先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
SOT-523 封装现货型号与清单询价
围绕 SOT-523 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 504 个公开可查询型号。
同封装核对
SOT-523 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
SOT-523 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
NTA7002NT1G
Leiditech(雷卯电子)
NTA7002NT1G,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,729,950件现货,特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用:接口。 开关BAS516
Nexperia(安世)
BAS516,Nexperia(安世),二极管 / 开关二极管,SOT-523封装,639,000件现货,特性:小封装。 低反向电流。 快速开关速度。 表面贴装封装,非常适合自动插入NTA4001NT1G
ON超美超美超美
NTA4001NT1G,ON超美超美超美,现货库存,SOT-523封装,319,000件现货DMN601TK-7
DIODES
DMN601TK-7,DIODES,现货库存,SOT-523封装,285,850件现货DMN26D0UT-7
美台超低超低
DMN26D0UT-7,美台超低超低,现货库存,SOT-523封装,281,919件现货DTC143ZE
CJ/长电/长晶
DTC143ZE,CJ/长电/长晶,三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,262,500件现货,特性:简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 符合RoHS标准。 环保型EMC。 哑光镀锡(Sn)引脚表面处理。 重量:约0.002gCJ1012
CJ(江苏长电/长晶)
CJ1012,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,180,000件现货,这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计,旨在优化导通电阻RDS(ON)。MMBT3904T
CJ/长晶
MMBT3904T,CJ/长晶,三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,180,000件现货,特性:简化电路设计。 符合RoHS标准。 环保电磁兼容性MMBT3906T
CJ/长晶
MMBT3906T,CJ/长晶,三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,180,000件现货,适用于表面贴装应用、符合欧盟RoHSMMBT2222AT
CJ/长电/长晶
MMBT2222AT,CJ/长电/长晶,三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,153,800件现货,特性:湿度敏感度等级1。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级,无卤DMG1013T-7
DIODES/美台
DMG1013T-7,DIODES/美台,现货库存,SOT-523封装,153,525件现货NTA4153NT1G
ON超美超美超美
NTA4153NT1G,ON超美超美超美,现货库存,SOT-523封装,148,563件现货MMBT3904TT1G
onsemi(安森美)
MMBT3904TT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-523封装,138,000件现货2SK3019
CJ/长电/长晶
2SK3019,CJ/长电/长晶,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,93,000件现货,场效应管(MOSFET)NTA4151PT1GB15
onsemi(安森美)
NTA4151PT1GB15,onsemi(安森美),现货库存,SOT-523封装,90,000件现货NTE4153NT1G
onsemi(安森美)
NTE4153NT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-523封装,69,000件现货PESD5V0V1BB,115
Nexperia(安世)
PESD5V0V1BB,115,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-523封装,60,000件现货,采用超小扁平引脚SOD523表面贴装器件(SMD)塑料封装的极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。MM5Z5V6T1G
onsemi(安森美)
MM5Z5V6T1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-523封装,54,000件现货MMBT3904T-7-F
DIODES(美台)
MMBT3904T-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,30,000件现货,特性:BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小型表面贴装封装。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件。 符合 AEC-Q101BAT54AT-7-F
DIODES(美台)
BAT54AT-7-F,DIODES(美台),二极管 / 肖特基二极管,SOT-523封装,21,000件现货,1对共阳极 肖特基阵列NTA4151PT1G
onsemi(安森美)
NTA4151PT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-523封装,15,000件现货DAN222TL
ROHM(罗姆)
DAN222TL,ROHM(罗姆),二极管 / 开关二极管,SOT-523封装,6,000件现货,特性:超小型模具类型(EMD3)。 高可靠性。应用:超高速开关DMG1012T-7
KUU
DMG1012T-7,KUU,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,6,000件现货,栅极电荷:25nS@10VBAV70T
NXP(恩智浦)
BAV70T,NXP(恩智浦),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,1,000件现货,特性:快速开关速度。高电导DDTC143ZE-7-F
DIODES(美台)
DDTC143ZE-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件DDTA114WE-7-F
DIODES(美台)
DDTA114WE-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,DDTA114WE-7-FDDTC123YE-7-F
DIODES(美台)
DDTC123YE-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,DDTC123YE-7-FBC857BT-7-F
DIODES(美台)
BC857BT-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:BVCEO > -45V。 集电极电流 IC = -100mA。 外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 互补 NPN 型:BC847AT、BT、CT。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合BAV70T-7-F
DIODES(美台)
BAV70T-7-F,DIODES(美台),二极管 / 开关二极管,SOT-523封装,询盘确认库存,特性:超小表面贴装封装。 快速开关速度。 用于通用开关应用。 高电导。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF16949DDTA124GE-7-F
DIODES(美台)
DDTA124GE-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,DDTA124GE-7-FDDTA114TE-7-F
DIODES(美台)
DDTA114TE-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,DDTA114TE-7-FDDTA143XE-7-F
DIODES(美台)
DDTA143XE-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,DDTA143XE-7-F2DA1774QQ-7
DIODES(美台)
2DA1774QQ-7,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,2DA1774QQ-7MMBT3904T(RANGE:100-300)
CJ(江苏长电/长晶)
MMBT3904T(RANGE:100-300),CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:与MMBT3906T互补。 小封装CJE3139K
CJ(江苏长电/长晶)
CJE3139K,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@4.5VWNM3019-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNM3019-3/TR,WILLSEMI(韦尔),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,WNM3019 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关MMBT5401T
TECH PUBLIC(台舟)
MMBT5401T,TECH PUBLIC(台舟),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:与TP MMBT5551T互补。 小表面贴装封装。 适用于中功率放大和开关DDTC144EE-7-F
DIODES(美台)
DDTC144EE-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件DDTA114YE-7-F
DIODES(美台)
DDTA114YE-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,DDTA114YE-7-FMMBT3904T-MS
MSKSEMI(美森科)
MMBT3904T-MS,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:与MMBT3906T互补。 小封装。 标记:1NMMBT5551T
TECH PUBLIC(台舟)
MMBT5551T,TECH PUBLIC(台舟),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:与TPMMBT5401T互补。 适用于中功率放大和开关。 SOT-523封装HMMBT5551T
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HMMBT5551T,HXY MOSFET(华轩阳电子),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,这款NPN型双极结型晶体管(BJT)支持最大集电极电流(IC)为0.6A,最大集电极-发射极电压(VCEO)为160V,电流增益(HFE)在100至300之间,特征频率(FT)高达300MHz。该晶体管适合用于高频放大和HL3139KT
R+O(宏嘉诚)
HL3139KT,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,HL3139KTHL3134KT
R+O(宏嘉诚)
HL3134KT,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,HL3134KTRCLAMP0502BA-N
BORN(伯恩半导体)
RCLAMP0502BA-N,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:45 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 0.7 pF 典型值)。应用:数据线。 自动取款机SE2102E
SINO-IC(光宇睿芯)
SE2102E,SINO-IC(光宇睿芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。MMBT3904T-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
MMBT3904T-JSM,JSMSEMI(杰盛微),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,应用于一般切换和放大。KWNM4002
KUU
KWNM4002,KUU,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。 符合RoHS标准且具有绿色EMC。 哑光镀锡(Sn)引脚表面处理。 重量:约0.002gBAV199T-7-F
DIODES(美台)
BAV199T-7-F,DIODES(美台),二极管 / 通用二极管,SOT-523封装,询盘确认库存,整流二极管PESD3V3S1BA
TDSEMIC(拓电半导体)
PESD3V3S1BA,TDSEMIC(拓电半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-523封装,询盘确认库存,此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD),具备IPP 9A的脉冲电流承受能力,确保在遭遇瞬时高电流时仍能稳定工作。其VRWM为3.3V,适合应用于低工作电压环境,维持系统的持续稳定性。该器件的电容CJ仅为15WM06N03L
Wayon(上海维安)
WM06N03L,Wayon(上海维安),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:VDS = 60V, ID = 0.34A。 RDS(on) < 2.1Ω @ VGS = 10V。 RDS(on) < 2.8Ω @ VGS = 4.5V。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护TNM3K60FEX
晶扬电子
TNM3K60FEX,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,MOS管/PC/一体机@@N沟道增强型功率MOSFETBAS21T-7-F
DIODES(美台)
BAS21T-7-F,DIODES(美台),二极管 / 开关二极管,SOT-523封装,询盘确认库存,特性:超小表面贴装封装。 快速开关速度。 适用于通用开关应用。 高反向击穿电压。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件MMBD4448HTA-7-F
DIODES(美台)
MMBD4448HTA-7-F,DIODES(美台),二极管 / 开关二极管,SOT-523封装,询盘确认库存,MMBD4448HTA-7-FES3139KW
ElecSuper(静芯)
ES3139KW,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,带ESD防护,P沟道,-20V,0.5A,580mΩ@-4.5V;应用领域:开关电路,继电器,驱动器,高速信号线驱动,低边开关等。SK2302AAT
SHIKUES(时科)
SK2302AAT,SHIKUES(时科),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:TrenchFET功率MOSFET。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器MMBT2222AT-7-F
DIODES(美台)
MMBT2222AT-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:BVCEO > 40V。集电极电流IC = 600mA。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补PNP型。完全无铅,完全符合RoHS标准。无卤素和锑。绿色器件。符合AEC Q101标准,可靠性高ESJE3139K
ElecSuper(静芯)
ESJE3139K,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,N/P极性:P @@漏源电压(V):-20 @@漏源电流(A):-0.5 @@阈值电压(V):-0.62 @@导通电阻RDS(ON)@VGS 4.5V Type(mΩ):580 @@封装:SOT-523BC857CT
YANGJIE(扬杰)
BC857CT,YANGJIE(扬杰),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,BC857CTBM3134KT
BORN(伯恩半导体)
BM3134KT,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,BM3134KTSL3904T
Slkor(萨科微)
SL3904T,Slkor(萨科微),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:小封装。 与SL3906T互补MMBT3904T-7-F-CN
ChipNobo(无边界)
MMBT3904T-7-F-CN,ChipNobo(无边界),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,品牌: ChipNobo(无边界)\n封装: SOT-523 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):200mA\n集射极击穿电压(Vceo):40V\n功率: 150mWSP2002KT5
Siliup(矽普)
SP2002KT5,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,N沟道,ESD防护,耐压:20V,电流:0.75A, Rdson:250mRTW3139KT
TWGMC(迪嘉)
TW3139KT,TWGMC(迪嘉),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,1个P沟道\n漏源电:20V\n连续漏极电流:660mA\n导通电阻520mΩ@4.5V2SK3019A
Siliup(矽普)
2SK3019A,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,N沟道,ESD防护,耐压:60V,电流:0.1A, Rdson:2000mRDDTA143FE-7-F
DIODES(美台)
DDTA143FE-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,DDTA143FE-7-FRCLAMP0502B-ES
ElecSuper(静芯)
RCLAMP0502B-ES,ElecSuper(静芯),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-523封装,询盘确认库存,5.0V低容,两路单向,4.5A,20kV,0.6pF;HDMI/USB2.0/MDDI/HBT等高速接口防护。YFW2301T
YFW(佑风微)
YFW2301T,YFW(佑风微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:TrenchFET功率MOSFET。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器3139K-GK
GOODWORK(固得沃克)
3139K-GK,GOODWORK(固得沃克),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:表面贴装封装。 低导通电阻 (RDS(on)) 的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。应用:负载/电源开关。 接口、逻辑开关BAV99T-7-F
DIODES(美台)
BAV99T-7-F,DIODES(美台),二极管 / 快恢复/高效率二极管,SOT-523封装,询盘确认库存,特性:超小表面贴装封装。 快速开关速度。 用于通用开关应用。 高电导。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATFK2N7002T-7-F
KUU
K2N7002T-7-F,KUU,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,特性:低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 符合 RoHS 标准。 环保电磁兼容性。 雾锡(Sn)引脚镀层。 重量:约 0.002gWST6004
WINSOK(微硕)
WST6004,WINSOK(微硕),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,WST6004是一款具备极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。WST6004符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全面的可靠性测试。2SC4618
CJ(江苏长电/长晶)
2SC4618,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,档位:82-180SP2002KT5J
Siliup(矽普)
SP2002KT5J,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,N沟道,ESD防护,耐压:20V,电流:0.75A, Rdson:250mR,印字:34KBAV99TB_R1_00001
PANJIT(强茂)
BAV99TB_R1_00001,PANJIT(强茂),二极管 / 开关二极管,SOT-523封装,询盘确认库存,特性:快速开关速度。 表面贴装封装。 非常适合自动插入。 电气特性与标准 JEDIC 相同。 高电导。 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品。 符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料SP2006KT5
Siliup(矽普)
SP2006KT5,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.66A, Rdson:650mRMMBT3904T5
Siliup(矽普)
MMBT3904T5,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,NPN三极管,Vcbo=60V,Vceo=40V,IC 0.2A,Hfe 100~300SP2006KT5J
Siliup(矽普)
SP2006KT5J,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-523封装,询盘确认库存,小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.66A, Rdson:650mR,印字:39KMMBT3906T5
Siliup(矽普)
MMBT3906T5,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-523封装,询盘确认库存,PNP三极管,Vcbo=-40V,Vceo=-40V,IC 0.2A,Hfe 100~300MMDTC143ZE
ST(意法半导体)
MMDTC143ZE,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-523封装,询盘确认库存,特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺封装选购
SOT-523 封装选购常见问题
SOT-523 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 SOT-523 封装页收录 504 个公开可查询型号,本页优先展示 24 个现货样本。
筛选 SOT-523 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
SOT-523 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 Leiditech(雷卯电子)、Nexperia(安世)、ON超美超美超美、DIODES、美台超低超低 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、二极管 > 开关二极管、现货库存、三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。

