先定应用与参数
存储器 > NOR FLASH 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
存储器 > NOR FLASH 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
本页样本常见品牌:Winbond(华邦)、GigaDevice(兆易创新)、FM(复旦微)、ISSI(美国芯成)。
交期紧张时可在 BOM 备注中写明可替代品牌、封装和参数范围。
Winbond(华邦)
W25Q128JVSIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,SOIC-8封装,656,683件现货,128Mbit(16MBx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),比W25Q128FVSIG,W25Q128FVFIG更高速GigaDevice(兆易创新)
GD25Q128ESIGR,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,566,531件现货,GD25Q128E(128M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#/RESET#)。双I/O数据传输速度FM(复旦微)
FM25Q08B-SO-T-G,FM(复旦微),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,481,685件现货,FM25Q08B是一款8M位(1M字节)的串行闪存,具备先进的写保护机制。FM25Q08B支持标准串行外设接口(SPI)、双/四路I/O以及2时钟指令周期的四路外设接口(QPI)。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码GigaDevice(兆易创新)
GD25Q32ESIGR,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,423,690件现货,支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532MbitGigaDevice(兆易创新)
GD25Q64ESIGR,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,405,193件现货,支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s,四 I/O 数据Winbond(华邦)
W25Q64JVSSIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,SOIC-8封装,387,248件现货,W25Q64JVSSIQWinbond(华邦)
W25Q32JVSSIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,SOIC-8封装,332,529件现货,W25Q32JV(32M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM以及执行代码ISSI(美国芯成)
IS25LP080D-JNLE-TR,ISSI(美国芯成),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,310,000件现货,IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求MXIC(旺宏电子)
MX25L25645GM2I-08G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,272,386件现货,256-Mbit(256M x 1/128M x 2/64M x 4),工作电压:3VWinbond(华邦)
W25Q256JVEIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,WSON-8封装,230,800件现货,具备双/四SPI接口的3V、256Mbit 串行闪存MXIC(旺宏电子)
MX25L3233FM2I-08G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,152,041件现货,3V、32Mbit [x 1/x 2/x 4] CMOS串行多I/O闪存GigaDevice(兆易创新)
GD25Q16ESIGR,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,143,225件现货,GD25Q16E(16M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/sWinbond(华邦)
W25Q16JVSSIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,142,103件现货,(与C82317为同一颗物料,只是编带方式不一样。)3V 16Mbit Serial Flash Memory with dual/quad SPIPUYA(普冉)
PY25Q64HA-SUH-IR,PUYA(普冉),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,110,000件现货,PY25Q64HA是一款串行接口闪存设备,专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中,程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。该设备具有灵活的擦除架构,其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储,无需额外的数据存储设备RENESAS(瑞萨)/IDT
AT25SF161-SSHD-T,RENESAS(瑞萨)/IDT,存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,109,900件现货,停产 支持双I/O和四I/O,最小工作电压2.5V的16Mbit SPI串行闪存MXIC(旺宏电子)
MX25L8006EM1I-12G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,108,000件现货,8-Mbit( 8 x 1bit/4 x 2bit),工作电压:2.7V to 3.6VMXIC(旺宏电子)
MX25L6433FM2I-08G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,106,335件现货,特性:Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复MXIC(旺宏电子)
MX25L25645GM2I-10G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,106,205件现货,特性:支持串行外设接口。模式0和模式3单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位(双I/O模式)结构或67,108,864 x 4位(四I/O模式)GigaDevice(兆易创新)
GD25Q32ESIG,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,104,623件现货,GD25Q32E(32M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四MXIC(旺宏电子)
MX25R8035FZUIH1,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,USON8封装,100,000件现货,特性:支持串行外设接口。 支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位(双I/O模式)结构。 每个扇区为4K字节,或每个块为32K/64K字节。 任何块都可以单独擦除。 单电源供电GigaDevice(兆易创新)
GD25Q80CSIG,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,90,000件现货,8M-bit SPI FLASH ,支持2线Dual、4线Quad SPI接口MXIC(旺宏电子)
MX25U3232FM2Q02,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,90,000件现货,特性:支持串行外设接口-模式0和模式3。 单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。 33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位(双I/O模式)结构或8,388,608 x 4位(四I/O模式)结构Winbond(华邦)
W25Q80DVSSIG,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,SOIC-8封装,87,513件现货,串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。该设备采用2.7V至3.6V单电源供电,掉电MXIC(旺宏电子)
MX25L1606EM2I-12G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,86,956件现货,16-Mbit(16M x 1bit/8M x 2bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6VWinbond(华邦)
W25Q512JVEIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,WSON-8-EP封装,86,000件现货,串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。MXIC(旺宏电子)
MX25L25645GZ2I-08G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,WSON8封装,84,000件现货,特性:支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位(双I/O模式)结构或67,108,864 x 4位(四I/O模式)MXIC(旺宏电子)
MX25L512EZUI-10G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,USON8封装,84,000件现货,特性:支持串行外设接口-模式0和模式3。 具有524,288 x 1位结构或262,144 x 2位(双输出模式)结构。 有16个相等的扇区,每个扇区4K字节。 任何扇区都可以单独擦除。 单电源操作。 读取、擦除和编程操作电压为2.7至PUYA(普冉)
PY25Q128HA-SUH-IR,PUYA(普冉),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,80,690件现货,PY25Q128HA是一款串行接口闪存存储器件,专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中,程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。该器件灵活的擦除架构,具备页擦除粒度,也非常适合用于数据存储,无需额外的数据存储设备MXIC(旺宏电子)
MX25L1606EM1I-12G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,80,000件现货,MX25L1606EM1I-12GPUYA(普冉)
PY25Q128HA-SUH-IT,PUYA(普冉),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,79,600件现货,PY25Q128HA是一款串行接口闪存设备,专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中,程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备的灵活擦除架构及其页擦除粒度也非常适合数据存储,无需额外的数据存储设备MXIC(旺宏电子)
MX25L12833FM2I-10G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,76,060件现货,特性:支持串行外设接口-模式 0 和模式 3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏。134,217,728 x 1 位结构,或 67,108,864 x 2 位(双 I/O 模式)结构,或 33,554,43Winbond(华邦)
W25Q128JWSIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,SOIC-8封装,72,808件现货,W25Q128JW(128M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI(XIP)直接执行代码以及存储语音……(原文“voi”后内GigaDevice(兆易创新)
GD25Q80ESIG,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,72,753件现货,GD25Q80E(8M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266MbiGigaDevice(兆易创新)
GD25LQ128EWIGR,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,WSON8封装,72,188件现货,GD25LQ128E(128M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为MXIC(旺宏电子)
MX25L4006EZUI-12G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,USON8封装,71,446件现货,该设备具有串行外设接口和软件协议,允许在简单的三线总线上运行。四个总线信号分别是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)和片选(CS#)。通过CS#输入可启用对设备的串行访问。GigaDevice(兆易创新)
GD25Q16ESIG,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,66,500件现货,GD25Q16ESIGWinbond(华邦)
W25X40CLSNIG,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,55,740件现货,W25X40CL(4M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储Microchip(美国微芯)
SST26VF064B-104I/SM,Microchip(美国微芯),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,52,808件现货,串行四路I/O(SQI)系列闪存器件采用六线4位I/O接口,能在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA还支持与传统串行外设接口(SPI)协议的全命令集兼容。采用SQI闪存器件的系统设MXIC(旺宏电子)
MX25L512EOI-10G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,TSSOP-8封装,50,000件现货,是一款CMOS 524,288位串行闪存,内部配置为65,536×8。具有串行外设接口和软件协议,允许在简单的三线总线上运行。三条总线信号是MXIC(旺宏电子)
MX25V1606FM2I03,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,50,000件现货,MX25V1606F是一款16Mb串行NOR闪存,其内部配置为2,097,152 x 8。MX25V1606F具有串行外设接口和软件协议,使其在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入(SCLK)、串行数据输入(MXIC(旺宏电子)
MX25V4035FM2I,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,50,000件现货,MX25V4035FM2IWinbond(华邦)
W25Q16JVSNIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,50,000件现货,W25Q16JV(16M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据Winbond(华邦)
W25Q64JWBYIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,WLCSP-12封装,50,000件现货,支持双路、四路SPI接口的1.8V、64Mbit 串行闪存GigaDevice(兆易创新)
GD25Q64ESIG,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,49,000件现货,支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s,四 I/O 数据传输MXIC(旺宏电子)
MX25U8035FZUI,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,USON8封装,48,000件现货,MX25U8035F是一款8Mbit的串行NOR闪存,其内部配置为1,048,576 x 8。在四I/O模式下,其结构变为2,097,152位x 4或4,194,304位x 2。MX25U8035F具备串行外设接口和软件协议,在单I/O模式下GigaDevice(兆易创新)
GD25LQ32EEIGR,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,USON8封装,45,000件现货,GD25LQ32E(32M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/MXIC(旺宏电子)
MX25L3233FM1R-08Q,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,43,500件现货,MX25L3233FM1R-08QGigaDevice(兆易创新)
GD25Q128ESIG,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8-208M封装,42,000件现货,GD25Q128E(128M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#/RESET#)。双I/O数据传RENESAS(瑞萨)/IDT
AT45DB161E-SHD-T,RENESAS(瑞萨)/IDT,存储器 > NOR FLASH,SOIC-8-208封装,39,899件现货,16-Mbit(2M x 8bit),SPI接口,工作电压:2.5V to 3.6VGigaDevice(兆易创新)
GD25Q80ETIGR,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,39,000件现货,E版本用的是12寸的晶元,55纳米的工艺ST(意法半导体)
M25P40-VMN6TPB,ST(意法半导体),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,38,220件现货,特性:4 Mbit闪存。 2.3 V至3.6 V单电源电压。 SPI总线兼容串行接口。 75 MHz时钟速率(最大值)。 0.8 ms(典型值)内完成页面编程(最多256字节)。 0.6 s(典型值)内完成扇区擦除(512 Kbit)。 4.GigaDevice(兆易创新)
GD25Q256EYIGR,GigaDevice(兆易创新),存储器 > NOR FLASH,WSON-8-EP封装,37,998件现货,串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为MXIC(旺宏电子)
MX25L25645GMI-08G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-16封装,37,600件现货,特性:支持串行外设接口。 模式0和模式3。 单电源操作。 读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位(双I/O模式)结构或67,108,864 x 4位(四I/RENESAS(瑞萨)/IDT
AT25DF041B-SSHN-T,RENESAS(瑞萨)/IDT,存储器 > NOR FLASH,SOP封装,36,000件现货,AT25DF041B-SSHN-TMXIC(旺宏电子)
MX25R1635FZUIL0,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,USON-8封装,36,000件现货,16Mb 串行 NOR 闪存,内部配置为 2,097,152 x 8。在四 I/O 模式下,结构变为 4,194,304 位 x 4 或 8,388,608 位 x 2。具有串行外设接口。Winbond(华邦)
W25Q256JVFIQ,Winbond(华邦),存储器 > NOR FLASH,SOP-16封装,35,293件现货,256Mbit(32Mx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),同W25Q256FVFIG,W25Q128JVSIQ,W25Q128FVSIGMXIC(旺宏电子)
MX25L8006EM2I-12G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,34,300件现货,8-Mbit( 8 x 1bit/4 x 2bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6VMXIC(旺宏电子)
MX25L51245GZ2I-08G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,WSON8封装,33,600件现货,特性:先进的扇区保护功能(实体保护和密码保护)。 多I/O支持。 单I/O、双I/O和四I/O。 支持DTR(双倍传输速率)模式。 支持高达166MHz的时钟频率。 支持串行外设接口MXIC(旺宏电子)
MX25L3233FM1I-08G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,33,180件现货,特性:Hold功能。 多I/O支持。 单I/O、双I/O和四I/O。 自动擦除和自动编程算法。 编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复MXIC(旺宏电子)
MX25L3206EM2I-12G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,30,511件现货,32-Mbit(32M x 1bit/16M x 2bit,4Mx8),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6VBUYER FAQ
当前 存储器 > NOR FLASH 分类收录 4,688 个公开可查询型号,其中本页优先展示 60 个公开现货样本。
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 SOIC-8、SOP-8、WSON-8、USON8、WSON-8-EP。
可以。多个型号建议一次提交 BOM,业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。