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DIODES(美台)
AZ431AN-ATRE1,DIODES(美台),电源与功率 / 电压基准芯片,SOT-23-3封装,1,609,000件现货,AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器,在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VRDIODES(美台)
AZ431AN-ATRG1,DIODES(美台),电源与功率 / 电压基准芯片,SOT-23-3封装,1,074,000件现货,AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器,在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VR中微爱芯
AIP1628,中微爱芯,现货库存,SOP封装,850,000件现货DIODES
AZ1117H-3.3TRG1,DIODES,现货库存,SOT-223封装,404,000件现货杭州中科微
AT8236,杭州中科微,电机驱动芯片 / 有刷直流电机驱动芯片,ESOP-8封装,349,500件现货,AT8236是一款直流有刷电机驱动器,能够以高达6A的峰值电流双向控制电机。利用电流衰减模式,可通过对输入信号进行脉宽调制(PWM) 来控制电机转速,同时具备低功耗休眠模式。 AT8236集成同步整流功能,可显著降低系统功耗要求。AOS
AO3422,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,329,010件现货,特性:55V, 2A, RDS(ON) = 120mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用:电机驱动。 电动工具DIODES(美台)
AS358MTR-G1,DIODES(美台),运算放大器/比较器 / 运算放大器,SO-8封装,320,000件现货,AS358/358A/358B由两个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成,它们专为单电源供电而设计。也可以采用双电源供电,且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路DIODES(美台)
AP3015AKTR-G1,DIODES(美台),电源与功率 / DC-DC电源芯片,SOT-23-5封装,297,000件现货,AP3015/A 是脉冲频率调制(PFM)DC/DC 转换器。除开关电流限制外,这两款器件在功能上等效AOS
AON7318,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),DFN-3x3封装,281,000件现货,Trench Power MOSFET technology。Low RDS(ON)。Low Gate Charge。High Current Capability。RoHS and Halogen-Free CompliantAOS
AO3418,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,280,000件现货,特性:30V,3.8A,RDS(ON)=45mΩ@VGS=10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用:MB/VGA/Vcore负载开关。 手持仪器AOS
AO3420,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,280,000件现货,类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 6.5AAOS/美国万代
AO3400A,AOS/美国万代,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,273,113件现货,特性:VDS(max) = 30V。 ID(max) = 5.8A。 RDS(ON) = 20mΩ(max)(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 32mΩ(max)(VGS = 4.5V)。 改善的dv/dt能力。 有DIODES(美台)
AN431AN-ATRG1,DIODES(美台),电源与功率 / 电压基准芯片,SOT-23-3封装,270,000件现货,AN431系列集成电路是三端可调并联稳压器,在整个工作范围内具有可靠的热稳定性。这些集成电路具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。这些集成电路的输出电压可设置AOS
AO3407A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,267,724件现货,特性:VDS(max) = -30V。 ID(max) = -4A。 RDS(ON) < 51mΩ (max)@VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ (max)@VGS = -4.5V。 先进沟槽技术。 出色的RDS(O杭州中科微
AT7456E,杭州中科微,单片机/微控制器 / 单片机(MCU/MPU/SOC),TSSOP-28封装,259,800件现货,视频字符叠加芯片,跟MAX7456-pin-pinTDK
ACT45B-510-2P-TL003,TDK,磁珠/滤波器/EMI优化 / 共模滤波器,SMD封装,256,400件现货,特性:兼容 -40至+150℃的工作温度范围,可用于需要耐高温的车辆设备。 符合AEC-Q200标准。应用:CAN-BUS。 FAXsAOS
AO3402,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,249,001件现货,MOS场效应管Broadcom(博通)
ACPL-W314-500E,Broadcom(博通),光耦 / 栅极驱动光耦,SOP封装,246,600件现货,由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IAOS
AO3414,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,246,000件现货,特性:20V, 3A, RDS(ON) = 50mΩ@VGS = 4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件。应用:笔记本电脑。 负载开关杭州中科微
AT2659S,杭州中科微,射频芯片/天线 / 射频低噪声放大器,SOT-23-6封装,240,000件现货,AT2659S是一款具有低功耗、高增益、低噪声系数的低噪声放大器(LNA)芯片,支持L1频段多模式全球卫星定位,可以应用于北斗二代、GPS、伽利略、Glonass等GNSS导航设备中。芯片采用先进的SiGe工艺制造,采用2.9mm×2.8mm×1.1Microchip(美国微芯)
ATTINY10-TSHR,Microchip(美国微芯),现货库存,SOT-23-6封装,235,000件现货Microchip(美国微芯)
ATTINY1616-MNR,Microchip(美国微芯),现货库存,QFN-20-EP封装,215,000件现货AOS
AO3401A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,210,000件现货,AO3401AAOS
AO3406,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,210,000件现货,特性:30V,3.5A, RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用:MB/VGA/Vcore。 负载开关继续看现货
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