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HMMUN2233LT1G HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HMMUN2233LT1G,HXY MOSFET(华轩阳电子),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-23封装,询盘确认库存,这款数字晶体管,内置1个预偏置NPN结构,特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V,保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA,功率消耗低至246mW,非常适用于低功耗、高效能的电子设计,如逻辑电路、信

MPN
HMMUN2233LT1G
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HMMUN2233LT1G
公开内容边界

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