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onsemi(安森美)
FDV301N,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23封装,2,544,386件现货,特性:0.22 A, 25 V。RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V。RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。非常低的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接运行。VGS(th) < 1.5LRC(乐山无线电)
FM407,LRC(乐山无线电),二极管 > 通用二极管,SMA封装,787,000件现货,丝印M07 SMA LRC FM407整流二极管 简称 M7FM(复旦微)
FM25Q08B-SO-T-G,FM(复旦微),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,481,685件现货,FM25Q08B是一款8M位(1M字节)的串行闪存,具备先进的写保护机制。FM25Q08B支持标准串行外设接口(SPI)、双/四路I/O以及2时钟指令周期的四路外设接口(QPI)。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码Fortior Tech(峰岹)
FD6288Q,Fortior Tech(峰岹),电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片,QFN-24封装,265,158件现货,FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片,专为高压、高速驱动MOSFET设计,可在高达 +250V 电压下工作。Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25W256-GTR,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 铁电存储器(FRAM),SOIC-8封装,207,060件现货,FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性(100万亿次读写),151年的数据保持能力,无延迟写入,非常快的SPI接口(最高2onsemi(安森美)
FSA2567MPX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器,WQFN-16封装,191,845件现货,双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关,适用于双SIM卡多路复用。CJ/长晶
FMMT619,CJ/长晶,三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,180,000件现货,特性:BASE。 EMITTER。 COLLECTOR。 NPN低等效电阻CJ/长晶
FMMT720,CJ/长晶,三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,180,000件现货,PNP 电流:1.8A 电压:25VON超美超美超美
FDS4435BZ,ON超美超美超美,现货库存,SOIC-8封装,169,409件现货MSKSEMI(美森科)
FMMT449,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,133,500件现货,特性:低等效导通电阻onsemi(安森美)
FDN338P,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23封装,125,168件现货,场效应管MICRON
FI-X30HL,MICRON,现货库存,NA封装,116,980件现货onsemi(安森美)
FDMS86300,onsemi(安森美),现货库存,QFN-8封装,102,000件现货ON超美超美超美
FDS6690A,ON超美超美超美,现货库存,SOP-8封装,100,000件现货onsemi(安森美)
FAN7081MX,onsemi(安森美),现货库存,N封装,99,999件现货onsemi(安森美)
FDC633N,onsemi(安森美),现货库存,N封装,99,999件现货onsemi(安森美)
FDFM2N111,onsemi(安森美),现货库存,N封装,99,999件现货onsemi(安森美)
FAN5775UCX,onsemi(安森美),电源管理 > LED驱动,N封装,99,999件现货,FAN5775UCXonsemi(安森美)
FAN6230MPX,onsemi(安森美),电源管理 > AC-DC控制器和稳压器,N封装,99,999件现货,FAN6230MPXonsemi(安森美)
FGPF70N30,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块,N封装,99,999件现货,FGPF70N30onsemi(安森美)
FMS6143ACSX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > 视频接口芯片,N封装,99,999件现货,FMS6143ACSXonsemi(安森美)
FMS6363ACS,onsemi(安森美),现货库存,N封装,99,999件现货onsemi(安森美)
FSA9685BUCX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器,N封装,99,999件现货,FSA9685BUCXFMD(辉芒微)
FT24C02A-KSR-T,FMD(辉芒微),存储器 > EEPROM,SOP-8封装,99,986件现货,FT24C02A-KxX是一款2K位的串行EEPROM,支持I2C接口。它具有低电压和低功耗操作,工作电压范围为1.8V至5.5V,工业温度范围为-40°C至85°C。该设备具有16字节页写模式,部分页写操作允许,内部组织为256 x 8 (2K)。FMD(辉芒微)
FT24C128A-TSR-T,FMD(辉芒微),存储器 > EEPROM,SOP-8封装,98,986件现货,FT24C128A系列是131,072位的串行电可擦可编程只读存储器,采用先进的CMOS工艺制造,适用于低电压和低功耗应用。该设备具有标准的2线双向串行接口,支持部分页面写操作,具有自定时写周期和硬件数据保护功能。工作电压范围为1.7V至5.5V,FMD(辉芒微)
FT24C256A-ESR-T,FMD(辉芒微),存储器 > EEPROM,SOP-8封装,98,986件现货,256K位低功耗串行EEPROM,支持1.8V至5.5V工作电压,最大待机电流小于1uA,64字节页写模式,自定时写周期(最大5ms),1MHz(2.5V-5V)和400kHz(1.8V)兼容,硬件数据保护,高可靠性(1,000,000次写周期寿命FMD(辉芒微)
FT24C64A-TSR-T,FMD(辉芒微),存储器 > EEPROM,SOP-8封装,98,986件现货,FT24C64A是一款64K位(8位宽)的两线串行EEPROM。该器件采用先进的CMOS工艺制造,适用于低电压和低功耗应用。支持32字节页写模式,部分页写操作允许。具有标准2线双向串行接口,内置Schmitt触发器和噪声保护输入。自定时写周期(最大5onsemi(安森美)
FDC6327C,onsemi(安森美),现货库存,SOT封装,93,000件现货onsemi(安森美)
FAN7388MX,onsemi(安森美),电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片,SOIC-20封装,86,309件现货,FAN7388 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路,适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24CL64B-GTR,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 铁电存储器(FRAM),SOIC-8-150封装,82,735件现货,64-Kbit(8K × 8bit),I2C接口,工作电压:2.7V to 3.65V FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的ON超美超美超美
FDC2612,ON超美超美超美,现货库存,SOT-23-6封装,82,120件现货NXP(恩智浦)
FS32K144HFT0VLLT,NXP(恩智浦),现货库存,LQFP-100封装,80,953件现货TI(德州仪器)
F280023PMSR,TI(德州仪器),现货库存,现货库存封装,80,000件现货TI(德州仪器)
F280025PMSR,TI(德州仪器),现货库存,LQFP-64封装,79,357件现货onsemi(安森美)
FODM121AR2V,onsemi(安森美),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,75,526件现货,FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成,用于交流运行。Slkor(萨科微)
FDN304P,Slkor(萨科微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23封装,70,000件现货,场效应管onsemi(安森美)
FDG6301N,onsemi(安森美),现货库存,SOT-363封装,69,301件现货onsemi(安森美)
FDS6679AZ,onsemi(安森美),现货库存,SOP-8封装,67,500件现货onsemi(安森美)
FDMC007N08LC,onsemi(安森美),现货库存,PQFN-8封装,67,014件现货onsemi(安森美)
FXL6408UMX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > I/O扩展器,ULMP-16封装,66,000件现货,FXL6408是一款8位I²C控制的GPIO扩展器。它具有独立配置的8个I/O端口,低功耗静态电流为1.5μA,并支持电压转换功能。onsemi(安森美)
FDMF3170,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 智能功率模块(IPM),QFN-39封装,63,122件现货,FDMF3170 是安森美(ON)的下一代智能功率级(SPS)解决方案,具备完全优化、超紧凑的集成式 MOSFET 以及适用于大电流、高频同步降压 DC - DC 转换器的驱动器。通过集成化设计,该 SPS 开关功率级针对驱动FMD/辉芒微
FT32F030K6AT7,FMD/辉芒微,现货库存,LQFP-32封装,62,400件现货Slkor(萨科微)
FDN302P,Slkor(萨科微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,61,593件现货,场效应管onsemi(安森美)
FXMA2102UMX,onsemi(安森美),逻辑器件 > 转换器/电平移位器,UMLP-8封装,61,487件现货,FXMA2102 是一款基于较宽的输入和输出电压水平实现双向电压转换的高性能可配置双电压供电转换器。在使用 I2C 总线接口的应用中用作电压转换器,输入和输出电压水平符合 I2C 器件规定电压水平。需要外部上拉电阻。该器件设计使得 A 端口ON超低超低超低
FDC86244,ON超低超低超低,现货库存,SOT-23-6封装,60,000件现货onsemi(安森美)
FDN360P,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,60,000件现货ON超低超低超低
FDN5618P,ON超低超低超低,现货库存,SOT-23-3封装,60,000件现货FD芯源微
FD650BS,FD芯源微,现货库存,SOP-16封装,60,000件现货onsemi(安森美)
FODM1008R2,onsemi(安森美),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,60,000件现货,FODM100x 系列,单通道,直流感应输入,光耦合器包括一个砷化镓红外线放射晶体管,与光耦合至一个光电晶体管,采用 SOP 4 引脚的延展体封装。 输入输出隔离电压 VISO 额定值为 5,000 VACRMS。JADARD/天德钰
FP7723X3,JADARD/天德钰,现货库存,QFN封装,60,000件现货onsemi(安森美)
FSA646UCX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器,WLCSP-36封装,60,000件现货,FSA646 是一个四数据通道D-PHY或三数据通道C-PHY MIPI开关。这个单刀双掷(SPDT)开关优化用于在两个高速或低功耗MIPI源之间切换。onsemi(安森美)
FOD817B3SD,onsemi(安森美),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,59,300件现货,FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管,反相并联,驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。onsemi(安森美)
FSA2257L10X,onsemi(安森美),通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器,QFN-10封装,58,000件现货,FSA2257 是高性能、双通道双向单刀/双掷 (SPDT) 模拟开关。 您可以通过所选引脚将该开关配置为复用器或解复用器。 该器件在 4.5 V Vonsemi(安森美)
FDMS6681Z,onsemi(安森美),现货库存,PQFN-8封装,57,866件现货onsemi(安森美)
FAN7842MX,onsemi(安森美),电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片,SOP-8封装,57,346件现货,单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS =onsemi(安森美)
FDMS86180,onsemi(安森美),现货库存,QFN-8封装,57,000件现货DIODES(美台)
FMMT591TA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,57,000件现货,特性:BVCEO > -60V。 高连续集电极电流:Ic = -1A。 峰值脉冲电流:ICM = -2A。 低等效导通电阻:R(sat) = 295mΩ。 高达 -2A 时具有高电流增益保持能力:hFE 特性。 互补 NPN 类型:onsemi(安森美)
FXMA2102L8X,onsemi(安森美),逻辑器件 > 转换器/电平移位器,UQFN-8封装,54,999件现货,FXMA2102 是一款基于较宽的输入和输出电压水平实现双向电压转换的高性能可配置双电压供电转换器。在使用 I2C 总线接口的应用中用作电压转换器,输入和输出电压水平符合 I2C 器件规定电压水平。需要外部上拉电阻。该器件设计使得 A 端口onsemi(安森美)
FUSB3301MPX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > USB转换芯片,DFN-10封装,53,000件现货,自主源端Type-C控制器,优化用于移动充电器和电源适配器。它通过CC1/CC2广播可用的充电电流,并在验证有效连接之前防止VBUS被激活。TI(德州仪器)
F2800137PMR,TI(德州仪器),现货库存,LQFP-64封装,52,000件现货onsemi(安森美)
FDN340P,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23封装,51,000件现货,场效应管FD芯源微
FD612S,FD芯源微,现货库存,SOP-16封装,50,544件现货onsemi(安森美)
FDD4685,onsemi(安森美),现货库存,TO-252封装,50,000件现货Samtec/申泰
FTSH-105-01-L-DV-K-P-TR,Samtec/申泰,现货库存,SMD封装,50,000件现货onsemi(安森美)
FDD9511L-F085,onsemi(安森美),现货库存,TO-252封装,50,000件现货onsemi(安森美)
FSUSB74UMX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器,UFQFN1封装,50,000件现货,FSUSB74 是一款双向、小功率、高速 USB 2.0 4:1 多路复用器。它适用于从四个高速 (480Mbps) 源或高速和全速/低速 (12Mbps) USB/UART 源的任意组合切换为一个 USB 2.0 联接器。FUJITSU(富士通)
FTR-B3GA4.5Z-B10,FUJITSU(富士通),继电器 > 信号继电器,SMD-8封装,50,000件现货,特性:DPDT 2C-超小型低轮廓继电器,采用高耐热材料。 高度:5.45mm,重量:0.85g,安装空间:87mm²。 采用优质接触弹簧,具备高频特性。 符合 Telcordia / FCC part 68。 隔离距离:最小 1.6mm。NXP(恩智浦)
FXLS8962AFR1,NXP(恩智浦),传感器 > 姿态传感器/陀螺仪,DFN-10封装,46,000件现货,±2g/±4g/±8g/±16g,Low Power 12-bit Digital Accelerometer 停产F921A475MPA
F921A475MPA,F921A475MPA,现货库存,0805-P封装,45,000件现货onsemi(安森美)
FDMS86101,onsemi(安森美),现货库存,QFN-8封装,45,000件现货onsemi(安森美)
FAN7171MX-F085,onsemi(安森美),电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片,SOP-8封装,45,000件现货,FAN7171_F085 是单片高端栅极驱动 IC,可以驱动工作电压最高达 +600 V 的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级,且所有NMOS晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。onsemi(安森美)
FDS86242,onsemi(安森美),现货库存,SOIC-8封装,42,700件现货Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25V02A-GTR,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 铁电存储器(FRAM),SOIC-8封装,42,500件现货,FM25V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,支持高速SPI接口,具有高耐久性和低功耗特性。onsemi(安森美)
FSUSB42MUX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器,MSOP-10封装,42,000件现货,FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关(DPDT),优化用于切换两个高速(480Mbps)源或一个高速和全速(12Mbps)源。onsemi(安森美)
FSUSB42UMX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器,LMLP-10封装,41,660件现货,FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关(DPDT),优化用于切换任何组合的高速(480 Mbps)或全速(12 Mbps)源。NXP(恩智浦)
FS32K118LFT0MLFR,NXP(恩智浦),现货库存,LQFP-48封装,40,445件现货onsemi(安森美)
FAN7888MX,onsemi(安森美),电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片,SOP-20封装,40,000件现货,FAN7888 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路,适用于在最高 +200 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24CL04B-GTR,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 铁电存储器(FRAM),SOP-8封装,39,850件现货,4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统onsemi(安森美)
FDMS86252,onsemi(安森美),现货库存,QFN-8封装,37,300件现货FM(复旦微)
FM1702SL,FM(复旦微),射频芯片/天线 > 射频卡芯片,SOP-24封装,37,009件现货onsemi(安森美)
FDMS7680,onsemi(安森美),现货库存,QFN-8封装,35,481件现货Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25L16B-GTR,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 铁电存储器(FRAM),SOP-8封装,35,000件现货,FM25L16B是一款16Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口,最高时钟频率为20MHz,具有高耐久性和低功耗。适用于需要频繁写入的应用场景。onsemi(安森美)
FODM8801AR2,onsemi(安森美),光耦 > 晶体管输出光耦,MiniFlat-4封装,35,000件现货,OptoHiT 系列的FODM8801器件是第一款此类光电晶体管,它采用飞兆半导体领先的专利工艺技术生产,可实现高达125°C的工作温度特性。 光电耦合器是由与光电晶体管进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)红外发光二极管组成,它采用紧凑型的onsemi(安森美)
FUSB302MPX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > USB转换芯片,MLP14封装,32,993件现货,FUSB302 是一个可编程的 USB Type-C 控制器,支持 PD 协议,可以配置为主机、设备或双角色端口。TERMINUS
FE1.1-AQFP48A,TERMINUS,通信接口芯片 > USB转换芯片,LQFP-48封装,31,900件现货,高度集成、高质量、高性能、低功耗、低成本的USB 2.0 4端口集线器解决方案,支持高速、全速和低速模式。FTDI(飞特帝亚)
FT231XS-R,FTDI(飞特帝亚),通信接口芯片 > USB转换芯片,SSOP-20封装,31,537件现货,USB到异步串行数据传输接口,支持全调制解调器控制和外围设备检测高功率电源以改进充电。单芯片处理整个USB协议。onsemi(安森美)
FDN352AP,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,31,000件现货Fortior Tech(峰岹)
FD6288T,Fortior Tech(峰岹),电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片,TSSOP-20封装,30,158件现货,三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片onsemi(安森美)
FDN339AN,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,30,000件现货onsemi(安森美)
FDS8949,onsemi(安森美),现货库存,SOP-8封装,30,000件现货TI(德州仪器)
F2800157SPNR,TI(德州仪器),现货库存,LQFP-48封装,30,000件现货onsemi(安森美)
FAN3111ESX,onsemi(安森美),电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片,SOT-23-5封装,30,000件现货,FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项: FAN3111C 具有双 CMOS 输入,阈值参考 VDD,用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。Tokmas(托克马斯)
FDMC4435BZ,Tokmas(托克马斯),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),QFN-8封装,30,000件现货,特性:RDS(ON) < 14 mΩ @ VGS = 10V (Typ11mΩ)。 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的散热封装。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路MSKSEMI(美森科)
FDV303N,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23封装,30,000件现货,这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。DIODES(美台)
FZT951TA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-223封装,30,000件现货,特性:5A 连续电流,高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻;在 4A 时 Rceestat 为 55mΩDIODEZETEX
FZT653TA,DIODEZETEX,三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-223封装,29,669件现货,2安培连续电流、低饱和电压、高电压onsemi(安森美)
FDS4935BZ,onsemi(安森美),现货库存,SOP-8封装,28,536件现货DIODES(美台)
FZT696BTA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-223封装,28,063件现货,特性:BVCEO > 180V。 IC = 0.5A 连续电流。 hFE > 500,在 0.1A 时实现高增益。 极低饱和电压。 互补 PNP 类型。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。应用:达林顿管替代品。 继电器和螺线管驱onsemi(安森美)
FDS6912A,onsemi(安森美),现货库存,SOP-8封装,27,621件现货onsemi(安森美)
FAN7688SJX,onsemi(安森美),电源管理 > 同步整流控制器,SOP-16封装,27,364件现货,FAN7688 是一款用于 LLC 谐振转换器的先进脉冲频率调制 (PFM) 控制器,且带有同步整流 (SR),为隔离式 DC/DC 转换器提供业内最佳能效。它采用基于电荷控制的最新模式控制技术,其中来自振荡器的三角波形与集成开关电流信息相结合来Fortior Tech(峰岹)
FU6812S,Fortior Tech(峰岹),电机驱动芯片 > 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片,SSOP-24封装,27,257件现货,集成电路onsemi(安森美)
FDC5661N-F085,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23-6封装,27,000件现货Allwinner(全志)
F1C100S,Allwinner(全志),单片机/微控制器 > 单片机(MCU/MPU/SOC),QFN-88封装,26,644件现货,A SoC designed by Allwinner,CPU ARM9, sip 32M DDR, 2K H.264 decoder, USB/UART/SPI/I2C/I2S/IR/TP/KEYPAD/CSI/CVBSonsemi(安森美)
FODM2705R2,onsemi(安森美),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,26,000件现货,FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 由一个驱动光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组成,采用 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成,用于交流运行。onsemi(安森美)
FDMC2523P,onsemi(安森美),现货库存,POWER33封装,25,439件现货onsemi(安森美)
FDC6561AN,onsemi(安森美),现货库存,N封装,25,000件现货onsemi(安森美)
FXL4TD245UMX,onsemi(安森美),逻辑器件 > 转换器/电平移位器,UQFN-16封装,25,000件现货,FXL4TD245 是一款可配置的 4 位双电压供电转换器,适用于两个逻辑电平之间的单向和双向电压转换。该器件实现了高达 3.6V 与低至 1.1V 之间的电压转换。A 端口跟踪 VCCA 电平,B 端口跟踪 VCCB 电平。可在多种电DIODES(美台)
FMMT593TA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,24,000件现货,特性:BVCEO >-100V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压。 高达 IC =-1A 时具有出色的 hFE 特性。 互补 NPN 类型。应用:高端驱动器。 负载断开开关onsemi(安森美)
FUSB302BMPX,onsemi(安森美),通信接口芯片 > USB转换芯片,MLP-14封装,24,000件现货,支持双角色功能,自主DRP切换,能够连接为主机或设备,基于所连接的设备。支持USB Type-C 1.2标准,集成CC引脚功能,包括连接/断开检测、电流能力指示等。Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24CL16B-G,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 铁电存储器(FRAM),SOP封装,23,999件现货,是一款采用先进铁电工艺的16-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统onsemi(安森美)
FDBL86361-F085,onsemi(安森美),现货库存,HPSOF8L封装,23,671件现货onsemi(安森美)
FDPF44N25T,onsemi(安森美),现货库存,TO-220F封装,23,621件现货onsemi(安森美)
FGH40N60SMD,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块,TO-247封装,23,600件现货,飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25640B-GTR,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 铁电存储器(FRAM),SOP-8封装,23,000件现货,FM25640B是一款64-Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,支持高速SPI接口,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。该存储器适用于需要频繁快速写入的应用场景,如数据采集和工业控制。Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25CL64B-GTR,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 铁电存储器(FRAM),SOIC-8封装,22,550件现货,FM25CL64B 是一个 64-Kbit 非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。它提供可靠的 151 年数据保留时间,支持高达 100 万亿次读写操作,无需延迟写入。支持 SPI 接口,最高时钟频率为 20 MHNXP(恩智浦)
FS32K144UAT0VLLT,NXP(恩智浦),现货库存,LQFP-100封装,22,500件现货onsemi(安森美)
FDMC3612,onsemi(安森美),现货库存,QFN封装,21,500件现货Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25V05-GTR,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 铁电存储器(FRAM),SOP-8封装,21,163件现货,FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间、高速SPI接口(最高40MHz),低功耗特性(300μA@1MHz,90μA待机电onsemi(安森美)
FDG8850NZ,onsemi(安森美),现货库存,SOT-363封装,21,000件现货onsemi(安森美)
FDMS86181,onsemi(安森美),现货库存,QFN-8封装,21,000件现货