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DFN-6-EP 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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DFN-6-EP 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装：DFN-6-EP类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AON2403

AOS

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-6-EP
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AON2800

AOS

漏源电压(Vdss):20V · 导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-6-EP
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AON2801

AOS

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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DFN-6-EP
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AON5802BG

AOS

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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DFN-6-EP
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AP6985GN2

APEC(富鼎)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):8A
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DFN-6-EP
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FH8204

鑫飞宏

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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DFN-6-EP
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FH8805

鑫飞宏

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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HSCB20D03

HUASHUO(华朔)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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HSCC2734

HUASHUO(华朔)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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HSCC8204

HUASHUO(华朔)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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HSCC8211

HUASHUO(华朔)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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DFN-6-EP
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JTD2216

JTD(晶泰达)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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NCE30D0808J

NCE(无锡新洁能)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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NP1216DR

natlinear(南麟)

漏源电压(Vdss):12V · 连续漏极电流(Id):16A
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NP2018DR

natlinear(南麟)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):16A
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PB544JU

NIKO-SEM(尼克森)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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PB600BA

NIKO-SEM(尼克森)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):9A
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SED5852

SINO-IC(光宇睿芯)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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SSC8K23GN2

AF(晶岳)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-6-EP
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SSC8P20AN2

AF(晶岳)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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DFN-6-EP
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WSD2068

WINSOK(微硕)

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WSD2098N23

WINSOK(微硕)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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