先定应用与参数
存储器 > 多芯片封装存储器 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
存储器 > 多芯片封装存储器 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
本页样本常见品牌:XTX(芯天下)、FORESEE(江波龙)、Infineon(英飞凌)、micron(镁光)。
交期紧张时可在 BOM 备注中写明可替代品牌、封装和参数范围。
XTX(芯天下)
XT61M1G8C2TM-B8BEA,XTX(芯天下),存储器 > 多芯片封装存储器,BGA-162封装,询盘确认库存,1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32)XTX(芯天下)
XT61M2G8D2TA-B8BEA,XTX(芯天下),存储器 > 多芯片封装存储器,BGA-162封装,询盘确认库存,XT61M2G8D2TA-B8BxX 是一款多芯片封装存储器,结合了2Gb (256M x 8) NAND Flash和2Gb (64M x 32) Low Power DDR2 SDRAM。NAND Flash提供了高密度非易失性存储解决XTX(芯天下)
XT61M4G8D2TA-B8BEA,XTX(芯天下),存储器 > 多芯片封装存储器,BGA-162封装,询盘确认库存,XT61M4G8D2TA-B8BxX 是一种多芯片封装 (MCP) 存储器,结合了 4Gb (512M x 8) NAND Flash 和 2Gb (64M x 32) 低功耗 DDR2 SDRAM。NAND Flash 提供高密度非易失性FORESEE(江波龙)
F70ME0101D-RDWA,FORESEE(江波龙),存储器 > 多芯片封装存储器,BGA-162封装,询盘确认库存,该多芯片封装存储器结合了1Gbit NAND Flash和1Gbit LPDDR2 SDRAM,支持独立的接口和核心电源连接,适用于需要高性能和高密度存储的应用。Infineon(英飞凌)
S71KL256SC0BHB000,Infineon(英飞凌),存储器 > 多芯片封装存储器,FBGA-24封装,询盘确认库存,对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统,HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和Infineon(英飞凌)
S78HS512TC0BHB010,Infineon(英飞凌),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,特性:SEMPER Flash和HYPERRAM 2.0采用多芯片封装(MCP),具备HYPERBUS接口。 1.8 V,512Mb SEMPER Flash和64Mb HYPERRAM 2.0(S76HS512TC0)。 3.0 V,512Mmicron(镁光)
MT29C4G48MAZBBAKS-48IT,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,VFBGA-137封装,询盘确认库存,特性:美光NAND闪存和LPDDR组件。符合RoHS标准的“绿色”封装。独立的NAND闪存和LPDDR接口。节省空间的多芯片封装/堆叠封装组合。低电压工作(1.70-1.95V)。工业温度范围:-40℃至+85℃。无需外部电SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3S4HM-MGCJT,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > 多芯片封装存储器,FBGA封装,询盘确认库存,K4F6E3S4HM-MGCJTHYNIX(海力士)
H26M41204HPR,HYNIX(海力士),存储器 > 多芯片封装存储器,FBGA-153封装,询盘确认库存,SK hynix H26M41204HPR 是一款8GB eMMC5.1兼容的嵌入式NAND闪存,支持高速传输模式(HS400)。它集成了NAND闪存和MMC控制器,支持多种高级功能,如现场固件更新、健康报告、安全写保护等。该器件的工作电压范围为Kingston(金士顿)
32EM16-M4CTX29-8AD11,Kingston(金士顿),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,32EM16-M4CTX29-8AD11SAMSUNG(三星半导体)
K4F8E304HB-MGCJT,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > 多芯片封装存储器,FBGA封装,询盘确认库存,K4F8E304HB-MGCJTmicron(镁光)
MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109micron(镁光)
MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109TR,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TRmicron(镁光)
MT29C2G24MAAAAKAKD-5IT,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,TFBGA-137封装,询盘确认库存,MT29C2G24MAAAAKAKD-5 ITmicron(镁光)
MT29C2G24MAAAAKAMD-5IT,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,VFBGA-130封装,询盘确认库存,Micron的多芯片封装(PoP)产品将NAND Flash和Mobile LPDRAM设备组合在一个单个多芯片封装(MCP)中,适用于低功耗、高性能和小封装尺寸设计的移动应用。NAND Flash和Mobile LPDRAmicron(镁光)
MT29C4G48MAYBBAKS-48ITTR,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TRmicron(镁光)
MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87Kmicron(镁光)
MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87Jmicron(镁光)
MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87Jmicron(镁光)
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87Jmicron(镁光)
MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112micron(镁光)
MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112micron(镁光)
MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112micron(镁光)
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112,micron(镁光),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112MXIC(旺宏电子)
MX63U1GC12HAXMI01,MXIC(旺宏电子),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MX63U1GC12HAXMI01MXIC(旺宏电子)
MX69GL642EEXGI-70G,MXIC(旺宏电子),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,MX69GL642EEXGI-70GInfineon/CYPRESS(赛普拉斯)
S71KL512SC0BHB000,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 多芯片封装存储器,VBGA-24封装,询盘确认库存,S71KL512SC0BHB000Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
S71KS512SC0BHB000,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 多芯片封装存储器,FBGA-24封装,询盘确认库存,该多芯片封装存储器结合了512Mb的HyperFlash和64Mb的HyperRAM,支持1.8V和3.0V的工作电压。具备高性能的HyperBus接口,支持双数据率(DDR),最大时钟频率为166MHz。Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
S71KS512SC0BHV000,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 多芯片封装存储器,FBGA-24封装,询盘确认库存,该多芯片封装存储器结合了512Mb的HyperFlash和64Mb的HyperRAM,支持1.8V和3.0V的工作电压。具备高性能的HyperBus接口,支持双数据率(DDR),最大时钟频率为166MHz。Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
S71VS128RB0AHK4L0,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 多芯片封装存储器,VFBGA-56封装,询盘确认库存,S71VS128RB0AHK4L0RENESAS(瑞萨)/IDT
S71VS256RD0AHK4L0,RENESAS(瑞萨)/IDT,存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,S71VS256RD0AHK4L0Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
S72XS256RE0AHBH20,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 多芯片封装存储器,VFBGA-133封装,询盘确认库存,S72XS256RE0AHBH20Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
S72XS256RE0AHBH23,Infineon/CYPRESS(赛普拉斯),存储器 > 多芯片封装存储器,FBGA-133封装,询盘确认库存,S72XS256RE0AHBH23Infineon(英飞凌)
S76HS512TC0BHB013,Infineon(英飞凌),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,S76HS512TC0BHB013Infineon(英飞凌)
S78HL512TC0BHB003,Infineon(英飞凌),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,S78HL512TC0BHB003Infineon(英飞凌)
S78HS512TC0BHB013,Infineon(英飞凌),存储器 > 多芯片封装存储器,-封装,询盘确认库存,S78HS512TC0BHB013KIOXIA(铠侠)
THGBMJG8C4LBAU8,KIOXIA(铠侠),存储器 > 多芯片封装存储器,FBGA-153封装,询盘确认库存,THGBMJG8C4LBAU8RENESAS(瑞萨)/IDT
X20C16SI-35,RENESAS(瑞萨)/IDT,存储器 > 多芯片封装存储器,SOIC-28封装,询盘确认库存,X20C16SI-35XTX(芯天下)
XT61M2G8C2TM-B8BEA,XTX(芯天下),存储器 > 多芯片封装存储器,BGA-162封装,询盘确认库存,2Gb (256M x 8) NAND Flash + 1Gb (32M x 32) Low Power DDR2 SDRAM 组合在一个多芯片封装中,适用于便携式电子设备的数据存储,减少尺寸和功耗。BUYER FAQ
当前 存储器 > 多芯片封装存储器 分类收录 39 个公开可查询型号,其中本页优先展示 近期可询型号样本。
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 BGA-162、FBGA-24、-、VFBGA-137、FBGA。
可以。多个型号建议一次提交 BOM,业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。