VS30BQ100-M3/9AT-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
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当前候选已适合横向比较,建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。
清单备注
当前候选在公开资料维度较接近,可连同数量和交付要求一起加入清单统一确认。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里,便于继续确认库存和报价。
原型号/候选型号:VS30BQ100-M3/9AT-HXY / VSMBRS340-M3/9AT-HXY / VSMBRS360-M3/9AT-HXY / VS30BQ040-M3/9AT-HXY 当前建议:可一并加入清单 不可放宽参数:封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求 封装信息:SMC 品牌/制造商:HXY MOSFET(华轩阳电子) 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
HXY MOSFET(华轩阳电子)
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查看详情| 比较项 | VS30BQ100-M3/9AT-HXY | VSMBRS340-M3/9AT-HXY | VSMBRS360-M3/9AT-HXY | VS30BQ040-M3/9AT-HXY |
|---|---|---|---|---|
| 品牌/制造商 | HXY MOSFET(华轩阳电子) | HXY MOSFET(华轩阳电子) | HXY MOSFET(华轩阳电子) | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| 封装 | SMC | SMC | SMC | SMC |
| 类目 | 二极管 > 肖特基二极管 | 二极管 > 肖特基二极管 | 二极管 > 肖特基二极管 | 二极管 > 肖特基二极管 |
| 库存 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 |
| 报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 |
| 资料 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 |
| 描述 | 该肖特基二极管采用独立式配置,额定正向电流为3A,最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V,在导通状态下具有较低的功耗表现;反向漏电流仅为20μA,有助于提升系统效率与稳定性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于对开关速度和能效要求较高的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。 | 该肖特基二极管采用独立式配置,额定正向电流为3A,最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V,在导通状态下具有较低的功耗表现;反向漏电流为100μA,表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关电路等场合。 | 该肖特基二极管采用独立式配置,具有3A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。其正向压降(VF)为0.7V,在导通时可有效控制功耗;反向漏电流(IR)为100μA,表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。 | 该肖特基二极管为独立式配置,额定正向电流为3A,最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V,在导通状态下具有较低的功耗表现;反向漏电流为100μA,体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。 |
| 操作 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 |
关键差异
把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看,更容易判断哪些型号值得继续查看。
| 比较项 | 当前情况 | 页面信息 | 建议查看 |
|---|---|---|---|
| 封装一致性 | 封装方向接近 | SMC | 可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。 |
| 品牌/制造商 | 品牌方向接近 | HXY MOSFET(华轩阳电子) | 继续核对官方制造商和批号包装。 |
| 分类与应用 | 用途方向接近 | 二极管 > 肖特基二极管 | 同类目不代表参数等效,仍需核对关键电气参数。 |
| 资料完整度 | 资料入口齐全 | 4 个有资料入口 | 使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。 |
| 供货状态 | 有公开线索 | 0 个公开现货 / 0 个需询盘 | 页面库存仅供参考,下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。 |
对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。
同封装更利于替代,但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。
页面数量仅供参考,批号、包装和可发数量以人工回复为准。
多个候选型号建议一次加入清单,让业务统一确认交期和替代建议。