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存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
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存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) 现货库存与型号目录
共 569 个可公开查询型号。页面提供给搜索引擎和 AI 搜索读取，实时筛选请进入现货库存。
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本页样本常见品牌：Apmemory、SAMSUNG(三星半导体)、micron(镁光)、HYNIX(海力士)。
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
APS6404L-3SQR-ZR
Apmemory
APS6404L-3SQR-ZR，Apmemory，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，USON-8封装，50,334件现货，APS6404L-3SQR-ZR存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
USON-8
50,334
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APS256XXN-OBR-WA
Apmemory
APS256XXN-OBR-WA，Apmemory，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，WLCSP-24封装，39,396件现货，APS256XXN-OBR-WA存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
WLCSP-24
39,396
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查看详情 >K4B2G1646F-BFMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B2G1646F-BFMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，22,400件现货，K4B2G1646F-BFMA存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
22,400
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查看详情 >K4AAG165WA-BITD
SAMSUNG(三星半导体)
K4AAG165WA-BITD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，18,000件现货，K4AAG165WA-BITD存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
18,000
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查看详情 >K4AAG165WB-MCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4AAG165WB-MCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，17,396件现货，K4AAG165WB-MCTD存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
17,396
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查看详情 >MT40A512M16TB-062E:J
micron(镁光)
MT40A512M16TB-062E:J，micron(镁光)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，14,600件现货，MT40A512M16TB-062E:J存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
14,600
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查看详情 >K4Z80325BC-HC16
SAMSUNG(三星半导体)
K4Z80325BC-HC16，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，12,080件现货，K4Z80325BC-HC16存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
12,080
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查看详情 >K4F6E3S4HM-THCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3S4HM-THCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA封装，12,005件现货，K4F6E3S4HM-THCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA
12,005
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查看详情 >K3KL8L80CM-MGCT
SAMSUNG(三星半导体)
K3KL8L80CM-MGCT，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA-315封装，11,000件现货，K3KL8L80CM-MGCT存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA-315
11,000
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查看详情 >H9HCNNNCPMMLXR-NEE
HYNIX(海力士)
H9HCNNNCPMMLXR-NEE，HYNIX(海力士)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，6,000件现货，H9HCNNNCPMMLXR-NEE存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
6,000
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查看详情 >K4B2G1646F-BMMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B2G1646F-BMMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，6,000件现货，DDR3 SDRAM内存存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
6,000
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查看详情 >H5AN8G6NDJR-XNC
HYNIX(海力士)
H5AN8G6NDJR-XNC，HYNIX(海力士)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，5,413件现货，H5AN8G6NDJR-XNC存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
5,413
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查看详情 >K4F8E3S4HD-GHCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F8E3S4HD-GHCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，4,800件现货，K4F8E3S4HD-GHCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
4,800
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查看详情 >K4F4E3S4HF-GHCJ
SAMSUNG(三星半导体)
K4F4E3S4HF-GHCJ，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，4,000件现货，K4F4E3S4HF-GHCJ存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
4,000
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查看详情 >K4A4G165WE-BCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G165WE-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，3,360件现货，K4A4G165WE-BCTD存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
3,360
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查看详情 >K4E6E304EB-EGCF
SAMSUNG(三星半导体)
K4E6E304EB-EGCF，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，3,360件现货，K4E6E304EB-EGCF存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
3,360
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查看详情 >K4A4G085WF-BCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G085WF-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，2,444件现货，K4A4G085WF-BCTD存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
2,444
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查看详情 >K4ABG085WA-MCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4ABG085WA-MCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，2,300件现货，K4ABG085WA-MCTD存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
2,300
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查看详情 >H5ANAG6NCJR-XNC
HYNIX(海力士)
H5ANAG6NCJR-XNC，HYNIX(海力士)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，1,781件现货，H5ANAG4NCJR-xxC、H5ANAG8NCJR-xxC、H5ANAG6NCJR-xxC 是 16Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
1,781
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查看详情 >K4B4G0846E-BMMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G0846E-BMMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，1,510件现货，K4B4G0846E-BMMA存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
1,510
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查看详情 >K4B2G1646F-BCMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B2G1646F-BCMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA-96封装，1,120件现货，2GB DDR3存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA-96
1,120
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查看详情 >MT47H64M8SH-25EIT:H
micron(镁光)
MT47H64M8SH-25EIT:H，micron(镁光)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA封装，897件现货，MT47H64M8SH-25E IT:H存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA
897
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查看详情 >K4A8G165WB-BIRC
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WB-BIRC，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，670件现货，K4A8G165WB-BIRC存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
670
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查看详情 >K4F6E3D4HB-MFCJ
SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3D4HB-MFCJ，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA封装，657件现货，K4F6E3D4HB-MFCJ存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
657
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查看详情 >K4AAG085WA-BCWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4AAG085WA-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-78封装，询盘确认库存，K4AAG085WA-BCWE存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-78
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查看详情 >K3UH6H60BM-AGCL
SAMSUNG(三星半导体)
K3UH6H60BM-AGCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-556封装，询盘确认库存，K3UH6H60BM-AGCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-556
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查看详情 >K4A4G085WE-BCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G085WE-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-78封装，询盘确认库存，K4A4G085WE-BCTD存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-78
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查看详情 >K4E6E304EB-EGCG
SAMSUNG(三星半导体)
K4E6E304EB-EGCG，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-178封装，询盘确认库存，K4E6E304EB-EGCG存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-178
询盘确认
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查看详情 >K3KL9L90CM-MGCT
SAMSUNG(三星半导体)
K3KL9L90CM-MGCT，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA-315封装，询盘确认库存，K3KL9L90CM-MGCT存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA-315
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查看详情 >K4F8E3S4HD-GFCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F8E3S4HD-GFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F8E3S4HD-GFCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-200
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查看详情 >S27KL0642DPBHB023
Infineon(英飞凌)
S27KL0642DPBHB023，Infineon(英飞凌)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-24封装，询盘确认库存，S27KL0642DPBHB023存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-24
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查看详情 >H5TC4G83EFR-RDA
HYNIX(海力士)
H5TC4G83EFR-RDA，HYNIX(海力士)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，-封装，询盘确认库存，H5TC4G83EFR-RDA存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
-
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查看详情 >S70KS1282GABHI020
Infineon(英飞凌)
S70KS1282GABHI020，Infineon(英飞凌)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA-24封装，询盘确认库存，S70KS1282GABHI020存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA-24
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查看详情 >K4A8G165WC-BITD
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WC-BITD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，询盘确认库存，特性：无存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
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查看详情 >H5GC8H24AJR-R2C
HYNIX(海力士)
H5GC8H24AJR-R2C，HYNIX(海力士)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，-封装，询盘确认库存，H5GC8H24AJR-R2C存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
-
询盘确认
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查看详情 >S80KS2563GABHI020
Infineon(英飞凌)
S80KS2563GABHI020，Infineon(英飞凌)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-24封装，询盘确认库存，256 Mb HYPERRAMTM 是一款高速CMOS自刷新DRAM，支持xSPI (Octal)接口。该设备在1.8V下运行，具有低功耗模式和多种工作温度范围。存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-24
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IS41LV16105D-50TLI
ISSI(美国芯成)
IS41LV16105D-50TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，TSOP-44-10.2mm封装，询盘确认库存，IS41LV16105D是一款1,048,576 x 16-bit高性能CMOS动态随机存取存储器。它支持快速页模式，刷新间隔为1,024个周期/16毫秒，访问时间最短可达20纳秒。适用于高带宽图形、数字信号存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
TSOP-44-10.2mm
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查看详情 >K4A4G165WE-BCWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G165WE-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，询盘确认库存，K4A4G165WE-BCWE存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
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查看详情 >K4A8G085WC-BIWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G085WC-BIWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-78封装，询盘确认库存，特性：78FBGA无铅无卤（符合RoHS标准），工业温度范围存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-78
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查看详情 >K4AAG085WA-BCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4AAG085WA-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-78封装，询盘确认库存，K4AAG085WA-BCTD存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-78
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查看详情 >K4B2G0846F-BYMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B2G0846F-BYMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-78封装，询盘确认库存，K4B2G0846F-BYMA存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-78
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查看详情 >K4A8G085WC-BCWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G085WC-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-78封装，询盘确认库存，K4A8G085WC-BCWE存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-78
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查看详情 >K4A4G165WE-BIWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G165WE-BIWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，询盘确认库存，K4A4G165WE-BIWE存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
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查看详情 >K4F8E3S4HD-MGCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F8E3S4HD-MGCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4F8E3S4HD-MGCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-200
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查看详情 >S80KS5122GABHA020
Infineon(英飞凌)
S80KS5122GABHA020，Infineon(英飞凌)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-24封装，询盘确认库存，512-Mb设备是高速CMOS、自刷新DRAM，带有HYPERBUS接口。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。设备内的刷新控制逻辑在HYPERBUS接口主设备（主机）未主动读写内存时管理DRAM阵列的刷新操作。由于存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-24
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查看详情 >K3LKBKB0BM-MGCP
SAMSUNG(三星半导体)
K3LKBKB0BM-MGCP，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，-封装，询盘确认库存，K3LKBKB0BM-MGCP存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
-
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查看详情 >K4EBE304EC-EGCG
SAMSUNG(三星半导体)
K4EBE304EC-EGCG，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-178封装，询盘确认库存，K4EBE304EC-EGCG存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-178
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查看详情 >K4FBE3D4HM-THCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4FBE3D4HM-THCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4FBE3D4HM-THCL存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-200
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查看详情 >H54G46BYYQX053N
HYNIX(海力士)
H54G46BYYQX053N，HYNIX(海力士)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，-封装，询盘确认库存，H54G46BYYQX053N存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
-
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查看详情 >APS512XXN-OBR-BG
Apmemory
APS512XXN-OBR-BG，Apmemory，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA-24封装，询盘确认库存，APS512XXN-OBR-BG存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA-24
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查看详情 >H54G56CYRBX247
HYNIX(海力士)
H54G56CYRBX247，HYNIX(海力士)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，BGA-200封装，询盘确认库存，H54G56CYRBX247存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA-200
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查看详情 >K4UBE3D4AA-MGCR
SAMSUNG(三星半导体)
K4UBE3D4AA-MGCR，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，K4UBE3D4AA-MGCR存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-200
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查看详情 >4164-15FGS/BZA
Rochester Electronics(罗彻斯特)
4164-15FGS/BZA，Rochester Electronics(罗彻斯特)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，-封装，询盘确认库存，4164-15FGS/BZA存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
-
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查看详情 >APS6404L-3SQN-SN
Apmemory
APS6404L-3SQN-SN，Apmemory，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，SOP-8L封装，询盘确认库存，APS6404L-3SQN-SN存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
SOP-8L
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查看详情 >AS4C4M16SB-7TCN
Alliance Memory
AS4C4M16SB-7TCN，Alliance Memory，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，TSOP-54封装，询盘确认库存，AS4C4M16SB-7TCN存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
TSOP-54
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查看详情 >D1216ECMDXGJDI-U
Kingston(金士顿)
D1216ECMDXGJDI-U，Kingston(金士顿)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，询盘确认库存，Kingston i-Temp DDR3/3L DRAM 是专为嵌入式应用设计的板载 DRAM，提供低电压选项以降低功耗。适用于工业 IoT、机器人和工厂自动化等市场。存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
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查看详情 >GDB4CBQN-ML
GigaDevice(兆易创新)
GDB4CBQN-ML，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-200封装，询盘确认库存，GDB4CBQN-ML存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-200
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查看详情 >H5AG46DXNDX117R
HYNIX(海力士)
H5AG46DXNDX117R，HYNIX(海力士)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，询盘确认库存，H5AG46DXNDX117R存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
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查看详情 >HD63310RP20
RENESAS(瑞萨)/IDT
HD63310RP20，RENESAS(瑞萨)/IDT，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，-封装，询盘确认库存，HD63310RP20存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
-
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查看详情 >IS41LV16100D-50TLI
ISSI(美国芯成)
IS41LV16100D-50TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，TSOP-50-4.4mm封装，询盘确认库存，IS41LV16100D 是一款 1,048,576x 16-bit 高性能 CMOS 动态随机存取存储器。支持 EDO 页面模式，具有自刷新模式和扩展数据输出页面模式。适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
TSOP-50-4.4mm
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查看详情 >BUYER FAQ
分类采购常见问题
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) 分类有多少可查询型号？
当前 存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) 分类收录 569 个公开可查询型号，其中本页优先展示 24 个公开现货样本。
筛选 存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) 型号时应关注哪些条件？
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 USON-8、WLCSP-24、BGA、FBGA-96、FBGA。
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) 可以提交 BOM 批量询价吗？
可以。多个型号建议一次提交 BOM，业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。