR13PBFREE

Central(中环)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CDM7-600LRTR13PBFREE

Central(中环)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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CDM7-650TR13PBFREE

Central(中环)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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HYG018N03LS1D

HUAYI(华羿微)

HYG018N03LS1D
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HYG085N04LA1D

HUAYI(华羿微)

HYG085N04LA1D
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HYG350N06LA1D

HUAYI(华羿微)

HYG350N06LA1D
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HYG350P13NA1D

HUAYI(华羿微)

HYG350P13NA1D
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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HYG650N10LS1D

HUAYI(华羿微)

HYG650N10LS1D
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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IRFR420

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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IRFR9110

TI(德州仪器)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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IRFR9120

TI(德州仪器)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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