射频芯片/天线 &gt; RF衰减器 现货库存与型号目录

库存19,231

HMC424ALP3ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，LFCSP16封装，9,604件现货，HMC424ALP3ETR是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。覆盖DC到13 GHz，插入损耗小于4 dB（典型值）。衰减器位值为0.5（LSB）、1、2、4、8和16 dB，总衰减量为31.5 dB。衰减精度

HMC424ALP3ETR

ADI(亚德诺)

封装LFCSP16

库存9,604

MAATSS0018TR-3000，MACOM，射频芯片/天线 > RF衰减器，SC-74A封装，6,000件现货，MAATSS0018 是一款1位、10dB步进的GaAs MMIC数字衰减器，采用无铅SOT-25表面贴装塑料封装。该器件使用成熟的1微米工艺，具有全芯片钝化，以提高性能和可靠性。

MAATSS0018TR-3000

MACOM

封装SC-74A

库存6,000

PE4314B-Z，pSemi(游隼半导体)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN封装，6,000件现货，PE4314是一款基于HaRPTM技术的6位射频数字步进衰减器，支持1 MHz至2.5 GHz的频率范围。它具有无毛刺的衰减状态转换，并支持1.8V控制电压和高达+105°C的扩展工作温度范围，适用于多种有线宽带应用。

PE4314B-Z

pSemi(游隼半导体)

封装QFN

库存6,000

PE43711B-Z，pSemi(游隼半导体)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-24封装，5,285件现货，PE43711是一款超CMOS RF数字步进衰减器，具有0.25dB、0.5dB和1dB的灵活衰减步进，最大衰减范围为31.75dB。支持串行和并行编程接口，适用于3G/4G无线基础设施、陆地移动无线电系统和点对点通信系统。

PE43711B-Z

pSemi(游隼半导体)

库存5,285

ARW637，Archiwave(安其威)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN封装，3,000件现货，9KHz-8000MHz0.25dB步进7bit31.75dB数控衰减器

ARW637

Archiwave(安其威)

封装QFN

库存3,000

HMC273AMS10GETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，MSOP封装，3,000件现货，HMC273AMS10G(E)是一款通用宽带5位正控GaAs IC数字衰减器，采用10引脚MSOP塑料封装。工作频率范围为0.7到3.8 GHz，插入损耗典型值小于3 dB。

HMC273AMS10GETR

ADI(亚德诺)

封装MSOP

库存3,000

ADRF5730BCCZN-R7，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-24封装，1,000件现货，ADRF5730是一款6位数字衰减器，具有31.5 dB的衰减范围，步进为0.5 dB。工作频率范围为100 MHz至40 GHz，插入损耗小于4.8 dB，具有高精度的衰减控制和良好的线性度。

ADRF5730BCCZN-R7

ADI(亚德诺)

库存1,000

HMC802ALP3E，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-16封装，1,000件现货，HMC802ALP3E是一款宽带双向1位GaAs IC数字衰减器，封装在低成本无引脚表面贴装封装中。它使用单个正控制线进行近DC操作，适用于各种RF和IF应用。工作频率范围为DC到10 GHz，插入损耗小于3 dB，衰减精度为±0.6 dB，具有高I

HMC802ALP3E

ADI(亚德诺)

封装QFN-16

库存1,000

PE43712B-Z，pSemi(游隼半导体)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-16封装，1,000件现货，PE43712是一款50Ω、HaRPTM技术增强的7位RF数字步进衰减器（DSA），支持1.8V控制电压和扩展的工作温度范围至+105°C，适用于多种宽带无线应用。

PE43712B-Z

pSemi(游隼半导体)

封装QFN-16

库存1,000

ADRF5720BCCZN-R7，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，N封装，487件现货，ADRF5720是一款6位数字RF衰减器，提供31.5 dB的衰减范围，步进为0.5 dB。工作频率范围为9 kHz至40 GHz，具有低插入损耗和高精度衰减控制。

ADRF5720BCCZN-R7

ADI(亚德诺)

封装N

库存487

HMC468ALP3ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-16封装，46件现货，HMC468ALP3E是一款宽带3位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。覆盖DC到6.0 GHz，插入损耗典型值在4 GHz以下小于1 dB。衰减器位值分别为1 (LSB)、2和4 dB，总衰减为7 dB。

HMC468ALP3ETR

ADI(亚德诺)

封装QFN-16

库存46

HMC472ALP4ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-24封装，1件现货，0.5dBLSBGaAsMMIC6位数字正电压控制衰减器，DC-3.8GHz

HMC472ALP4ETR

ADI(亚德诺)

库存1

HMC653，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，-封装，询盘确认库存，HMC650至HMC658是一系列宽带固定值50欧姆匹配的RF衰减器芯片，提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB的相对衰减值。这些无源衰减器适用于微带、混合和多芯片模块应用，要求极平坦的衰减和优秀的VSWR随频率变化。

HMC653

ADI(亚德诺)

JDP2S04E(TPH3,F)，TOSHIBA(东芝)，射频芯片/天线 > RF衰减器，SOD-523封装，询盘确认库存，JDP2S04E(TPH3,F)

JDP2S04E(TPH3,F)

TOSHIBA(东芝)

封装SOD-523

F1912NCGI8，RENESAS(瑞萨)/IDT，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-20-EP封装，询盘确认库存，F1912是一款6位数字步进衰减器，具有31.5 dB的控制范围，0.5 dB的步进，适用于基站（BTS）无线电卡和其他非BTS应用。该设备提供低插入损耗和低失真，具有Glitch-FreeTM技术，确保在MSB转换期间无过冲和振铃。

F1912NCGI8

RENESAS(瑞萨)/IDT

封装QFN-20-EP

F2258NLGK，RENESAS(瑞萨)/IDT，射频芯片/天线 > RF衰减器，VFQFN-16-EP封装，询盘确认库存，F2258是一款低插入损耗的电压可变RF衰减器，适用于多种无线应用。该器件覆盖了50 MHz到6000 MHz的频率范围，提供出色的线性性能。

F2258NLGK

RENESAS(瑞萨)/IDT

HMC1095LP4ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-24-EP封装，询盘确认库存，HMC1095LP4E 是一款宽带 6 位 GaAs IC 数字衰减器，封装在低成本无引脚 SMT 封装中。它集成了外部接地电容器，适用于多种 RF 和 IF 应用。

HMC1095LP4ETR

ADI(亚德诺)

HMC8073LP3DETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，LFCSP-16封装，询盘确认库存，HMC8073是一款6位数字步进衰减器(DSA)，工作频率范围为0.6 GHz至3.0 GHz，具有31.5 dB的衰减范围，步进为0.5 dB。

HMC8073LP3DETR

ADI(亚德诺)

封装LFCSP-16

HMC305SLP4ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-24-EP封装，询盘确认库存，HMC305SLP4E 是一款宽带 5 位正控硅 IC 数字衰减器，具有 CMOS 兼容的串行至并行驱动器封装，采用无引脚 QFN 4x4mm SMT 封装。覆盖 0.4 至 6 GHz 的频率范围，插入损耗通常小于 1.6 dB。衰减器比特值

HMC305SLP4ETR

ADI(亚德诺)

HMC539ALP3TR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-16-EP封装，询盘确认库存，HMC539ALP3/539ALP3E 是一款宽带 GaAs IC 数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。每个位使用一条单正控制线，适用于多种 RF 和 IF 应用。覆盖 DC 至 4 GHz，插入损耗小于 0.7 dB。衰减器的位值分别为

HMC539ALP3TR

ADI(亚德诺)

封装QFN-16-EP

HMC8073LP3DE，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，VFQFN-16-EP封装，询盘确认库存，0.6GHz到3.0GHz、0.5dBLSB、6位硅数字步进衰减器

HMC8073LP3DE

ADI(亚德诺)

HMC651，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，-封装，询盘确认库存，HMC650至HMC658是一系列宽带固定值50欧姆匹配的RF衰减器芯片，提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB的相对衰减值。这些无源衰减器适用于微带、混合和多芯片模块应用，要求极平坦的衰减和优秀的VSWR随频率变化。

HMC651

ADI(亚德诺)

HMC654LP2ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，DFN-6-EP封装，询盘确认库存，固定无源SMT衰减器，DC-25GHz

HMC654LP2ETR

ADI(亚德诺)

封装DFN-6-EP

HMC658LP2ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，DFN-6-EP封装，询盘确认库存，固定无源SMT衰减器，DC-25GHz

HMC658LP2ETR

ADI(亚德诺)

封装DFN-6-EP

HMC658，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，GP-5封装，询盘确认库存，HMC650 至 HMC658 是一系列宽带固定值 50Ω 衰减器芯片，提供 0, 2, 3, 4, 6, 10, 15 和 20 dB 的相对衰减值。这些无源器件适用于微带、混合和多芯片模块应用，具有非常平坦的衰减和优良的 VSWR 随频率变化特性。

HMC658

ADI(亚德诺)

封装GP-5

EXB24AT6AR5X，Panasonic(松下)，射频芯片/天线 > RF衰减器，0404封装，询盘确认库存，特性：单芯片中的不平衡π型衰减器电路，EXB14AT (0.8mm×0.6mm)，EXB24AT (1.0mm×1.0mm)。减少安装面积: -EXB14AT：比由三个0603贴片电阻组成的衰减器电路面积小约60%，几乎等于三个0402贴片电阻

EXB24AT6AR5X

Panasonic(松下)

封装0404

ADRF5740BCCZN，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，VFLGA-16-EP封装，询盘确认库存，ADRF5740是一款4位数字衰减器，具有22 dB的衰减控制范围，步进为2 dB。工作频率范围为10 MHz至60 GHz，插入损耗低，精度高，适用于多种射频应用。

ADRF5740BCCZN

ADI(亚德诺)

HMC291SE，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，SOT-23-6封装，询盘确认库存，HMC291SE 是一种通用宽带 2 位正控硅 IC 数字衰减器，采用 6 引脚 SOT26 表面贴装塑料封装。插入损耗在工作频率范围内通常在 0.4dB 至 1dB 之间。衰减器的比特值为 4（LSB）和 8dB，总衰减量为 12dB。状态误差典型值为

HMC291SE

ADI(亚德诺)

封装SOT-23-6

HMC939ALP4ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，VFQFN-24-EP封装，询盘确认库存，HMC939ALP4ETR 是一款5位数字衰减器，提供31 dB的衰减控制范围，步进为1 dB。它在100 MHz到33 GHz的频率范围内具有优异的插入损耗、衰减精度和输入线性度。

HMC939ALP4ETR

ADI(亚德诺)

MAX19794ETX+T，ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)，射频芯片/天线 > RF衰减器，UQFN-36-EP封装，询盘确认库存，MAX19794是一款双通用模拟电压可变衰减器，设计用于与50Ω系统在10MHz到500MHz频率范围内接口。每个衰减器提供22.4dB的衰减范围，具有8dB/V的线性控制斜率。两个衰减器共享一个公共模拟控制，可以串联使用

MAX19794ETX+T

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

HMC424A，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，SMD封装，询盘确认库存，HMC424A是一款宽带6位砷化镓（GaAs）数字衰减器单片微波集成电路（MMIC）芯片，具有31.5 dB的衰减控制范围，步进为0.5 dB。

HMC424A

ADI(亚德诺)

封装SMD

ARW621A，Archiwave(安其威)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-20封装，询盘确认库存，1-6000MHz0.5dB步进6bit31.5dB数控衰减器

ARW621A

Archiwave(安其威)

封装QFN-20

PE4312C-Z，pSemi(游隼半导体)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-20-EP封装，询盘确认库存，6位，31.5 dB，1 MHz-4 GHz的RF数字步进衰减器，适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。

PE4312C-Z

pSemi(游隼半导体)

封装QFN-20-EP

F2258NLGK8，RENESAS(瑞萨)/IDT，射频芯片/天线 > RF衰减器，VFQFN-16-EP封装，询盘确认库存，F2258是一款低插入损耗电压可变RF衰减器，适用于多种无线和其他RF应用。该设备覆盖了从50 MHz到6000 MHz的广泛频率范围。

F2258NLGK8

RENESAS(瑞萨)/IDT

RFSA2013TR7，Qorvo，射频芯片/天线 > RF衰减器，TQFN-16-EP封装，询盘确认库存，RFSA2013是一款全单片模拟电压控制衰减器（VCA），具有出色的线性度，典型温度补偿30dB增益控制范围。它集成了内部温度补偿电路，高IIP3，大衰减范围，低直流电流，宽带宽和温度补偿线性dB控制电压特性。

RFSA2013TR7

Qorvo

HMC346ALP3ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-16-EP封装，询盘确认库存，HMC346ALP3ETR 是一种在低成本无引脚表面贴装塑料封装中的吸收式电压可变衰减器，工作频率范围为 DC 至 14 GHz。它具有片上参考衰减器，用于与外部运放配合提供简单的单电压控制。

HMC346ALP3ETR

ADI(亚德诺)

封装QFN-16-EP

HMC655，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，GP-5封装，询盘确认库存，HMC655是一款宽带固定值50Ω匹配衰减器芯片，提供6 dB的相对衰减值。这些无源衰减器适用于微带线、混合电路和多芯片模块应用，具有平坦的衰减特性和优秀的VSWR vs. 频率特性。

HMC655

ADI(亚德诺)

封装GP-5

KAT-2+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF衰减器，TDFN-6-EP封装，询盘确认库存，KAT-2+

KAT-2+

Mini-Circuits

封装TDFN-6-EP

GAT-2+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF衰减器，MCLP-4封装，询盘确认库存，微型塑料封装固定衰减器，适用于高频应用，具有出色的VSWR性能。

GAT-2+

Mini-Circuits

封装MCLP-4

QAT-8+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF衰减器，TDFN-6-EP封装，询盘确认库存，QAT-8+

QAT-8+

Mini-Circuits

封装TDFN-6-EP

ADRF5720BCCZN，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，LGA-24封装，询盘确认库存，ADRF5720是一款6位数字RF衰减器，提供31.5 dB的衰减范围，步进为0.5 dB。工作频率范围为9 kHz至40 GHz，具有低插入损耗和高精度衰减控制。

ADRF5720BCCZN

ADI(亚德诺)

封装LGA-24

LAT-10+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF衰减器，SOT-143封装，询盘确认库存，特性：宽带，直流至2500 GHz。整个频段内具有出色的电压驻波比（VSWR）。尺寸小巧，采用SOT143封装。可水清洗。应用：固态放大器。个人通信服务（PCS）

LAT-10+

Mini-Circuits

封装SOT-143

PAT1220-C-6DB-T5，SUSUMU，射频芯片/天线 > RF衰减器，SMD-3P封装，询盘确认库存，高精度芯片衰减器，适用于广泛的频率范围，具有与普通芯片电阻相似的端子设计，易于安装，提供多种尺寸以实现设备小型化。

PAT1220-C-6DB-T5

SUSUMU

封装SMD-3P

GAT-3+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF衰减器，MCLP-4封装，询盘确认库存，3dB固定衰减器，50Ω，0.5W，DC至8000MHz，小型封装，适用于多种通信应用

GAT-3+

Mini-Circuits

封装MCLP-4

HMC1119LP4ME，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-24-EP封装，询盘确认库存，HMC1119是一款宽带、高精度的7位数字衰减器，工作频率范围为0.1 GHz至6.0 GHz，衰减控制范围为0.25 dB步进到31.75 dB。

HMC1119LP4ME

ADI(亚德诺)

HMC306AMS10ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，MSOP-10封装，询盘确认库存，HMC306AMS10ETR 是一款通用宽带 5 位正控 GaAs IC 数字衰减器，采用 10 引脚 MSOP 表面贴装塑料封装。覆盖 0.7 至 3.8 GHz 频率范围，插入损耗典型值小于 1.5 至 2.3 dB。

HMC306AMS10ETR

ADI(亚德诺)

封装MSOP-10

HMC346AMS8GE，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，MSOP-8封装，询盘确认库存，HMC346AMS8GE是一款吸收式电压可变衰减器，工作频率范围为DC至8GHz。它具有片上参考衰减器，可通过外部运放提供简单的单电压控制，0到-5V。该器件适用于需要模拟控制信号在30dB幅度范围内控制RF信号电平的设计。

HMC346AMS8GE

ADI(亚德诺)

封装MSOP-8

MAX19790ETX+，ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)，射频芯片/天线 > RF衰减器，VQFN-36-EP封装，询盘确认库存，MAX19790是一款双通道通用模拟电压可调衰减器，设计用于与50Ω系统在250MHz至4000MHz频率范围内接口。每个衰减器包括一个控制电路，提供22dB的衰减范围，线性控制斜率为10dB/V。两个衰减器共享一个公共模拟

MAX19790ETX+

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

AA116-72LF，SKYWORKS，射频芯片/天线 > RF衰减器，SC-74A封装，询盘确认库存，AA116-72LF

AA116-72LF

SKYWORKS

封装SC-74A

STCA0603N7W3，YANTEL(研通)，射频芯片/天线 > RF衰减器，-封装，询盘确认库存，STCA0603N7W3

STCA0603N7W3

YANTEL(研通)

PAT1220-C-3DB-T5，SUSUMU，射频芯片/天线 > RF衰减器，SMD-3P封装，询盘确认库存，集成三个精密电阻，实现精确的衰减，同时减小寄生电容和电感，适用于高频应用

PAT1220-C-3DB-T5

SUSUMU

封装SMD-3P

ADRF5721BCCZN，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，LGA-16封装，询盘确认库存，ADRF5721是一款4位数字衰减器，具有30 dB的衰减控制范围，步进为2 dB。该设备的工作频率范围为9 kHz至40 GHz，插入损耗小于3.4 dB。

ADRF5721BCCZN

ADI(亚德诺)

封装LGA-16

PE43704B-Z，pSemi(游隼半导体)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-32-EP封装，询盘确认库存，9 kHz-8 GHz, 7位50Ω RF数字步进衰减器，最大功率处理能力为28 dBm，覆盖31.75 dB衰减范围，步进为0.25 dB、0.5 dB或1.0 dB。

PE43704B-Z

pSemi(游隼半导体)

封装QFN-32-EP

SKY12347-362LF，SKYWORKS，射频芯片/天线 > RF衰减器，VFQFN-24-EP封装，询盘确认库存，SKY12347-362LF

SKY12347-362LF

SKYWORKS

RFSA2113TR13，Qorvo，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-16-EP封装，询盘确认库存，是一款完全单片式模拟压控衰减器(VCA)，在典型的温度补偿30 dB增益控制范围内具有出色的线性度。带宽高达18 GHz。采用了一种全新的电路架构，解决了长期以来的行业问题：高IP3、高衰减范围、低直流电流、宽带宽和温度补偿的dB线性控制电压特性。衰减

RFSA2113TR13

Qorvo

封装QFN-16-EP

LAT-20+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF衰减器，SOT-143封装，询盘确认库存，20dB宽带射频固定衰减器，50Ω阻抗，0.5W最大功率，工作频率范围从DC到2500MHz。

LAT-20+

Mini-Circuits

封装SOT-143

BW-S12W2+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF衰减器，SMA封装，询盘确认库存，BW-S12W2+

BW-S12W2+

Mini-Circuits

封装SMA

HMC542BLP4ETR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，QFN-24-EP封装，询盘确认库存，0.5dBLSBGaAsMMIC6位数字串行控制衰减器，DC-4GHz

HMC542BLP4ETR

ADI(亚德诺)

HMC1119LP4METR，ADI(亚德诺)，射频芯片/天线 > RF衰减器，LFCSP-24封装，询盘确认库存，0.25dBLSB、7位硅数字衰减器，0.1GHz至6.0GHz

HMC1119LP4METR

ADI(亚德诺)

封装LFCSP-24