先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
FBGA-96 封装现货型号与清单询价
围绕 FBGA-96 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 345 个公开可查询型号。
345匹配型号
8常见品牌
4相关分类
按品牌继续
常用动作
封装核对FBGA-96 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。
同封装核对
FBGA-96 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。
购物路径
FBGA-96 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
W632GU6RB-11
Winbond(华邦)
W632GU6RB-11，Winbond(华邦)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，285,120件现货，W632GU6RB-11存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
285,120
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查看详情 >W634GU6RB-11
Winbond(华邦)
W634GU6RB-11，Winbond(华邦)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，275,628件现货，W634GU6RB-11存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
275,628
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查看详情 >MT41K128M16JT-125IT:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-125IT:K，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，106,691件现货，1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
106,691
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查看详情 >MT41K256M16TW-107:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107:P，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，101,209件现货，商业级存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
101,209
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查看详情 >MT41K256M16TW-107IT:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107IT:P，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，92,014件现货，DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
92,014
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查看详情 >K4B4G1646E-BCNB
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BCNB，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，90,590件现货，K4B4G1646E-BCNB存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
90,590
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查看详情 >K4A4G165WF-BCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G165WF-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，78,824件现货，4Gb F-die x16 DDR4 SDRAM存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
78,824
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查看详情 >NT5CC256M16EP-EK
Nanya(南亚科技)
NT5CC256M16EP-EK，Nanya(南亚科技)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，50,470件现货，4Gb双数据速率3 (DDR3(L)) DRAM是一款高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八组DRAM。4Gb芯片的组织形式为64Mbit x 8 I/O x 8组和32Mbit x 16 I/O x存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
50,470
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查看详情 >MT41K64M16TW-107:J
micron(镁光)
MT41K64M16TW-107:J，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，45,550件现货，1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据表规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
45,550
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查看详情 >NT5AD256M16E4-JR
Nanya(南亚科技)
NT5AD256M16E4-JR，Nanya(南亚科技)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，42,000件现货，特性：数据完整性。由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。按存储体组分开的IO门控结构。自刷新中止。精细粒度刷新-信号同步存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
42,000
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查看详情 >CA4S8G16V-F9HPC
晋华
CA4S8G16V-F9HPC，晋华，现货库存，FBGA-96封装，37,700件现货现货库存
FBGA-96
37,700
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查看详情 >K4A8G165WB-BCRC
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WB-BCRC，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，33,600件现货，8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，96FBGA封装，1.2V存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
33,600
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查看详情 >K4A8G165WG-BCWE000
三星
K4A8G165WG-BCWE000，三星，现货库存，FBGA-96封装，28,000件现货现货库存
FBGA-96
28,000
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查看详情 >NT5CB64M16GP-EK
Nanya(南亚科技)
NT5CB64M16GP-EK，Nanya(南亚科技)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，26,700件现货，1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。它为内部配置。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
26,700
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查看详情 >MT41K128M16JT-125:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-125:K，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，25,228件现货，2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
25,228
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查看详情 >PTE4A0TE-32GE
PHISON/群联
PTE4A0TE-32GE，PHISON/群联，现货库存，FBGA-96封装，25,200件现货现货库存
FBGA-96
25,200
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查看详情 >K4A8G165WC-BCWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WC-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，22,400件现货，特性：支持连接测试模式（TEN）存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
22,400
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查看详情 >MT41K128M16JT-107IT:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-107IT:K，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，22,000件现货，MT41K128M16JT 107 IT:K存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
22,000
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查看详情 >MT40A256M16GE-083E:B
micron(镁光)
MT40A256M16GE-083E:B，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，21,732件现货，停产 MT40A256M16GE-083E:B存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
21,732
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查看详情 >K4AAG165WB-MCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4AAG165WB-MCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，17,396件现货，K4AAG165WB-MCTD存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
17,396
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查看详情 >MT40A512M16TB-062E:R
micron(镁光)
MT40A512M16TB-062E:R，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，17,003件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
17,003
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查看详情 >MT40A1G16TB-062E:F
micron(镁光)
MT40A1G16TB-062E:F，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，16,040件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-d存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
16,040
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查看详情 >K4B4G1646E-BYMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BYMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，15,783件现货，4Gb E型裸片，x16 DDR3L SDRAM存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
15,783
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查看详情 >GDQ3BFAM-CJ
GigaDevice(兆易创新)
GDQ3BFAM-CJ，GigaDevice(兆易创新)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，15,360件现货，GDQ3BFAM-CJ存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
15,360
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查看详情 >MT40A512M16TB-062E:J
micron(镁光)
MT40A512M16TB-062E:J，micron(镁光)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，14,600件现货，MT40A512M16TB-062E:J存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
14,600
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查看详情 >H5TC4G63CFR-PBA
HYNIX(海力士)
H5TC4G63CFR-PBA，HYNIX(海力士)，通信接口芯片 / 预售芯片，FBGA-96封装，12,679件现货，H5TC4G63CFR-PBA通信接口芯片 > 预售芯片
FBGA-96
12,679
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查看详情 >MT40A2G16SKL-062E:B
micron(镁光)
MT40A2G16SKL-062E:B，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，12,000件现货，32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓封装。工存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
12,000
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查看详情 >MT41K512M16VRP-107IT:P
micron(镁光)
MT41K512M16VRP-107IT:P，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，10,400件现货，MT41K512M16VRP-107IT:P存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
10,400
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查看详情 >MT41K64M16TW-107AIT:J
micron(镁光)
MT41K64M16TW-107AIT:J，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，10,029件现货，MT41K64M16TW 107 AIT:J存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
10,029
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查看详情 >M15T1G1664A-DEBG2C
ESMT/晶豪科技
M15T1G1664A-DEBG2C，ESMT/晶豪科技，现货库存，FBGA-96封装，9,600件现货现货库存
FBGA-96
9,600
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查看详情 >MT41K64M16TW-107IT:J
micron(镁光)
MT41K64M16TW-107IT:J，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，8,013件现货，MT41K64M16TW-107IT:J存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
8,013
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查看详情 >GDQ2BFAA-CQ
GigaDevice(兆易创新)
GDQ2BFAA-CQ，GigaDevice(兆易创新)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，6,300件现货，特性：电源：VDD = VDDQ = 1.2V（1.14V 至 1.26V）；VPP = 2.5V（2.375V 至 2.75V）。 JEDEC 标准封装：x16 96 球 FBGA。 阵列配置：8 个存储体（x16），2 组 4 个存储体存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
6,300
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查看详情 >MT41K256M16TW-107XIT:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107XIT:P，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，6,269件现货，DDR3L SDRAM (1.35V) 是DDR3 (1.5V) SDRAM的低电压版本，支持1.5V兼容模式。具备8个内部bank，支持差分时钟输入和8位预取架构。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
6,269
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查看详情 >MT41K256M16TW-107AAT:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107AAT:P，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，6,000件现货，存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
6,000
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查看详情 >W634GU6QB-11
Winbond(华邦)
W634GU6QB-11，Winbond(华邦)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，5,594件现货，32M×8组×16位DDR3L SDRAM存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
5,594
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查看详情 >GDQ2BFAA-CE
GD/兆易创新
GDQ2BFAA-CE，GD/兆易创新，现货库存，FBGA-96封装，4,100件现货现货库存
FBGA-96
4,100
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查看详情 >MT40A512M16JY-083EIT:B
micron(镁光)
MT40A512M16JY-083EIT:B，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，3,664件现货，MT40A512M16JY-083EIT:B存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
3,664
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查看详情 >K4B4G1646E-BCMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BCMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，3,360件现货，4Gb E-die DDR3 SDRAM，x16 停产存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
3,360
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查看详情 >H5TQ4G63EFR-RDC
HYNIX(海力士)
H5TQ4G63EFR-RDC，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，3,200件现货，H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EF存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
3,200
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查看详情 >NT5CB128M16FP-DI
Nanya(南亚科技)
NT5CB128M16FP-DI，Nanya(南亚科技)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，2,665件现货，NT5CB128M16FP-DI存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
2,665
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查看详情 >K4AAG165WA-BCWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4AAG165WA-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，2,576件现货，DDR4 SDRAM Memory存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
2,576
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查看详情 >MT40A1G16RC-062E:B
micron(镁光)
MT40A1G16RC-062E:B，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，2,320件现货，MT40A1G16RC 062E:B存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
2,320
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查看详情 >MT40A256M16LY-062EAAT:F
micron(镁光)
MT40A256M16LY-062EAAT:F，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，2,150件现货，MT40A256M16LY-062E AAT:F存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
2,150
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查看详情 >SCB13H4G160AF-11MI
Unilc(紫光国芯)
SCB13H4G160AF-11MI，Unilc(紫光国芯)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，2,000件现货，SCB13H4G160AF-11MI存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
2,000
询盘报价
查看详情 >W631GU6NB-12
Winbond(华邦)
W631GU6NB-12，Winbond(华邦)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，1,584件现货，8M×8组×16位DDR3L SDRAM存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
1,584
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查看详情 >MT41K128M16JT-125IT
MICRON
MT41K128M16JT-125IT，MICRON，现货库存，FBGA-96封装，1,500件现货现货库存
FBGA-96
1,500
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查看详情 >H5AN8G6NCJR-VKC
HYNIX(海力士)
H5AN8G6NCJR-VKC，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，1,215件现货，是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存，数据、数据选通和写存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
1,215
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查看详情 >NT5CB256M16ER-FL
Nanya(南亚科技)
NT5CB256M16ER-FL，Nanya(南亚科技)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，1,176件现货，特性：基础DDR3兼容。8n预取架构-差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)-DQ、DQS和DM上的双倍数据速率。数据完整性:通过DRAM内置TS实现自动自刷新(ASR)。自动刷新和自刷新模式。节能模式-掉电模式。信号完整性:可存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
1,176
询盘报价
查看详情 >MT41J256M16LY-091G:N
MICRON
MT41J256M16LY-091G:N，MICRON，现货库存，FBGA-96封装，1,000件现货现货库存
FBGA-96
1,000
询盘报价
查看详情 >K4A8G165WB-BIRC
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WB-BIRC，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，670件现货，K4A8G165WB-BIRC存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
670
询盘报价
查看详情 >NT5CB128M16JR-FL
Nanya(南亚科技)
NT5CB128M16JR-FL，Nanya(南亚科技)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，630件现货，2Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为 8 个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。这款 2Gb 芯片的组织形式为 32Mbit × 8 个输入/输出（I/O）× 8 个存储体，或 16M存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
630
询盘报价
查看详情 >AS4C32M16D3-12BINTR
Alliance Memory
AS4C32M16D3-12BINTR，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，AS4C32M16D3-12BINTR存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
询盘确认
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查看详情 >H5TQ4G63EFR-TECR
HYNIX(海力士)
H5TQ4G63EFR-TECR，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，H5TQ4G63EFR-TECR存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
询盘确认
询盘报价
查看详情 >AS4C128M16D3LC-12BINTR
Alliance Memory
AS4C128M16D3LC-12BINTR，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，AS4C128M16D3LC-12BINTR存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
询盘确认
询盘报价
查看详情 >H5AN4G6NBJR-VKC
HYNIX(海力士)
H5AN4G6NBJR-VKC，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
询盘确认
询盘报价
查看详情 >AS4C256M16D3LC-12BINTR
Alliance Memory
AS4C256M16D3LC-12BINTR，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，AS4C256M16D3LC 12BINTR存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
询盘确认
询盘报价
查看详情 >AS4C256M16D4-75BINTR
Alliance Memory
AS4C256M16D4-75BINTR，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，AS4C256M16D4-75BINTR存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
询盘确认
询盘报价
查看详情 >A3T4GF40BBF-HP
Zentel(力积电子)
A3T4GF40BBF-HP，Zentel(力积电子)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，A3T4GF40BBF-HP存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
询盘确认
询盘报价
查看详情 >AS4C256M16D4-75BCN
Alliance Memory
AS4C256M16D4-75BCN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，AS4C256M16D4-75BCN存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
询盘确认
询盘报价
查看详情 >MT41K64M16TW-107AIT:JTR
micron(镁光)
MT41K64M16TW-107AIT:JTR，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
询盘确认
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查看详情 >H5AN4G6NAFR-UHC
HYNIX(海力士)
H5AN4G6NAFR-UHC，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，H5AN4G6NAFR-UHC存储器 > DDR SDRAM
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HYNIX(海力士)
H5AN4G6NBJR-UHI，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，H5AN4G6NBJR-UHI存储器 > DDR SDRAM
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Zetta(澜智)
ZDV4128M16A-13DPH，Zetta(澜智)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，2Gb DDR3，ddr3 sdram，DDR3L-1866 ，128Mx16，933MHZ，96-ball FBGA (7.5x13.5mm)存储器 > DDR SDRAM
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HYNIX(海力士)
H5TC4G63EFR-RDAR，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM，非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行（电压为1.35V）的主内存应存储器 > DDR SDRAM
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KFSemi(堃方)
FJAD4N8GT6L9-QHC，KFSemi(堃方)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，DDR4 SDRAM 8Gb 512Mx16 3200 96BGA存储器 > DDR SDRAM
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KFSemi(堃方)
FJBD4N8GT6L9-SKC，KFSemi(堃方)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，DDR4 SDRAM 8Gb 512Mx16 2666 96BGA （仅限单板单颗使用）存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >ZDV4256M16A-13DPH
Zetta(澜智)
ZDV4256M16A-13DPH，Zetta(澜智)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，4Gb DDR3， ddr3 sdram，DDR3L-1866 ，128Mx16，933MHZ，96-ball FBGA (9x13mm)存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >F60C1A0004-M79W
FORESEE(江波龙)
F60C1A0004-M79W，FORESEE(江波龙)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，应用领域：家用IPC、无人机、智能音箱、智能电视、机顶盒、POS机、GPON、电视盒子等。商规DDR3、消费类DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON等工业D存储器 > DDR SDRAM
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FORESEE(江波龙)
F60C1A0002-M6AR，FORESEE(江波龙)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，应用领域：家用IPC、无人机、智能音箱、智能电视、机顶盒、POS机、GPON、电视盒子等。商规DDR3、消费类DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON等工业D存储器 > DDR SDRAM
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Rayson(晶存)
RS512M16Z2DD-62DT，Rayson(晶存)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V-125mV/+250mV。 片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O。 温度范围：0°C 至 95°C。 0°C 至 85°C 时 8192存储器 > DDR SDRAM
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SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WC-BIWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，K4A8G165WC-BIWE存储器 > DDR SDRAM
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SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WC-BITD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，询盘确认库存，特性：无存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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查看详情 >MT40A256M16LY-062EIT:F
micron(镁光)
MT40A256M16LY-062EIT:F，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV，片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O，TC 最高可达 95°C。 64ms，8192 周期刷存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >H5TQ4G63EFR-RDI
HYNIX(海力士)
H5TQ4G63EFR-RDI，HYNIX(海力士)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，H5TQ4G63EFR-RDI存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >MT41K128M16JT-107:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-107:K，micron(镁光)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。存储器 > DDR SDRAM
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ChipNobo(无边界)
MT41K256M16HA-CN，ChipNobo(无边界)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，工业级SRAM存储器存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >AS4C256M16D3LC-12BIN
Alliance Memory
AS4C256M16D3LC-12BIN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >ZDV4256M16A-13IPH
Zetta(澜智)
ZDV4256M16A-13IPH，Zetta(澜智)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，4Gb DDR3， ddr3 sdram，DDR3L-1866 ，128Mx16，933MHZ，96-ball FBGA (9x13mm)存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >AS4C512M16D3LA-10BCN
Alliance Memory
AS4C512M16D3LA-10BCN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，特性：双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输。 通过8位预取流水线架构实现高速数据传输。 双向差分数据选通（DQS和DQS）与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据。 DQS在读取时与数据边缘对齐；在写入时与数据中心存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >AS4C64M16D3B-12BCN
Alliance Memory
AS4C64M16D3B-12BCN，Alliance Memory，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，AS4C64M16D3B是一款64Mx16位DDR3同步动态随机存取存储器，支持高速数据传输，符合JEDEC标准，适用于商业和工业温度范围。存储器 > DDR SDRAM
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查看详情 >封装选购
FBGA-96 封装选购常见问题
FBGA-96 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 FBGA-96 封装页收录 345 个公开可查询型号，本页优先展示 51 个现货样本。
筛选 FBGA-96 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
FBGA-96 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 Winbond(华邦)、micron(镁光)、SAMSUNG(三星半导体)、Nanya(南亚科技)、晋华 或 存储器 > DDR SDRAM、现货库存、存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)、通信接口芯片 > 预售芯片 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。