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DIP-4 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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DIP-4 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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IRFD110

TI(德州仪器)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DIP-4
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IRFD111

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DIP-4
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IRFD112

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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IRFD121

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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IRFD122

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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IRFD1Z3

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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IRFD210

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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IRFD220

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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IRFD310

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):400V
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数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):350V
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IRFD313

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):350V
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IRFD321

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):350V
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IRFD322

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):400V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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IRFD323

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):350V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DIP-4
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IRFD9110

TI(德州仪器)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DIP-4
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IRFD9113

TI(德州仪器)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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RFW2N06RLE

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DIP-4
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