先定应用与参数
存储器 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
按品牌缩小范围
本页样本常见品牌：HX(恒佳兴)、Winbond(华邦)、GigaDevice(兆易创新)、FM(复旦微)。
保留替代要求
交期紧张时可在 BOM 备注中写明可替代品牌、封装和参数范围。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
24C02
HX(恒佳兴)
24C02，HX(恒佳兴)，存储器 > EEPROM，23-5封装，2,000,000件现货，24C02是电可擦除PROM，采用256x8-bit的组织架构，具有页写能力，每页为8字节。支持I2C总线传输协议，工作电压范围1.8V~5.5V，擦写寿命100万次，数据保持时间100年。存储器 > EEPROM
23-5
2,000,000
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查看详情 >W25Q128JVSIQ
Winbond(华邦)
W25Q128JVSIQ，Winbond(华邦)，存储器 > NOR FLASH，SOIC-8封装，656,683件现货，128Mbit(16MBx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),比W25Q128FVSIG,W25Q128FVFIG更高速存储器 > NOR FLASH
SOIC-8
656,683
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查看详情 >GD25Q128ESIGR
GigaDevice(兆易创新)
GD25Q128ESIGR，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，566,531件现货，GD25Q128E（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度存储器 > NOR FLASH
SOP-8
566,531
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查看详情 >FM25Q08B-SO-T-G
FM(复旦微)
FM25Q08B-SO-T-G，FM(复旦微)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，481,685件现货，FM25Q08B是一款8M位（1M字节）的串行闪存，具备先进的写保护机制。FM25Q08B支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O以及2时钟指令周期的四路外设接口（QPI）。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码存储器 > NOR FLASH
SOP-8
481,685
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查看详情 >GD25Q32ESIGR
GigaDevice(兆易创新)
GD25Q32ESIGR，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，423,690件现货，支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit存储器 > NOR FLASH
SOP-8
423,690
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查看详情 >GD25Q64ESIGR
GigaDevice(兆易创新)
GD25Q64ESIGR，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，405,193件现货，支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据存储器 > NOR FLASH
SOP-8
405,193
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W25Q64JVSSIQ
Winbond(华邦)
W25Q64JVSSIQ，Winbond(华邦)，存储器 > NOR FLASH，SOIC-8封装，387,248件现货，W25Q64JVSSIQ存储器 > NOR FLASH
SOIC-8
387,248
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查看详情 >BL24C256A-PARC
BL(上海贝岭)
BL24C256A-PARC，BL(上海贝岭)，存储器 > EEPROM，SOP-8L封装，335,000件现货，BL24C256A 是一种256Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件写保护功能，适用于工业和商业应用。存储器 > EEPROM
SOP-8L
335,000
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查看详情 >W25Q32JVSSIQ
Winbond(华邦)
W25Q32JVSSIQ，Winbond(华邦)，存储器 > NOR FLASH，SOIC-8封装，332,529件现货，W25Q32JV（32M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM以及执行代码存储器 > NOR FLASH
SOIC-8
332,529
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查看详情 >IS25LP080D-JNLE-TR
ISSI(美国芯成)
IS25LP080D-JNLE-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，310,000件现货，IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求存储器 > NOR FLASH
SOP-8
310,000
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查看详情 >GD5F1GM7UEYIGR
GigaDevice(兆易创新)
GD5F1GM7UEYIGR，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > NAND FLASH，SOP-8封装，286,000件现货，SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash 基于行业标准的 NAND Flash 内存核心，为嵌入式系统提供了一种超经济高效且高密度的非易失性内存存储解决方案。它是 SPI-NO存储器 > NAND FLASH
SOP-8
286,000
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查看详情 >W632GU6RB-11
Winbond(华邦)
W632GU6RB-11，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，285,120件现货，W632GU6RB-11存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
285,120
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查看详情 >W634GU6RB-11
Winbond(华邦)
W634GU6RB-11，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，275,628件现货，W634GU6RB-11存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
275,628
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查看详情 >MX25L25645GM2I-08G
MXIC(旺宏电子)
MX25L25645GM2I-08G，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，272,386件现货，256-Mbit(256M x 1/128M x 2/64M x 4)，工作电压：3V存储器 > NOR FLASH
SOP-8
272,386
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查看详情 >M24C08-WMN6TP
ST(意法半导体)
M24C08-WMN6TP，ST(意法半导体)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，265,000件现货，8 Kbit串行I2C总线EEPROM存储器 > EEPROM
SOP-8
265,000
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W25Q256JVEIQ
Winbond(华邦)
W25Q256JVEIQ，Winbond(华邦)，存储器 > NOR FLASH，WSON-8封装，230,800件现货，具备双/四SPI接口的3V、256Mbit 串行闪存存储器 > NOR FLASH
WSON-8
230,800
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查看详情 >FM25W256-GTR
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FM25W256-GTR，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOIC-8封装，207,060件现货，FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写），151年的数据保持能力，无延迟写入，非常快的SPI接口（最高2存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOIC-8
207,060
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查看详情 >W25N02KVZEIR
Winbond(华邦)
W25N02KVZEIR，Winbond(华邦)，存储器 > NAND FLASH，WSON-8-EP封装，178,591件现货，W25N02KV是一款2G-bit的SLC QSPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。具有灵活的架构，每个块为128KB，支持高达104MHz的时钟频率，提供多种封装选项，包括8-pad WSO存储器 > NAND FLASH
WSON-8-EP
178,591
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查看详情 >CAT24C128WI-GT3
onsemi(安森美)
CAT24C128WI-GT3，onsemi(安森美)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，175,750件现货，CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。存储器 > EEPROM
SOP-8
175,750
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查看详情 >W25N01KVZEIR
Winbond(华邦)
W25N01KVZEIR，Winbond(华邦)，存储器 > NAND FLASH，WSON8封装，165,963件现货，为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。集成了流行的SPI接口和传统的大容量NAND非易失性存储空间，非常适合将代码映射到RAM。存储器 > NAND FLASH
WSON8
165,963
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查看详情 >GD5F2GM7UEYIGR
GigaDevice(兆易创新)
GD5F2GM7UEYIGR，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > NAND FLASH，SOP-8封装，156,526件现货，SPI（串行外设接口）NAND 闪存基于行业标准的 NAND 闪存存储内核，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性，是 SPI-NOR 闪存和标准并行 NAND 闪存的理想替代方案。\存储器 > NAND FLASH
SOP-8
156,526
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查看详情 >MX25L3233FM2I-08G
MXIC(旺宏电子)
MX25L3233FM2I-08G，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，152,041件现货，3V、32Mbit [x 1/x 2/x 4] CMOS串行多I/O闪存存储器 > NOR FLASH
SOP-8
152,041
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查看详情 >AT24C16C-SSHM-T
JSMSEMI(杰盛微)
AT24C16C-SSHM-T，JSMSEMI(杰盛微)，存储器 > EEPROM，SOIC-8封装，149,210件现货，AT24C16C-SSHM-T是一款2K至16K位的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚可防止误写入，支持部分页面写入，具有高可靠性和增强的ESD/闩锁保护。存储器 > EEPROM
SOIC-8
149,210
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查看详情 >M24512-RMN6TP
ST(意法半导体)
M24512-RMN6TP，ST(意法半导体)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，147,500件现货，512 Kbit串行I2C总线EEPROM存储器 > EEPROM
SOP-8
147,500
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查看详情 >GD25Q16ESIGR
GigaDevice(兆易创新)
GD25Q16ESIGR，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，143,225件现货，GD25Q16E（16M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s存储器 > NOR FLASH
SOP-8
143,225
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查看详情 >W25Q16JVSSIQ
Winbond(华邦)
W25Q16JVSSIQ，Winbond(华邦)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，142,103件现货，（与C82317为同一颗物料，只是编带方式不一样。）3V 16Mbit Serial Flash Memory with dual/quad SPI存储器 > NOR FLASH
SOP-8
142,103
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查看详情 >AT24C02C-SSHM-T
JSMSEMI(杰盛微)
AT24C02C-SSHM-T，JSMSEMI(杰盛微)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，137,762件现货，AT24C02C-SSHM-T是一款2K位串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。存储器 > EEPROM
SOP-8
137,762
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查看详情 >MX35LF2GE4AD-Z4I
MXIC(旺宏电子)
MX35LF2GE4AD-Z4I，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NAND FLASH，WSON-8封装，134,168件现货，MX35LF2GE4AD-Z4I存储器 > NAND FLASH
WSON-8
134,168
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查看详情 >W25N01GVZEIG
Winbond(华邦)
W25N01GVZEIG，Winbond(华邦)，存储器 > NAND FLASH，WSON-8封装，133,334件现货，W25N01GVZEIG存储器 > NAND FLASH
WSON-8
133,334
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查看详情 >MX35LF1GE4AB-Z4I
MXIC(旺宏电子)
MX35LF1GE4AB-Z4I，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NAND FLASH，WSON-8封装，122,983件现货，MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的存储单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处存储器 > NAND FLASH
WSON-8
122,983
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查看详情 >MX30LF2G18AC-TI
MXIC(旺宏电子)
MX30LF2G18AC-TI，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NAND FLASH，TSSOP-48封装，117,325件现货，MX30LF2G18AC是一款2Gb/4Gb SLC NAND Flash存储器，支持4-bit ECC，具有硬件数据保护功能，宽温工作范围，低功耗，适用于嵌入式系统代码和数据存储。存储器 > NAND FLASH
TSSOP-48
117,325
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查看详情 >AT24C02D-SSHM-T
JSMSEMI(杰盛微)
AT24C02D-SSHM-T，JSMSEMI(杰盛微)，存储器 > EEPROM，SOIC-8封装，112,451件现货，AT24C02D-SSHM-T存储器 > EEPROM
SOIC-8
112,451
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查看详情 >PY25Q64HA-SUH-IR
PUYA(普冉)
PY25Q64HA-SUH-IR，PUYA(普冉)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，110,000件现货，PY25Q64HA是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。该设备具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备存储器 > NOR FLASH
SOP-8
110,000
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查看详情 >AT25SF161-SSHD-T
RENESAS(瑞萨)/IDT
AT25SF161-SSHD-T，RENESAS(瑞萨)/IDT，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，109,900件现货，停产 支持双I/O和四I/O，最小工作电压2.5V的16Mbit SPI串行闪存存储器 > NOR FLASH
SOP-8
109,900
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查看详情 >MX25L8006EM1I-12G
MXIC(旺宏电子)
MX25L8006EM1I-12G，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，108,000件现货，8-Mbit( 8 x 1bit/4 x 2bit)，工作电压：2.7V to 3.6V存储器 > NOR FLASH
SOP-8
108,000
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查看详情 >KLM8G1GETF-B041
SAMSUNG(三星半导体)
KLM8G1GETF-B041，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > eMMC，FBGA-153封装，107,982件现货，eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成存储器 > eMMC
FBGA-153
107,982
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查看详情 >MT41K128M16JT-125IT:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-125IT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，106,691件现货，1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
106,691
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查看详情 >MX25L6433FM2I-08G
MXIC(旺宏电子)
MX25L6433FM2I-08G，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，106,335件现货，特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复存储器 > NOR FLASH
SOP-8
106,335
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查看详情 >MX25L25645GM2I-10G
MXIC(旺宏电子)
MX25L25645GM2I-10G，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，106,205件现货，特性：支持串行外设接口。模式0和模式3单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）存储器 > NOR FLASH
SOP-8
106,205
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查看详情 >M24C32-FMH6TG
ST(意法半导体)
M24C32-FMH6TG，ST(意法半导体)，存储器 > EEPROM，UFDFPN-5封装，105,000件现货，32 Kbit串行I2C总线EEPROM存储器 > EEPROM
UFDFPN-5
105,000
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查看详情 >GD25Q32ESIG
GigaDevice(兆易创新)
GD25Q32ESIG，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，104,623件现货，GD25Q32E（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四存储器 > NOR FLASH
SOP-8
104,623
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查看详情 >MT41K256M16TW-107:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，101,209件现货，商业级存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
101,209
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查看详情 >BL24C32F-PARC
BL(上海贝岭)
BL24C32F-PARC，BL(上海贝岭)，存储器 > EEPROM，SOP-8L封装，100,088件现货，BL24C32F提供32768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为4096字节。适用于多种工业和商业应用，低功耗和低压操作至关重要。存储器 > EEPROM
SOP-8L
100,088
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查看详情 >MX25R8035FZUIH1
MXIC(旺宏电子)
MX25R8035FZUIH1，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，USON8封装，100,000件现货，特性：支持串行外设接口。 支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双I/O模式）结构。 每个扇区为4K字节，或每个块为32K/64K字节。 任何块都可以单独擦除。 单电源供电存储器 > NOR FLASH
USON8
100,000
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查看详情 >FT24C02A-KSR-T
FMD(辉芒微)
FT24C02A-KSR-T，FMD(辉芒微)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，99,986件现货，FT24C02A-KxX是一款2K位的串行EEPROM，支持I2C接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。该设备具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256 x 8 (2K)。存储器 > EEPROM
SOP-8
99,986
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查看详情 >FT24C128A-TSR-T
FMD(辉芒微)
FT24C128A-TSR-T，FMD(辉芒微)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，98,986件现货，FT24C128A系列是131,072位的串行电可擦可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低电压和低功耗应用。该设备具有标准的2线双向串行接口，支持部分页面写操作，具有自定时写周期和硬件数据保护功能。工作电压范围为1.7V至5.5V，存储器 > EEPROM
SOP-8
98,986
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查看详情 >FT24C256A-ESR-T
FMD(辉芒微)
FT24C256A-ESR-T，FMD(辉芒微)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，98,986件现货，256K位低功耗串行EEPROM，支持1.8V至5.5V工作电压，最大待机电流小于1uA，64字节页写模式，自定时写周期（最大5ms），1MHz（2.5V-5V）和400kHz（1.8V）兼容，硬件数据保护，高可靠性（1,000,000次写周期寿命存储器 > EEPROM
SOP-8
98,986
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查看详情 >FT24C64A-TSR-T
FMD(辉芒微)
FT24C64A-TSR-T，FMD(辉芒微)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，98,986件现货，FT24C64A是一款64K位（8位宽）的两线串行EEPROM。该器件采用先进的CMOS工艺制造，适用于低电压和低功耗应用。支持32字节页写模式，部分页写操作允许。具有标准2线双向串行接口，内置Schmitt触发器和噪声保护输入。自定时写周期（最大5存储器 > EEPROM
SOP-8
98,986
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查看详情 >MB85RS16PNF-G-JNERE1
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
MB85RS16PNF-G-JNERE1，RAMXEED/FUJITSU(富士通)，存储器 > 铁电存储器(FRAM)，SOP-8封装，96,329件现货，16-Kbit(2K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V存储器 > 铁电存储器(FRAM)
SOP-8
96,329
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查看详情 >MT41K256M16TW-107IT:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107IT:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，92,014件现货，DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
92,014
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查看详情 >K4B4G1646E-BCNB
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BCNB，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，90,590件现货，K4B4G1646E-BCNB存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
90,590
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查看详情 >GD25Q80CSIG
GigaDevice(兆易创新)
GD25Q80CSIG，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，90,000件现货，8M-bit SPI FLASH ,支持2线Dual、4线Quad SPI接口存储器 > NOR FLASH
SOP-8
90,000
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查看详情 >MX25U3232FM2Q02
MXIC(旺宏电子)
MX25U3232FM2Q02，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，90,000件现货，特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。 单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。 33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位（双I/O模式）结构或8,388,608 x 4位（四I/O模式）结构存储器 > NOR FLASH
SOP-8
90,000
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查看详情 >HT24LC02
HOLTEK(合泰/盛群)
HT24LC02，HOLTEK(合泰/盛群)，存储器 > EEPROM，SOP封装，88,000件现货，HT24LC02是一款采用CMOS浮栅工艺的2K位串行读写非易失性存储器件。其2048位的存储器被组织成256个字，每个字为8位。该器件针对众多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化存储器 > EEPROM
SOP
88,000
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查看详情 >W25Q80DVSSIG
Winbond(华邦)
W25Q80DVSSIG，Winbond(华邦)，存储器 > NOR FLASH，SOIC-8封装，87,513件现货，串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该设备采用2.7V至3.6V单电源供电，掉电存储器 > NOR FLASH
SOIC-8
87,513
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查看详情 >MX25L1606EM2I-12G
MXIC(旺宏电子)
MX25L1606EM2I-12G，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，86,956件现货，16-Mbit(16M x 1bit/8M x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V存储器 > NOR FLASH
SOP-8
86,956
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查看详情 >W25Q512JVEIQ
Winbond(华邦)
W25Q512JVEIQ，Winbond(华邦)，存储器 > NOR FLASH，WSON-8-EP封装，86,000件现货，串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。存储器 > NOR FLASH
WSON-8-EP
86,000
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查看详情 >APS1604M-SQR-ZR
Apmemory
APS1604M-SQR-ZR，Apmemory，存储器 > PSRAM(伪静态)，USON-8封装，85,000件现货，该伪静态随机存取存储器（Pseudo-SRAM）设备具有高速、低引脚数接口。它有4个I/O引脚，以SPI（串行外设接口）或QP（四路外设接口）模式运行，频率高达144 MHz。内存的数据输入（A/DQ）依靠时钟（CLK）来锁存所有指令、地存储器 > PSRAM(伪静态)
USON-8
85,000
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查看详情 >MX25L25645GZ2I-08G
MXIC(旺宏电子)
MX25L25645GZ2I-08G，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，WSON8封装，84,000件现货，特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）存储器 > NOR FLASH
WSON8
84,000
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查看详情 >MX25L512EZUI-10G
MXIC(旺宏电子)
MX25L512EZUI-10G，MXIC(旺宏电子)，存储器 > NOR FLASH，USON8封装，84,000件现货，特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。 具有524,288 x 1位结构或262,144 x 2位（双输出模式）结构。 有16个相等的扇区，每个扇区4K字节。 任何扇区都可以单独擦除。 单电源操作。 读取、擦除和编程操作电压为2.7至存储器 > NOR FLASH
USON8
84,000
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查看详情 >BUYER FAQ
分类采购常见问题
存储器 分类有多少可查询型号？
当前 存储器 分类收录 23,255 个公开可查询型号，其中本页优先展示 60 个公开现货样本。
筛选 存储器 型号时应关注哪些条件？
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 23-5、SOIC-8、SOP-8、SOP-8L、FBGA-96。
存储器 可以提交 BOM 批量询价吗？
可以。多个型号建议一次提交 BOM，业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。