先定应用与参数
存储器 > 随机存取存储器(RAM) 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
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本页样本常见品牌:Everspin、Winbond(华邦)、Siproin(上海矽朋)、Microchip(美国微芯)。
交期紧张时可在 BOM 备注中写明可替代品牌、封装和参数范围。
Everspin
MR0A08BCYS35,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TSOP-44封装,5,000件现货,是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM),组织为131,072个8位字。提供与SRAM兼容的35 ns读写时序,具有无限耐久性。数据始终保持非易失性超20年。通过低压抑制电路在掉电时自动保护数据,防止因电压超出规格而写入。适Everspin
MR5A16ACMA35,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),BGA-48封装,3,652件现货,MR5A16ACMA35Everspin
MR4A16BCYS35R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TSOP54封装,3,566件现货,MR4A16BCYS35REverspin
MR5A16ACYS35,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TSOP2-54封装,2,962件现货,MR5A16ACYS35Everspin
MR2A16ACYS35,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TSOP44封装,2,800件现货,基于磁阻技术的SRAM存储器(MRAM),容量:4Mb (256K x 16)Everspin
MR0D08BMA45R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),FBGA-48封装,2,000件现货,MR0D08BMA45REverspin
MR0A16ACYS35,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TSOP44封装,1,100件现货,MR0A16ACYS35Everspin
MR2A16ACMA35,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),BGA封装,377件现货,MR2A16ACMA35Winbond(华邦)
W956D8MBYA5I,Winbond(华邦),存储器 > 随机存取存储器(RAM),TFBGA-24封装,询盘确认库存,特性:接口:HyperBus。电源:1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。最大时钟频率:200MHz。双倍数据速率(DDR)高达 400MT/sSiproin(上海矽朋)
PM002MNIATR,Siproin(上海矽朋),存储器 > 随机存取存储器(RAM),SOP-8封装,询盘确认库存,支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器Everspin
MR25H256MDFR,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8封装,询盘确认库存,MR25H256MDFRSiproin(上海矽朋)
PM004MNIATR,Siproin(上海矽朋),存储器 > 随机存取存储器(RAM),SOP-8封装,询盘确认库存,支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器Winbond(华邦)
W958D8NBYA5I,Winbond(华邦),存储器 > 随机存取存储器(RAM),TFBGA-24封装,询盘确认库存,特性:接口:HyperBus。 电源:1.7V~2.0V。 最大时钟频率:250MHz。 双倍数据速率(DDR)高达500MB/sEverspin
MR25H128AMDF,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8-EP封装,询盘确认库存,MR25H128AMDFEverspin
MR20H40CDF,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8-EP封装,询盘确认库存,MR20H40CDFEverspin
MR25H10CDC,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8封装,询盘确认库存,MR25H10CDCEverspin
MR2A08AMYS35,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TSOP-442封装,询盘确认库存,MR2A08AMYS35Everspin
MR25H256ACDF,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8-EP封装,询盘确认库存,特性:无写入延迟。 无限写入耐久性。 数据保留超过20年。 掉电时自动数据保护。 块写保护。 快速、简单的SPI接口,时钟速率高达40 MHz。 2.7至3.6伏电源范围。 低电流睡眠模式。 工业和汽车1级和3级温度范围。 提供8引脚DFN或Everspin
MR25H10CDF,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8-EP封装,询盘确认库存,MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)器件,其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序,无写入延迟,且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同,该器件在存储器中Everspin
MR25H40CDF,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8-EP封装,询盘确认库存,MR2xH40 是一系列 4,194,304 位磁阻随机存取存储器(MRAM)器件,组织形式为 524,288 个 8 位字。对于那些必须使用少量 I/O 引脚快速存储和检索数据及程序的应用来说,它们是理想的存储解决方案。它们具有与串行 EEPRWinbond(华邦)
W957D8MFYA5I,Winbond(华邦),存储器 > 随机存取存储器(RAM),TFBGA-24封装,询盘确认库存,W957D8MFYA5IEverspin
MR256D08BMA45,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),BGA-48封装,询盘确认库存,MR256D08B是一款262,144位的磁阻随机存取存储器(MRAM)器件,组织形式为32,768个8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O电压。MR256D08B提供与SRAM兼容的45ns读写时序,且具有无限的耐久性Microchip(美国微芯)
23AA02M-I/ST,Microchip(美国微芯),存储器 > 随机存取存储器(RAM),TSSOP-8封装,询盘确认库存,是一款2 Mbit串行SRAM设备。通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过片选(CS)输入控制对设备的访问。此外,如果应用需要Winbond(华邦)
W957A8MFYA5I,Winbond(华邦),存储器 > 随机存取存储器(RAM),TFBGA-24封装,询盘确认库存,特性:接口:HyperBus。 电源:1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。 最大时钟速率:200MHz。 双倍数据速率(DDR)高达 400MT/sMicrochip(美国微芯)
23AA02M-I/SN,Microchip(美国微芯),存储器 > 随机存取存储器(RAM),SOIC-8封装,询盘确认库存,是一款2 Mbit串行SRAM设备。通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过片选(CS)输入控制对设备的访问。此外,如果应用需要更Rochester Electronics(罗彻斯特)
27LS00AFM/B,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,27LS00AFM/BRochester Electronics(罗彻斯特)
27LS00DC,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,27LS00DCRochester Electronics(罗彻斯特)
27LS03/BEA,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,27LS03/BEARochester Electronics(罗彻斯特)
27S03A/BEA,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,27S03A/BEARochester Electronics(罗彻斯特)
27S03ADM/B,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,27S03ADM/BRochester Electronics(罗彻斯特)
27S03ALM/B,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,27S03ALM/BRochester Electronics(罗彻斯特)
29705/BXA,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,29705/BXARochester Electronics(罗彻斯特)
29705APC,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,29705APCRochester Electronics(罗彻斯特)
29705APCB,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,29705APCBRochester Electronics(罗彻斯特)
4720BDC,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,4720BDCRochester Electronics(罗彻斯特)
4720BDM,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,4720BDMMOTOROLA(摩托罗拉)
93L422/BWAJC,MOTOROLA(摩托罗拉),存储器 > 随机存取存储器(RAM),CFlatpack-24封装,询盘确认库存,93L422/BWAJCRochester Electronics(罗彻斯特)
AM27LS07PC,Rochester Electronics(罗彻斯特),存储器 > 随机存取存储器(RAM),-封装,询盘确认库存,AM27LS07PCADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
DS1200,ADI(亚德诺)/MAXIM(美信),存储器 > 随机存取存储器(RAM),PDIP-10封装,询盘确认库存,DS1200ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
DS1200S+,ADI(亚德诺)/MAXIM(美信),存储器 > 随机存取存储器(RAM),SOIC-16封装,询盘确认库存,DS1200S+ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
DS1609-50+,ADI(亚德诺)/MAXIM(美信),存储器 > 随机存取存储器(RAM),24-PDIP封装,询盘确认库存,DS1609-50+Everspin
EM004LXOBB320CS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM004LXOBB320CS1TEverspin
EM004LXOBB320IS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM004LXOBB320IS1TEverspin
EM004LXQBDH13CS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8封装,询盘确认库存,EM004LXQBDH13CS1TEverspin
EM004LXQBDH13IS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8封装,询盘确认库存,EM004LXQBDH13IS1TEverspin
EM008LXOAB320CS1R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM008LXOAB320CS1REverspin
EM008LXOAB320CS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM008LXOAB320CS1TEverspin
EM008LXOAB320IS1R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM008LXOAB320IS1REverspin
EM008LXOAB320IS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM008LXOAB320IS1TEverspin
EM008LXQAB313CS1R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM008LXQAB313CS1REverspin
EM008LXQAB313CS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM008LXQAB313CS1TEverspin
EM008LXQAB313IS1R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM008LXQAB313IS1REverspin
EM008LXQAB313IS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM008LXQAB313IS1TEverspin
EM008LXQADG13CS1R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8封装,询盘确认库存,EM008LXQADG13CS1REverspin
EM008LXQADG13CS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8封装,询盘确认库存,EM008LXQADG13CS1TEverspin
EM008LXQADG13IS1R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8封装,询盘确认库存,EM008LXQADG13IS1REverspin
EM008LXQADG13IS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),DFN-8封装,询盘确认库存,EM008LXQADG13IS1TEverspin
EM016LXOAB320CS1R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM016LXOAB320CS1REverspin
EM016LXOAB320CS1T,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM016LXOAB320CS1TEverspin
EM016LXOAB320IS1R,Everspin,存储器 > 随机存取存储器(RAM),TBGA-24封装,询盘确认库存,EM016LXOAB320IS1RBUYER FAQ
当前 存储器 > 随机存取存储器(RAM) 分类收录 466 个公开可查询型号,其中本页优先展示 8 个公开现货样本。
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 TSOP-44、BGA-48、TSOP54、TSOP2-54、TSOP44。
可以。多个型号建议一次提交 BOM,业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。