先定应用与参数
光耦 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
光耦 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
本页样本常见品牌:NQUNXIN(群芯微电子)、EVERLIGHT(亿光)、LITEON(光宝)、奥特/硅耐/中性。
交期紧张时可在 BOM 备注中写明可替代品牌、封装和参数范围。
NQUNXIN(群芯微电子)
QX3053-CUH-DE,NQUNXIN(群芯微电子),光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,800,000件现货,DIP6封装非过零可控硅光耦,5000V隔离电压,VDRM:600V IFT:5mAEVERLIGHT(亿光)
EL3H7(B)(TA)-G,EVERLIGHT(亿光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,697,152件现货,由红外发光二极管组成,光耦合到用绿色化合物封装的光电晶体管探测器。采用4引脚小外形SIMD封装。EVERLIGHT(亿光)
EL3H7(C)(TA)-G,EVERLIGHT(亿光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,650,000件现货,EL3H7-G 系列器件由一个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器组成,二者通过光学方式耦合,并采用绿色化合物封装。它们采用 4 引脚小外形贴片(SMD)封装。LITEON(光宝)
LTV-817S-TA1-C,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,480,007件现货,LTV817C 贴片光耦 光电耦合EVERLIGHT(亿光)
EL357N(C)(TA)-G,EVERLIGHT(亿光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,467,550件现货,包含一个红外发光二极管,光耦合到光电晶体管探测器。器件采用4引脚小外形贴片封装。奥特/硅耐/中性
PC817B,奥特/硅耐/中性,光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,450,000件现货,PC817包含一个发光二极管和一个光电晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚DIP封装。输入 - 输出隔离电压为5000Vrms,响应时间tr通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%EVERLIGHT(亿光)
EL357N(B)(TA)-G,EVERLIGHT(亿光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,437,550件现货,包含一个红外发光二极管,光耦合到光电晶体管探测器。器件采用4引脚小外形贴片封装。LITEON(光宝)
MOC3063S-TA1,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,SOP-6封装,428,553件现货,过零触发光耦LITEON
LTV-356T-B,LITEON,光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,420,000件现货,特性:电流传输比(CTR):最小值为 50%(IF = 5mA,VCE = 5V)。 高输入输出隔离电压(Viso = 3750Vrms)。 高集电极发射极电压(VCEO = 80V)。应用:需要高密度安装的混合基板TOSHIBA(东芝)
TLP290(GB-TP,SE,TOSHIBA(东芝),光耦 > 晶体管输出光耦,sop封装,412,500件现货,TLP290由光电晶体管组成,该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合,可通过交流输入电流直接工作。由于TLP290保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压(3750Vrms),因此适用于高密度表面贴LITEON(光宝)
MOC3021S-TA1,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,SOP-6封装,400,000件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用:AC电机驱动器。AC电机启LITEON(光宝)
LTV-817-B,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,DIP-4封装,382,019件现货,特性:电流传输比(CTR):最小值为50%(IF = 5mA,VCE = 5V时)。 高输入输出隔离电压:Viso = 5,000Vrms。 响应时间(tr):典型值为4μs(VCE = 2V,IC = 2mA,RL = 100Ω时)。 双列直插式封装:LITEON(光宝)
LTV-356T-D,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,381,000件现货,特性:电流传输比(CTR):在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。 高输入输出隔离电压(Viso = 3,750Vrms)。 高集电极发射极电压(VCEO = 80V)。应用:需要高密度安装的混合基板LITEON(光宝)
LTV-217-B-G,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SSOP-4封装,373,494件现货,特性:电流传输比(CTR:IF = 5mA,VCE = 5V时最小50%)。 输入输出间隔离电压(Viso = 3.75 KVrms)。 采用双传输模技术。 安全认证:UL、cUL、CSA、FIMKO、VDE(需要“V”订购选项)。 符合RoHS标EVERLIGHT(亿光)
EL1018(TA)-VG,EVERLIGHT(亿光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,360,000件现货,DC 5kVEVERLIGHT(亿光)
EL1019(TA)-VG,EVERLIGHT(亿光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,360,000件现货,EL1019LITEON(光宝)
LTV-817S-TA1-B,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,337,668件现货,LTV817B 贴片光耦 光电耦合ISOCOM(英国安数光)
IS181GB,ISOCOM(英国安数光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,331,075件现货,IS181是一款光耦合隔离器,由一个红外发光二极管和一个NPN硅光电晶体管组成,采用节省空间的双列直插式塑料封装。SHARP(夏普)
PC817X3NSZ9F,SHARP(夏普),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,296,000件现货,PC817C 新版 管装LITEON(光宝)
LTV-357T-C,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,294,846件现货,LTV357C 贴片光耦 SOP-4LITEON(光宝)
LTV-217-TP1-B-G,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,270,000件现货,特性:电流传输比(CTR):最小值为50%(IF = 5mA,VCE = 5V时)。 高输入-输出隔离电压(Viso = 3750Vrms)。 采用双传输模技术。 安全认证:UL1577、VDE DIN EN60747-5-5(VDE 088LITEON
MOC3021,LITEON,光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,249,600件现货,特性:输入输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。应用:交流电机驱动器Broadcom(博通)
ACPL-W314-500E,Broadcom(博通),光耦 > 栅极驱动光耦,SOP封装,246,600件现货,由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率ITOSHIBA(东芝)
TLP187(TPL,E,TOSHIBA(东芝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP封装,243,000件现货,TLP187是一款光耦合器,由一个与达林顿晶体管进行光耦合的铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管组成。它采用SO6封装,具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压,TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用场景TOSHIBA(东芝)
TLP350(TP1,F),TOSHIBA(东芝),光耦 > 栅极驱动光耦,SOP-8-254封装,239,439件现货,是一款采用DIP8封装的光电耦合器,由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽,能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可EVERLIGHT(亿光)
EL3H4(A)(TA)-G,EVERLIGHT(亿光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOIC-4-175封装,218,120件现货,AC,DC输入 隔离电压(rms):3750VLITEON(光宝)
LTV-217-TP1-C-G,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,210,000件现货,特性:电流传输比(CTR):最小值为50%,条件为IF = 5mA,VCE = 5V。高输入输出隔离电压(Viso = 3,750Vrms)。采用双传输模塑技术。安全认证:UL1577、VDE DIN EN60747-5-5(VDE 0884Broadcom(博通)
HCPL-0600-500E,Broadcom(博通),光耦 > 逻辑输出光耦,SOP-8封装,202,991件现货,是光耦合门,结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在Vcm = 1000V时可保证高达15,000V/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实ISOCOM(英国安数光)
TLP521-1XGB,ISOCOM(英国安数光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,201,800件现货,由红外发光二极管和 NPN 硅光电晶体管组成,采用节省空间的双列直插式塑料封装。EVERLIGHT(亿光)
EL3H7(A)(TA)-G,EVERLIGHT(亿光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOIC-4-175封装,201,222件现货,器件由红外发光二极管组成,光耦合到用绿色化合物封装的光电晶体管探测器。它们采用4引脚小外形SIMD封装。LITEON(光宝)
LTV-817S-TA1-D,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,200,000件现货,特性:电流传输比(CTR):最小值为50%(IF = 5mA,VCE = 5V)。 高输入输出隔离电压:Viso = 5000Vrms。 响应时间:典型值为4μs(VCE = 2V,IC = 2mA,RL = 100Ω)。 双列直插式封装:LTTOSHIBA(东芝)
TLP250H(F),TOSHIBA(东芝),光耦 > 逻辑输出光耦,DIP-8封装,184,600件现货,TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器,由一个 GaAℓAs 红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层,可保证 ±40SHARP(夏普)
PC817X3CSP9F,SHARP(夏普),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,182,000件现货,应用:OA设备、视听设备。家用电器。电信设备(终端)。测量设备。加工机械。计算机EVERLIGHT(亿光)
ELQ3H4(TA)-G,EVERLIGHT(亿光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-16封装,180,000件现货,G表示无卤LITEON(光宝)
LTV-816S-TA1-B,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,177,128件现货,特性:电流传输比(CTR):在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。 高输入输出隔离电压:Viso = 5000Vrms。 响应时间:典型值在VCE = 2V、IC = 2mA、RL = 100Ω时为4μs。应用:要求高密度安装的混合基LITEON(光宝)
LTV-814S-TA1-A,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,170,000件现货,AC交流双向光耦,过零检测,交流回路检测LITEON(光宝)
MOC3023S-TA1,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,SOP-6封装,169,683件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用:AC电机驱动器。AC电机启LITEON(光宝)
LTV-247,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-16封装,160,000件现货,特性:电流传输比(CTR):最小值为50%(IF = 5mA,VCE = 5V)。 高输入输出隔离电压(Viso = 3750Vrms)。 采用双传输模塑技术。应用:需要高密度安装的混合基板LITEON(光宝)
LTV-1008-TP1-G,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,158,845件现货,特性:电流传输比(CTR:在 Ic = 5nA,VCE = 5V,Ta = 29°C 时为 90%)。 高输入-输出隔离电压(Viso = 5,000Vrms)。 高集电极-发射极电压(VCEO = 70V)。应用:需要高密度安装的混合基板ISOCOM(英国安数光)
IS281-4,ISOCOM(英国安数光),光耦 > 晶体管输出光耦,SSOP-16封装,152,047件现货,特性:电流传输比(CTR:在IF = 5mA,VCE = 5V时,最小值为50%)。 输入和输出之间的隔离电压(Viso = 3KVrms)。 紧凑的双列直插式封装,4通道类型。 采用双传输模塑技术。 符合ROHS标准。 无卤LITEON
LTV-357T-B,LITEON,光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,150,000件现货,LTV 357T B 贴片光耦 SOP-4LITEON(光宝)
LTV-063L,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-8封装,145,769件现货,该系列由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出侧之间提供了出色的交流和直流隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。使能功能允许对光探测器进行选通。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度。在3.3V时,保证的共模瞬态抗LITEON(光宝)
LTV-817-C,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,DIP-4封装,143,634件现货,LTV817C 直插光耦 光电耦合LITEON(光宝)
LTV-817S-TA1-A,LITEON(光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,133,045件现货,特性:电流传输比(CTR):最小值为50%(IF = 5mA,VCE = 5V)。 高输入输出隔离电压:Viso = 5000Vrms。 响应时间:典型值为4μs(VCE = 2V,IC = 2mA,RL = 100Ω)。 双列直插式封装:LTBroadcom(博通)
ACPL-P480-500E,Broadcom(博通),光耦 > 逻辑输出光耦,SOIC-6封装,131,876件现货,高速光耦合器包含 GaAsP 发光二极管和内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化,通过减少开关死区时间提高逆变器效率。CT MICRO
CT1018(V)(T1)-W,CT MICRO,光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,131,500件现货,CT1010-W、CT1011-W、CT1012-W、CT1013-W、CT1014-W、CT1015-W、CT1016-W、CT1017-W、CT1018-W、CT1019-W 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用 4 引SHARP(夏普)
PC817X2NSZ9F,SHARP(夏普),光耦 > 晶体管输出光耦,DIP-4封装,131,000件现货,应用:OA设备。视听设备。家用电器。电信设备(终端)。测量设备。加工机械。计算机奥特/硅耐/中性
PC817C,奥特/硅耐/中性,光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,130,000件现货,PC817包含一个发光二极管和一个光电晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚DIP封装。输入 - 输出隔离电压为5000Vrms,响应时间tr通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%ISOCOM(英国安数光)
IS281GB,ISOCOM(英国安数光),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,126,886件现货,IS281 是一款光耦合隔离器,由红外发光二极管和 NPN 硅光电晶体管组成。它属于 Isocom 公司紧凑型光耦合器系列产品。LITEON(光宝)
MOC3022,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,124,800件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用:AC电机驱动器。AC电机启动器LITEON(光宝)
MOC3023,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,124,800件现货,特性:6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高输入-输出隔离电压Viso = 5000Vrms。 高重复峰值关态电压VDRM:最小400V。 高关态电压临界上升率dV/dt:最小1000V/μs。 双列直插式封装。 宽引脚间距封装。应用:电机控制LITEON(光宝)
MOC3052,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,124,800件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM:最小600V。 高关态电压临界上升率 (dV/dt:最小1000V/μs)。应用:AC电机驱动器。 AC电机启动器LITEON
MOC3063,LITEON,光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,124,800件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP过零光耦可控硅驱动器输出。 高重复峰值断态电压VDRM:最小600V。应用:交流电机驱动器LITEON(光宝)
MOC3052S-TA1,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,SOP-6封装,122,318件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM:最小600V。 高关态电压临界上升率 (dV/dt:最小1000V/μs)。应用:AC电机驱动器。 AC电Cosmo(冠西)
KMOC3063,Cosmo(冠西),光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-5封装,120,000件现货,由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成,可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于与可控硅配合使用,应用于由115/240 VAC线路供电的设备的逻辑系统接口,如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。LITEON(台湾光宝)
LTV-356T-C,LITEON(台湾光宝),光耦 > 晶体管输出光耦,SOP-4封装,118,845件现货,LTV-356T是一款小尺寸贴片式光电耦合器件,适用于表面贴装生产。LTV-356T是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装(DIP)更小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程逻辑控制器ISOCOM(英国安数光)
IS2801-4,ISOCOM(英国安数光),光耦 > 晶体管输出光耦,SSOP-16封装,118,155件现货,IS2801 - 4是一款四通道光耦合隔离器,每个通道由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的NPN硅光电晶体管组成。该器件属于Isocom紧凑型光耦合器系列。Broadcom(博通)
ACPL-W341-500E,Broadcom(博通),光耦 > 栅极驱动光耦,SOP-6封装,117,701件现货,包含一个AlGaAs LED,它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常TOSHIBA(东芝)
TLP352(TP1,F),TOSHIBA(东芝),光耦 > 逻辑输出光耦,SOP-8封装,117,000件现货,TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器,由一个 GaAℓAs 红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽ON/FSC
MOC3021M,ON/FSC,光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,114,000件现货,MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻BUYER FAQ
当前 光耦 分类收录 16,621 个公开可查询型号,其中本页优先展示 60 个公开现货样本。
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 DIP-6、SOP-4、SOP-6、sop、DIP-4。
可以。多个型号建议一次提交 BOM,业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。