先定应用与参数
存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
CATEGORY STOCK
存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) 现货库存与型号目录
共 1,669 个可公开查询型号。页面提供给搜索引擎和 AI 搜索读取，实时筛选请进入现货库存。
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本页样本常见品牌：Winbond(华邦)、HYNIX(海力士)、ISSI(美国芯成)、Alliance Memory。
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
W9825G6KH-6
Winbond(华邦)
W9825G6KH-6，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-54-10封装，81,466件现货，W9825G6KH 是一款高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 4M 字 x 4 组 x 16 位。具有自刷新模式和低功耗模式。提供多种突发长度和延迟周期设置，适用于高性能应用。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-54-10
81,466
询盘报价
查看详情 >W9825G6KH-6I
Winbond(华邦)
W9825G6KH-6I，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-封装，73,636件现货，SDRAM,256Mb(32MB,16Mbx16),3.3v工业级-40°C~85°C,166MHz/CL3 or 133MHz/CL2存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-
73,636
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查看详情 >W9812G6KH-6
Winbond(华邦)
W9812G6KH-6，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP54封装，71,532件现货，128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP54
71,532
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H5CG48MEBDX014N
HYNIX(海力士)
H5CG48MEBDX014N，HYNIX(海力士)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，FBGA封装，44,800件现货，H5CG48MEBDX014N存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
FBGA
44,800
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查看详情 >IS42S32400F-6TL
ISSI(美国芯成)
IS42S32400F-6TL，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP86封装，31,080件现货，IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,55存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP86
31,080
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查看详情 >AS4C16M16SA-6TIN
Alliance Memory
AS4C16M16SA-6TIN，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP54封装，23,600件现货，256Mb SDRAM，166MHz，TSOP II封装，工业级工作温度范围 -40°C~85°C，单 +3.3V ±0.3V 供电，支持多种突发长度和突发类型。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP54
23,600
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查看详情 >AS4C16M16SA-7TCN
Alliance Memory
AS4C16M16SA-7TCN，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP54封装，12,880件现货，256Mbit SDRAM存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP54
12,880
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查看详情 >IS42S16800F-7TLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16800F-7TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP54封装，10,468件现货，128-Mbit(16M × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP54
10,468
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查看详情 >NT6CL512T32AM-H1
Nanya(南亚科技)
NT6CL512T32AM-H1，Nanya(南亚科技)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，BGA封装，9,000件现货，特性：基于LPDDR3标准。 低功耗。 8n预取架构，仅支持BL8。 可配置的驱动强度（DS），以实现系统兼容性。 可配置的片上终端（ODT）。 通过外部ZQ引脚进行ZQ校准，确保DS/ODT阻抗精度（2400±1%）存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
BGA
9,000
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查看详情 >W9864G6KH-6I
Winbond(华邦)
W9864G6KH-6I，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-54封装，9,000件现货，W9864G6KH 是一个高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 1M words x 4 banks × 16 bits。W9864G6KH 的数据带宽可达每秒 200M words。对于不同的应用，W9864存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-54
9,000
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查看详情 >IS42S16800F-7BLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16800F-7BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，BGA-54封装，5,520件现货，128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 和 54-ball BGA 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 工业级温度范围 -4存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
BGA-54
5,520
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查看详情 >W9812G6JB-6I
Winbond(华邦)
W9812G6JB-6I，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，BGA封装，5,085件现货，W9812G6JB 是一个高带宽的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为2M x 4 BANKS × 16 BITS。支持166 MHz时钟频率，工作温度范围为-40°C~85°C，供电电压为3.3V±0.3V。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
BGA
5,085
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查看详情 >W9864G6KH-6
Winbond(华邦)
W9864G6KH-6，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-54-封装，3,456件现货，是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-54-
3,456
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查看详情 >CXDB4CBAM-ML-A
CXMT(长鑫)
CXDB4CBAM-ML-A，CXMT(长鑫)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，BGA封装，2,000件现货，CXDB4CBAM-ML-A存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
BGA
2,000
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查看详情 >W9812G6KH-6I
Winbond(华邦)
W9812G6KH-6I，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP54封装，2,000件现货，W9812G6KH 是一个高带宽同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为2M words x 4 banks x 16 bits。提供高达200 Mwords/s的数据带宽，支持多种速度等级，包括-5, -5I, -5J,存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP54
2,000
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查看详情 >IS42S32400F-6BLI
ISSI(美国芯成)
IS42S32400F-6BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，90TFBGA封装，1,100件现货，128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
90TFBGA
1,100
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查看详情 >IS42S32800G-6BLI
ISSI(美国芯成)
IS42S32800G-6BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，BGA-90封装，360件现货，IS42S32800G 是一款 256Mb 的 Synchronous DRAM，支持 200MHz 的时钟频率，3.3V 单电源供电。具有 8M x 32 的组织结构，4 个内部bank，可编程的突发长度和 CAS 延迟。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
BGA-90
360
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查看详情 >AS4C8M16SB-6TIN
Alliance Memory
AS4C8M16SB-6TIN，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-54-10.2mm封装，询盘确认库存，AS4C8M16SB-6TIN存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-54-10.2mm
询盘确认
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查看详情 >IS45S16100H-7BLA1
ISSI(美国芯成)
IS45S16100H-7BLA1，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-60封装，询盘确认库存，IS45S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-60
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查看详情 >AS4C16M16SA-7BCNTR
Alliance Memory
AS4C16M16SA-7BCNTR，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-54封装，询盘确认库存，256Mb SDRAM，内部配置为4个4M x 16位的bank，支持143MHz时钟频率，商业级温度范围0°C至70°C，TFBGA封装。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-54
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查看详情 >AS4C16M16SB-6BINTR
Alliance Memory
AS4C16M16SB-6BINTR，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-54封装，询盘确认库存，AS4C16M16SB 是一款高速 CMOS 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，内部配置为 4 个 4M 字 x 16 位的 DRAM，具有同步接口。支持 166MHz 的快速时钟速率，访问时间低至存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-54
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查看详情 >AS4C32M16SC-7TIN
Alliance Memory
AS4C32M16SC-7TIN，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，AS4C32M16SC-7TIN 是一款512Mbit的同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有快速时钟速率133MHz，支持多种突发读写操作，四bank控制，数据掩码等功能。工作温度范围为-4存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >AS4C8M32S-6TIN
Alliance Memory
AS4C8M32S-6TIN，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-86-10.2mm封装，询盘确认库存，256 Mb SDRAM，具有快速访问时间和时钟速率，适用于高性能PC应用，支持模式寄存器编程。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-86-10.2mm
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查看详情 >AS4C2M32SA-6TIN
Alliance Memory
AS4C2M32SA-6TIN，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFSOP-86-10.2mm封装，询盘确认库存，64Mb SDRAM 是一种高速CMOS同步DRAM，内部配置为四组512K x 32 DRAM，每个512K x 32位的bank组织为2048行 x 256列 x 32位。读写访问以选定位置开始存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFSOP-86-10.2mm
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查看详情 >AS4C16M16SA-6TINTR
Alliance Memory
AS4C16M16SA-6TINTR，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-54-10.2mm封装，询盘确认库存，256Mb SDRAM，内部配置为4个4M x 16位的bank，支持166MHz时钟频率，工业级温度范围-40°C至85°C，TSOP II封装。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-54-10.2mm
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查看详情 >AS4C4M16SA-6TCNTR
Alliance Memory
AS4C4M16SA-6TCNTR，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，64Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为4个1M字x16位的DRAM，具有完全同步操作、内部流水线架构和可编程模式寄存器等功能。适用于需要高带宽和高性能PC应用的场合。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
询盘确认
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查看详情 >AS4C4M16SA-6TINTR
Alliance Memory
AS4C4M16SA-6TINTR，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，64Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为4个1M字x16位的DRAM，具有完全同步操作、内部流水线架构和可编程模式寄存器等功能。适用于需要高带宽和高性能PC应用的场合。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >IS42S16160G-7TL-TR
ISSI(美国芯成)
IS42S16160G-7TL-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-54-10.2mm封装，询盘确认库存，IS42S16160G-7TL-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（143 MHz）。该芯片采用54-Pin TSOP II封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-54-10.2mm
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查看详情 >AS4C16M16SA-6BIN
Alliance Memory
AS4C16M16SA-6BIN，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-54封装，询盘确认库存，256Mb SDRAM，内部配置为4个4M x 16位的bank，支持166MHz时钟频率，工业级温度范围-40°C至85°C，TFBGA封装。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-54
询盘确认
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查看详情 >W9816G6JH-6
Winbond(华邦)
W9816G6JH-6，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-50-10.0mm封装，询盘确认库存，W9816G6JH 是一种高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 512K 字 x 2 bank x 16 位。它提供高达 200M 字/秒的数据带宽。W9816G6JH 符合个人计算机工业标准，分为以下存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-50-10.0mm
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查看详情 >IS42S16160J-6TLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16160J-6TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD和3.3V VDDQ存储系统中运行，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。每个67,10存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >AS4C8M16SA-7TCNTR
Alliance Memory
AS4C8M16SA-7TCNTR，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，128Mb SDRAM，内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列，支持完全同步操作，具有可编程模式寄存器，适用于需要高带宽的应用。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >AS4C4M32SA-6TCN
Alliance Memory
AS4C4M32SA-6TCN，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFSOP-86-10.2mm封装，询盘确认库存，128Mb SDRAM，具有166MHz时钟频率，支持4个内部bank，每个bank为1M x 32位，支持可编程模式，适用于需要高带宽的应用。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFSOP-86-10.2mm
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查看详情 >IS42S16400J-7TLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS42S16400J-7TLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，3.3V SDRAM。 容量：64Mbit（8MB），位宽：16，工业级温度范围：-40 - +85，最高频率：143MHz。动态RAM存储器，支持自刷新存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >IS45S32200L-7BLA2
ISSI(美国芯成)
IS45S32200L-7BLA2，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-90封装，询盘确认库存，IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-90
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查看详情 >W989D2DBJX6ITR
Winbond(华邦)
W989D2DBJX6ITR，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，VFBGA-90封装，询盘确认库存，W989D2DBJX6I TR存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
VFBGA-90
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查看详情 >W989D6DBGX6I
Winbond(华邦)
W989D6DBGX6I，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，VFBGA-54封装，询盘确认库存，低功耗同步内存，包含536,870,912个存储单元，采用高性能工艺技术制造。 设计功耗低于普通SDRAM，具备低功耗特性，适用于电池供电的应用。 有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
VFBGA-54
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查看详情 >IS42S32800J-7BLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS42S32800J-7BLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-90封装，询盘确认库存，256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-90
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查看详情 >NT5CC512M8EN-EK
Nanya(南亚科技)
NT5CC512M8EN-EK，Nanya(南亚科技)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，VFBGA-78封装，询盘确认库存，4Gb双数据速率3（DDR3(L)）DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
VFBGA-78
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查看详情 >IS42S16400J-6BLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16400J-6BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-54封装，询盘确认库存，64Mb SDRAM，1兆位 x 16位 x 4个bank，3.3V供电，支持多种时钟频率，内部4个bank可隐藏行访问/预充电周期，提供无缝高速随机访问操作。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-54
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查看详情 >IS42S16400J-7TLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16400J-7TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为143MHz，单3.3V电源供电，L存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >FLXC2004G-30
FORESEE(江波龙)
FLXC2004G-30，FORESEE(江波龙)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，BGA-200封装，询盘确认库存，FLXC2004G-30存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
BGA-200
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查看详情 >W9812G6IH-6
Winbond(华邦)
W9812G6IH-6，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54封装，询盘确认库存，W9812G6IH-6存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54
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查看详情 >IS42S16160J-6TL
ISSI(美国芯成)
IS42S16160J-6TL，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，IS42S16160J 6TL存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >IS42S16320B-7TLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16320B-7TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，54-TSOP II封装，询盘确认库存，IS42S16320B-7TLI存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
54-TSOP II
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查看详情 >IS42S32400F-6TLI
ISSI(美国芯成)
IS42S32400F-6TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-86-10.2mm封装，询盘确认库存，32位SDRAM,128Mb(16MB,4Mbx32),3.3v工业级-40°C~85°C,同MT48LC4M32B2P-7IT,MT48LC2M32B2P,W9864G2JH,W9812G2GH存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-86-10.2mm
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查看详情 >IS42S16400J-7BLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS42S16400J-7BLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-54封装，询盘确认库存，64 Mb Synchronous DRAM，1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks，支持143 MHz时钟频率，3.3V供电，工业级温度范围。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-54
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查看详情 >AS4C2M32SA-6TINTR
Alliance Memory
AS4C2M32SA-6TINTR，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-86-10.2mm封装，询盘确认库存，64Mb SDRAM 是一种高速CMOS同步DRAM，内部配置为四组512K x 32 DRAM，每个512K x 32位的bank组织为2048行 x 256列 x 32位。读写访问以选定位置开存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-86-10.2mm
询盘确认
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查看详情 >AS4C32M16SB-7TINTR
Alliance Memory
AS4C32M16SB-7TINTR，Alliance Memory，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，512Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为4个8M字x16位的DRAM，具有完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器等功能。适用于需要高内存带宽的应用，特别是高性存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >CXDB6CCBM-MA-A
CXMT(长鑫)
CXDB6CCBM-MA-A，CXMT(长鑫)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，BGA-200封装，询盘确认库存，CXDB6CCBM-MA-A存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
BGA-200
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查看详情 >IS42S16100H-7TL-TR
ISSI(美国芯成)
IS42S16100H-7TL-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-50封装，询盘确认库存，IS42S16100H 是一款16Mb同步动态随机存取存储器，支持双bank操作，具有200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V电源，LVTTL接口，可编程突发长度和序列。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-50
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查看详情 >IS42S16160J-6BLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16160J-6BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-54封装，询盘确认库存，256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-54
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查看详情 >IS42S32800J-6BL
ISSI(美国芯成)
IS42S32800J-6BL，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-90封装，询盘确认库存，256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个67,108,864位的bank组织为4,0存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-90
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查看详情 >IS45S16160J-7CTLA1
ISSI(美国芯成)
IS45S16160J-7CTLA1，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，IS45S16160J 7CTLA1存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >IS42S32800J-7TLI
ISSI(美国芯成)
IS42S32800J-7TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-86-10.2mm封装，询盘确认库存，IS42S32800J-7TLI存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-86-10.2mm
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查看详情 >IS45S16160J-7TLA2
ISSI(美国芯成)
IS45S16160J-7TLA2，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54-10.2mm封装，询盘确认库存，256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54-10.2mm
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查看详情 >IS42S16160G-6TLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16160G-6TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-54-10.2mm封装，询盘确认库存，IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-54-10.2mm
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查看详情 >IS42S16400J-7BLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16400J-7BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TFBGA-54封装，询盘确认库存，IS42S16400J-7BLI存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TFBGA-54
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查看详情 >W9825G6KH-6ITR
Winbond(华邦)
W9825G6KH-6ITR，Winbond(华邦)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOPII-54封装，询盘确认库存，W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)，组织为4M字 × 4个bank × 16位。它支持最高200 MHz的时钟频率，具有多种速度等级，包括-5, -5l, -6, -6l, -6J, -6L存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOPII-54
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查看详情 >IS42S16400J-6TLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS42S16400J-6TLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP-54-10.2mm封装，询盘确认库存，IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP-54-10.2mm
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查看详情 >BUYER FAQ
分类采购常见问题
存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) 分类有多少可查询型号？
当前 存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) 分类收录 1,669 个公开可查询型号，其中本页优先展示 17 个公开现货样本。
筛选 存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) 型号时应关注哪些条件？
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 TSOP-54-10、TSOPII-54-、TSOP54、FBGA、TSOP86。
存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) 可以提交 BOM 批量询价吗？
可以。多个型号建议一次提交 BOM，业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。