MSKSEMI(美森科) 制造商型号现货与清单询价

FMMT449

MSKSEMI(美森科)

特性：低等效导通电阻

NTS4001NT1G

MSKSEMI(美森科)

特性：30V · 300mA

FDV303N

MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过专门设计

FDD5614P

MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过专门设计

ESD5451N-MS

MSKSEMI(美森科)

峰值脉冲功率（tp=8 · 20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5

SS34-MS

MSKSEMI(美森科)

此款肖特基二极管采用SMA封装 · 他具有更低的正向压降

ZMM5V1-MS

MSKSEMI(美森科)

此款稳压二极管采用LL34圆柱封装 · 他具备Vznom为5.1V

TL431A-MS

MSKSEMI(美森科)

TL431A-MS 是具有特定热稳定性的三端可调并联稳压器 · 输出电压可设置为 Vref（约 2V）至 3

ESD5Z5.0T1G-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：小外形尺寸 · 低本体高度

ESD5Z3.3T1G-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：小外形尺寸 · 低本体高度

SMF5.0CA-MS

MSKSEMI(美森科)

TVS管@@反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6.4V 最大钳位电压：9.2V封装SOD-123FL

SOD4007-MS

MSKSEMI(美森科)

此款SOD-123FL封装4007整流二极管 · 他能完美的处理最大1安培的连续正向电流和稳定的反向耐压

SS24-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级 · 适用于表面贴装应用

BV05C-MS

MSKSEMI(美森科)

AC

XC6206P332MR-MS

MSKSEMI(美森科)

是高精度、低功耗的三端正电压调节器 · 采用CMOS和激光微调技术制造

RT9013-33GB-MS

MSKSEMI(美森科)

输出类型：固定 输出极性：正 最大输入电压：5.5V 输出电压：3.3V 输出电流：500mA 电源纹波抑制

PESD0402MS05-MS

MSKSEMI(美森科)

高分子ESD · 双向：VDC：5V低容值0.05PF

RT9193-33GB-MS

MSKSEMI(美森科)

Vin=8V(Max) · 极低的关断电流Typ.=1ua

TP4056-MS

MSKSEMI(美森科)

电池管理@@输入电源电压（VCC）：-0.3V~9V · 高达 1000mA 的可编程充电电流

SK34

MSKSEMI(美森科)

此款肖特基二极管采用SMA封装 · 他具有更低的正向压降

RCLAMP0524P.TCT-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：IEC 61000-4-2 4级ESD保护：接触放电 ±12kV · 空气放电 ±17kV

MC34063

MSKSEMI(美森科)

MC34063是一款单片DC-DC变换集成电路 · 内含温度补偿的参考电压源、比较器、振荡器、驱动器及大电流

SS56

MSKSEMI(美森科)

特性：适用于表面贴装应用 · 易于拾取和放置

SS14-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级 · 适用于表面贴装应用

SS510C

MSKSEMI(美森科)

特性：适用于表面贴装应用 · 易于拾取和放置

JRC4558

MSKSEMI(美森科)

双路低功耗的差分式运算放大器 · 可以单电源或双电源供电

AO3401CI-MS

MSKSEMI(美森科)

AO3401CI - MS 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET · 能为大多数小功率开关和负载开关应

P0080FA-MS

MSKSEMI(美森科)

P008A

AO3400A-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：30V · 5.8 A

MTLP521-1GB(SOP)

MSKSEMI(美森科)

MTLP521-1XX(DIP) · MTLP521-1XX(SOP)是可控制的光电藕合器件

RCLAMP0521P.TCT-MS

MSKSEMI(美森科)

RCLAMP0521P.TCT丝印N ESD静电管

MMBT3904T-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：与MMBT3906T互补 · 小封装

RZ7899-MS

MSKSEMI(美森科)

DC双向马达驱动芯片 · 采用SOP8封装

MSDB628

MSKSEMI(美森科)

MSDB628 是一款常频、6引脚SOT23封装的电流模式升压转换器 · 适用于小型低功耗应用

PRTR5V0U2X-MS

MSKSEMI(美森科)

WR1

RZ7889-MS

MSKSEMI(美森科)

此款DC双向马达驱动芯片 · 采用SOP8封装

PESD0603MS28-MS

MSKSEMI(美森科)

ESD管@@VDC：28V VC:40V CJ容值：0.05PF封装：0603可应用于 USB3.0 HDM

MS50N06

MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过特别设计

1SMA4747A-MS

MSKSEMI(美森科)

MS代表品牌

B340B-13-F(MS)

MSKSEMI(美森科)

此款肖特基采用SMB封装 · 他具备正向压降(Vf)：0.55V@3A

CAT811STBI-GT3-MS

MSKSEMI(美森科)

此款复位芯片 · 采用SOT-143封装

TP4057-MS

MSKSEMI(美森科)

电池管理@@输入电源电压（VCC）：0V～9V · 兼容 20mA-600mA 的可编程充电电流

SM712-02HTG

MSKSEMI(美森科)

峰值脉冲功率（tp=8 · 20μs）(PPP):500W 最大峰值脉冲电流（tp=8

1SMA4772A-MS

MSKSEMI(美森科)

MS代表品牌

MTLP521-1GB(DIP)

MSKSEMI(美森科)

MTLP521-1XX(DIP) · MTLP521-1XX(SOP)是可控制的光电藕合器件

F7(MS)

MSKSEMI(美森科)

特性：适用于表面贴装应用 · 易于拾取和放置

ESD5Z2.5T1G-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：小外形尺寸 · 低本体高度

LESD5D5.0CT1G-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：小外形尺寸 · 低本体高度

LM1117S-3.3(MS)

MSKSEMI(美森科)

是一系列低压差三端稳压器 · 在1A负载电流下压差为1.3V

MMBT3904-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：与MMBT3906-MS互补

BTR06D3-MS

MSKSEMI(美森科)

直流电压DC：12V · 结电容：3PF 描述：此款消费型ESD适用于低压和高速数据传输的应用场景

P6SMB24CA(MS)

MSKSEMI(美森科)

特性：适用于表面贴装应用 · 以优化电路板空间

MRA4003T3G-MS

MSKSEMI(美森科)

MRA4003T3G一款整流二极管 · 采用SMA封装

SURGE04B03-MS

MSKSEMI(美森科)

直流电压(VDC)12V 典型电容值（C）：1PF 钳位电压（VC）:200V

ESD5451N-2-MS

MSKSEMI(美森科)

ESD管 峰值脉冲功率（tp=8 · 20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VR

PESD5V0S1BB-MS

MSKSEMI(美森科)

功耗（PD）:150mW IPP:4A 钳位电压（VC): 12V 工作电压（VRWM）:5V 击穿电压VB

DS18B20-MS

MSKSEMI(美森科)

传感器 可编程、一导线数字温度传感器 · 工作电压：3.0V~5.5V DS18B20

662K-MS

MSKSEMI(美森科)

此款LDO线性稳压器 · 具有稳定的3.3V输出电压及0.3A电流承载能力

LNZ8F18VT5G-MS

MSKSEMI(美森科)

这一系列齐纳二极管采用SOD-882表面贴装封装 · 它们旨在提供电压调节保护

SMF15CA-MS

MSKSEMI(美森科)

TVS管@@反向截止电压(Vrwm)：15V 击穿电压：16.7V 最大钳位电压：24.4V 封装SOD-1

ESD05V88D-MS

MSKSEMI(美森科)

工作电压（VRWM）:5V 击穿电压VBR）:6.3V

PESD5V0S1BLN-MS

MSKSEMI(美森科)

反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR）:5.6V-8.4V 结电容（CJ）:15PF-18P

AZ5325-01F.R7G

MSKSEMI(美森科)

1

MSESD10EMC24

MSKSEMI(美森科)

特性：IEC61000-4-2 (ESD) ±8kV (接触) · ±15kV (空气)

3401P-MS

MSKSEMI(美森科)

3401P-MS采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

L9110S-MS

MSKSEMI(美森科)

H桥驱动芯片集成过温保护、欠压保护 · 应用领域：马达驱动

ESD5V0U1UL-MS

MSKSEMI(美森科)

L1

LNZ8F6V8T5G-MS

MSKSEMI(美森科)

这一系列齐纳二极管采用SOD-882表面贴装封装 · 它们旨在提供电压调节保护

PESDNC2FD18VB-MS

MSKSEMI(美森科)

双向ESD 18V截止 峰值浪涌电流：5A@8 · 20us

BAT30F4-MS

MSKSEMI(美森科)

丝印S3

ESD9X5V-MS

MSKSEMI(美森科)

峰值脉冲功率（tp=8 · 20s）(PPP):84W 反向峰值脉冲电流(IPP):6A 钳位电压（VC):

PESD0402MS03-MS

MSKSEMI(美森科)

特性：超低电容：0.05pF（典型值） · 低泄漏电流 (< 10nA)

ESD5301N-MS

MSKSEMI(美森科)

峰值脉冲功率（tp=8 · 20s）(PPP):110W 钳位电压（VC): 22V 工作电压（VRWM）:

ESD5311N-MS

MSKSEMI(美森科)

峰值脉冲功率（tp=8 · 20s）(PPP):110W 钳位电压（VC): 22V 工作电压（VRWM）:

MS3139KDFN

MSKSEMI(美森科)

此款消费级P沟道MOSFET采用DFN1006-3封装 · 表面贴装封装

MS0402ESDA-24

MSKSEMI(美森科)

直流电压(VDC)24V 典型电容值（C）：1PF 钳位电压（VC）:250V

PESD05NFA-MS

MSKSEMI(美森科)

峰值脉冲功率（tp=8 · 20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5

MSESD0511T

MSKSEMI(美森科)

峰值脉冲功率（tp=8 · 20s）(PPP):30W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):2A 最大钳位电压（

ESD9L5.0ST5G-MS

MSKSEMI(美森科)

低容双向 钳位电压（VC): 12.9V 工作电压（VRWM）:5V 反向峰值脉冲电流(IPP):1A 最小

MSKSM03

MSKSEMI(美森科)

峰值脉冲功率（tp=8 · 20s）(PPP):350W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):25A 最大钳位电