先定应用与参数
存储器 > 铁电存储器(FRAM) 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
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本页样本常见品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)、RAMXEED/FUJITSU(富士通)、CYPRESS/INFINEON、Infineon(英飞凌)。
保留替代要求
交期紧张时可在 BOM 备注中写明可替代品牌、封装和参数范围。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
FM25W256-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25W256-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，207,060件现货，FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写），151年的数据保持能力，无延迟写入，非常快的SPI接口（最高2存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
207,060
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查看详情 >MB85RS16PNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS16PNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，96,329件现货，16-Kbit(2K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
96,329
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查看详情 >FM24CL64B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24CL64B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8-150封装，82,735件现货，64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.65V FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8-150
82,735
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查看详情 >FM25V02A-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25V02A-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，42,500件现货，FM25V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有高耐久性和低功耗特性。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
42,500
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查看详情 >MB85RC64TAPN-G-AMEWE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC64TAPN-G-AMEWE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，VSSOP8封装，40,000件现货，是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提存储器 > 铁电存储器(FRAM)
VSSOP8
40,000
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查看详情 >FM24CL04B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24CL04B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，39,850件现货，4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
39,850
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查看详情 >MB85RS256BPNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS256BPNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，37,064件现货，256-Kbit(32K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
37,064
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查看详情 >FM25L16B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25L16B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，35,000件现货，FM25L16B是一款16Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高时钟频率为20MHz，具有高耐久性和低功耗。适用于需要频繁写入的应用场景。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
35,000
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查看详情 >FM24CL16B-G
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24CL16B-G，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP封装，23,999件现货，是一款采用先进铁电工艺的16-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP
23,999
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查看详情 >FM25640B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25640B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，23,000件现货，FM25640B是一款64-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。该存储器适用于需要频繁快速写入的应用场景，如数据采集和工业控制。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
23,000
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查看详情 >FM25CL64B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25CL64B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，22,550件现货，FM25CL64B 是一个 64-Kbit 非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。它提供可靠的 151 年数据保留时间，支持高达 100 万亿次读写操作，无需延迟写入。支持 SPI 接口，最高时钟频率为 20 MH存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
22,550
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查看详情 >FM25V05-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25V05-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，21,163件现货，FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
21,163
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查看详情 >FM24W256-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24W256-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，20,180件现货，FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、快速2线串行接口（I2C），支持高达1 MHz的频率存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
20,180
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查看详情 >FM24CL16B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24CL16B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，16,144件现货，FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口，适用于频繁写入存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
16,144
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查看详情 >MB85RC64TAPNF-G-BDERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，15,000件现货，是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
15,000
询盘报价
查看详情 >MB85RC256VPF-G-JNERE2
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC256VPF-G-JNERE2，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，12,000件现货，MB85RC256V是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC256V无需使用数据备份电存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
12,000
询盘报价
查看详情 >FM25L04B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25L04B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，10,000件现货，FM25L04B是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高频率可达20 MHz，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件适用于需要存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
10,000
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查看详情 >FM28V020-SGTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM28V020-SGTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-28封装，9,000件现货，FM28V020 是一款 256-Kbit (32K x 8) 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有高耐久性和长数据保留时间。它支持快速写入和读取操作，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件提供行存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-28
9,000
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查看详情 >MB85RC04VPNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC04VPNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，8,924件现货，4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
8,924
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查看详情 >MB85RC64VPNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC64VPNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，8,000件现货，64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
8,000
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查看详情 >FM25V10-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25V10-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，7,500件现货，FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口，最高时钟频率为40MHz，适用于需要频繁写入的应用。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
7,500
询盘报价
查看详情 >FM33256B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM33256B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，7,025件现货，256-Kbit(32K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
7,025
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查看详情 >MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，6,000件现货，MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
6,000
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查看详情 >CY15B064Q-SXE
CYPRESS/INFINEON
CY15B064Q-SXE，CYPRESS/INFINEON，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-9封装，5,000件现货，CY15B064Q-SXE存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-9
5,000
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查看详情 >FM24V01A-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24V01A-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，5,000件现货，FM24V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺。它支持高达3.4 MHz的I2C接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。F-RAM无需内部升压电压，存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
5,000
询盘报价
查看详情 >FM25V01A-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25V01A-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，5,000件现货，FM25V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用16K x 8的逻辑组织方式。它支持高速SPI接口，最高时钟频率可达40 MHz，具备高耐久性和低功耗特性，适用于需要频繁写入的应用场存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
5,000
询盘报价
查看详情 >FM24C64B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24C64B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，4,890件现货，FM24C64B是一款64Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速2线串行接口（I2C），最高时钟频率可达1MHz。适用于频繁写入的应用，如数据记录和工业控制。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
4,890
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查看详情 >FM24C16B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24C16B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，4,750件现货，FM24C16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持100万亿次读写操作，数据保留时间长达151年。支持最高1 MHz的I2C接口。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
4,750
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查看详情 >FM24C04B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24C04B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，4,685件现货，4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：5V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
4,685
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FM25V02A-DG
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25V02A-DG，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，QFN封装，4,050件现货，FM25V02A-DG存储器 > 铁电存储器(FRAM)
QFN
4,050
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查看详情 >MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，3,000件现货，是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用 262,144 字 × 8 位配置，使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
3,000
询盘报价
查看详情 >MB85RS512TPNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS512TPNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，3,000件现货，512-Kbit(64K × 8bit)，SPI接口，工作电压：1.8V to 3.6V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
3,000
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查看详情 >MB85RC16PNF-G-AMERE2
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC16PNF-G-AMERE2，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，2,899件现货，是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM（铁电随机存取存储器）。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性，远超其他非易失性存储存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
2,899
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查看详情 >FM22L16-55-TG
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM22L16-55-TG，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，TSOP-44封装，2,700件现货，FM22L16是一款256K x 16的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件兼容SRAM，支持页模式操作，工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范存储器 > 铁电存储器(FRAM)
TSOP-44
2,700
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查看详情 >MB85RC16PNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC16PNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，2,350件现货，16-Kbit(2K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.6V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
2,350
询盘报价
查看详情 >MB85RS64TPNF-G-JNERE2
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS64TPNF-G-JNERE2，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP封装，2,240件现货，是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP
2,240
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查看详情 >FM25040B-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25040B-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，1,500件现货，FM25040B是一款4Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，逻辑上组织为512×8。它采用先进的铁电工艺，提供高耐久性和快速写入能力，支持高达20 MHz的时钟频率。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
1,500
询盘报价
查看详情 >MB85RC04PNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC04PNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，1,500件现货，MB85RC04PNF-G-JNERE1存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
1,500
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查看详情 >CY15B104Q-SXI
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
CY15B104Q-SXI，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP封装，1,011件现货，CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP
1,011
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查看详情 >MB85RS64VPNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS64VPNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP封装，539件现货，MB85RS64V是一款8位铁电存储器，采用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。它支持SPI接口，最高工作频率为20 MHz，工作电压范围为3.0 V到5.5 V，工作温度范围为-40 °C到+8存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP
539
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CY15V104QSN-108LPXI
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
CY15V104QSN-108LPXI，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)封装，490件现货，CY15V104QSN-108LPXI存储器 > 铁电存储器(FRAM)
详询
490
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查看详情 >FM24V02A-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24V02A-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，466件现货，FM24V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速两线串行接口（I2C），最高频率可达3.4 MHz。适用于频繁写入的应用场景，如数据记录和工存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
466
询盘报价
查看详情 >MB85RC256VPNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC256VPNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，50件现货，256-Kbit(32K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 5.5V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
50
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查看详情 >FM25V01-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25V01-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，FM25V01-GTR存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
询盘确认
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查看详情 >MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，16-Kbit(2K × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
询盘确认
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查看详情 >FM31256-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM31256-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-14_150mil封装，询盘确认库存，FM31256-GTR 是一款集成处理器伴生器件，集成了非易失性存储器、实时时钟、低电压复位、看门狗定时器、非易失事件计数器、锁定的64位序列号区域和通用比较器。该器件支持多种功能，包括早期电源失效警告、系存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-14_150mil
询盘确认
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查看详情 >FM28V020-TG
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM28V020-TG，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，TFSOP-32封装，询盘确认库存，FM28V020是一款256-Kbit的F-RAM存储器，逻辑上组织为32Kx8。该存储器具有高耐久性读写能力，数据保留时间超过151年，符合RoHS标准。它支持行业标准的32Kx8 SRAM引脚布局，读写操作类似于标存储器 > 铁电存储器(FRAM)
TFSOP-32
询盘确认
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查看详情 >MB85RS64PNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS64PNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，询盘确认库存，64-Kbit(8K × 8bit)，SPI接口，工作电压：3.0V to 3.6V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
询盘确认
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查看详情 >CY15B016Q-SXET
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
CY15B016Q-SXET，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，CY15B016Q SXET存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
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查看详情 >CY15B128Q-SXET
Infineon(英飞凌)
CY15B128Q-SXET，Infineon(英飞凌)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，CY15B128Q-SXET存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
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查看详情 >FM25V20A-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25V20A-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8-208mil封装，询盘确认库存，FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口，最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景，如数据采集和存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8-208mil
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查看详情 >CY15B201QN-50SXET
Infineon(英飞凌)
CY15B201QN-50SXET，Infineon(英飞凌)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，CY15B201QN-50SXET存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
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查看详情 >FM28V100-TGTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM28V100-TGTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，TSOP-32-12.5mm封装，询盘确认库存，FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装，工作电压为2.0V至3.6V，工作温度范存储器 > 铁电存储器(FRAM)
TSOP-32-12.5mm
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查看详情 >MB85RS16NPNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS16NPNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，16-Kbit(2K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.6V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
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查看详情 >MB85RC128APNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC128APNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，询盘确认库存，是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，配置为 16,384 字 × 8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。与 SRAM 不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
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查看详情 >MB85RC1MTPNF-G-AMERE2
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RC1MTPNF-G-AMERE2，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8_150mil封装，询盘确认库存，FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8_150mil
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查看详情 >FM24V05-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24V05-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造，提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口，最高时钟频率为3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
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查看详情 >MB85RS128BPNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS128BPNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，询盘确认库存，MB85RS128B是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为16384字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
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查看详情 >CY15B102QN-50SXI
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
CY15B102QN-50SXI，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，CY15B102QN-50SXI存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
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查看详情 >FM24V10-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM24V10-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作，支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口（I2C）。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间存储器 > 铁电存储器(FRAM)
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查看详情 >BUYER FAQ
分类采购常见问题
存储器 > 铁电存储器(FRAM) 分类有多少可查询型号？
当前 存储器 > 铁电存储器(FRAM) 分类收录 410 个公开可查询型号，其中本页优先展示 43 个公开现货样本。
筛选 存储器 > 铁电存储器(FRAM) 型号时应关注哪些条件？
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 SOIC-8、SOP-8、SOIC-8-150、VSSOP8、SOP。
存储器 > 铁电存储器(FRAM) 可以提交 BOM 批量询价吗？
可以。多个型号建议一次提交 BOM，业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。