制造商现货
Power Integrations(帕沃英蒂格盛) 制造商型号现货与清单询价
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LNK605DG-TL
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LinkSwitch-II 通过省去光耦合器和次级控制电路 · 极大地简化了低功率恒压LNK623DG-TL
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LinkSwitch™ - CV通过一种创新的控制技术 · 极大地简化了低功率恒压（CV）转换器的设计LNK364DN-TL
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LinkSwitch-XT将一个700V功率MOSFET、振荡器、简单的开 · 关控制方案、高压开关电流源、TNY278PN
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TinySwitch-III集成了一个700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选TNY286DG-TL
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特性：725 V额定MOSFET · 增加BV降额裕度
LNK624DG-TL
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通过一种革命性的控制技术 · 极大地简化了低功率恒压 (CV) 转换器的设计LNK625DG-TL
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LinkSwitch - CV通过一种革命性的控制技术 · 极大地简化了低功率恒压（CV）转换器的设计TNY278GN-TL
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TinySwitch-III集成了一个700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选LNK306PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LinkSwitch-TN专门设计用于在输出电流低于360 mA的范围内 · 以相同的系统成本取代所有线性和LNK306DN-TL
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LinkSwitch-TN 专为在输出电流低于 360 mA 的范围内 · 以相同的系统成本取代所有线性和电LNK302DG-TL
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LinkSwitch-TN 专为在输出电流低于 360 mA 的范围内 · 以相同的系统成本取代所有线性和电LNK564DN-TL
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LinkSwitch-LP开关IC能以高性价比替代所有输出功率高达3 W的非稳压隔离式线性变压器（50 ·TNY276GN-TL
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TinySwitch-III 集成了 700 V 功率 MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户TNY289PG
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特性：725 V额定MOSFET · 增加BV降额裕量TNY280PN
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TinySwitch-III集成了一个700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选LNK616DG-TL
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LinkSwitch-II 系列产品通过省去光耦合器和次级控制电路 · 显著简化了低功率恒压TNY276PN
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TinySwitch-III 集成了 700 V 功率 MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户TNY274PN
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TinySwitch-III集成了一个700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选LNK304PN
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LinkSwitch-TN专门设计用于在输出电流低于360 mA的范围内 · 以相同的系统成本取代所有线性和TNY275GN-TL
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TinySwitch-III集成了一个700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选LNK364PN
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LinkSwitch-XT将一个700V功率MOSFET、振荡器、简单的开 · 关控制方案、高压开关电流源、TOP266EG
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TOPSwitch-JX以高性价比的方式将725 V功率MOSFET、高压开关电流源、多模式PWM控制、振荡LNK3202D-TL
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LinkSwitch™-TN2系列非隔离离线式电源IC与传统线性或阻容降压解决方案相比 · 性能显著提升LNK564DG-TL
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LinkSwitch-LP开关IC能以高性价比替代所有输出功率高达3W的非稳压隔离式（50 · 60Hz）线LNK632DG-TL
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LNK632DG通过省去光耦合器和次级控制电路 · 极大地简化了低功率恒压SC1117DG-TL
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SC1117DG 在单片集成电路上集成了一个 700 V 功率 MOSFET、振荡器、简单的开 · 关控制方TNY290KG-TL
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特性：725 V额定MOSFET · 增加BV降额裕量TOP244YN
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芯片 离线开关 电源电压: 265VAC \r\n数字芯片封装形式: TO-220 \r\n针脚数: 6 \TOP249YN
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TOPSwitch-GX采用了与TOPSwitch相同且经过验证的拓扑结构 · 以高性价比的方式将高压功率MDPA424GN-TL
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DPA-SwitchTM 集成电路系列是一款高度集成的解决方案 · 适用于输入电压为 16 - 75 VDCTNY275PG
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TinySwitch™-III集成了700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选）TNY275PN
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TinySwitch-III集成了一个700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选TNY279PN
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TinySwitch-III 集成了 700 V 功率 MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户TOP259EN
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TOPSwitch-HX以高性价比的方式将700 V功率MOSFET、高压开关电流源、PWM控制、振荡器、热LNK564PN
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LinkSwitch-LP开关IC可以低成本优势替代那些基于非稳压隔离式线性变压器电源(50 · 60Hz)LNK606PG
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LinkSwitch™- II 系列产品通过省去光耦合器和次级控制电路 · 显著简化了低功率恒压TNY264PN
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TinySwitch-II在单片器件上集成了700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制和热TNY277PN
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TinySwitch-III 集成了 700 V 功率 MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户TOP258PN
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TOPSwitch-HX以高性价比的方式将700 V功率MOSFET、高压开关电流源、PWM控制、振荡器、热LNK304GN-TL
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LinkSwitch-TN 专为在输出电流低于 360 mA 的范围内 · 以相同的系统成本取代所有线性和电LNK306DG-TL
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LinkSwitch-TN 专为在输出电流低于 360 mA 的范围内 · 以相同的系统成本取代所有线性和电LNK3204D-TL
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用于非隔离离线式电源的LinkSwitchTM - TN2系列IC与传统的线性或电容降压解决方案相比 · 性LNK606DG-TL
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LinkSwitch-II 系列产品通过省去光耦合器和次级控制电路 · 显著简化了低功率恒压TNY280GN-TL
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TinySwitch-III集成了一个700 V功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限制（用户可选TOP223YN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
第二代TOPSwitch™-II系列比第一代TOPSwitch系列更具成本效益 · 并进行了多项改进TOP266VG
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TOPSwitch-JX以高性价比的方式将725 V功率MOSFET、高压开关电流源、多模式PWM控制、振荡TOP246YN
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TOPSwitch-GX使用与TOPSwitch相同的成熟拓扑结构 · 将高压功率MOSFET、PWM控制、TOP264VG
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TOPSwitch-JX以高性价比的方式将725 V功率MOSFET、高压开关电流源、多模式PWM控制、振荡TOP271VG
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TOPSwitch™ JX以高性价比的方式在单片器件中集成了725 V功率MOSFET、高压开关电流源、多模
DPA423GN-TL
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特性：用于以太网供电（PoE）受电设备（PD）的简单接口 · 包括适用于所有类别（0、1、2和3）的PoE检TOP264KG-TL
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TOPSwitch JX 以高性价比的方式在单芯片器件上集成了一个 725 V 功率 MOSFET、高压开关TOP221PN
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第二代TOPSwitch™-II系列比第一代TOPSwitch系列更具成本效益 · 并进行了多项改进TOP222YN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
第二代TOPSwitch-II系列比第一代TOPSwitch系列更具成本效益 · 并进行了多项改进TOP224YN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
第二代TOPSwitch™-II系列比第一代TOPSwitch系列更具成本效益 · 并进行了多项改进TOP242PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TOPSwitch-GX采用了与TOPSwitch相同且经过验证的拓扑结构 · 以高性价比的方式将高压功率MTOP245YN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TOPSwitch-GX采用了与TOPSwitch相同且经过验证的拓扑结构 · 以高性价比的方式将高压功率MTOP254PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TOPSwitch-HX以高性价比的方式将700 V功率MOSFET、高压开关电流源、PWM控制、振荡器、热TOP256PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TOPSwitch-HX以高性价比的方式将700 V功率MOSFET、高压开关电流源、PWM控制、振荡器、热LNK562DG-TL
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LinkSwitch-LP开关IC能以高性价比替代所有输出功率高达3W的非稳压隔离式（50 · 60Hz）线INN3365C-H302-TL
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
INN3365C-H302-TLTNY288KG-TL
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
特性：725 V额定MOSFET · 增加BV降额裕量TOP227YN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
Three-terminal Off-line PWM SwitchTOP256YN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TOPSwitch-HX以高性价比的方式将700 V功率MOSFET、高压开关电流源、PWM控制、振荡器、热TOP261YN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TOPSwitch-HX以高性价比的方式将700 V功率MOSFET、高压开关电流源、PWM控制、振荡器、热