先定应用与参数
二极管 > 整流桥 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
二极管 > 整流桥 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
本页样本常见品牌:Microchip(美国微芯)、LITEON、onsemi(安森美)、Vishay(威世)。
交期紧张时可在 BOM 备注中写明可替代品牌、封装和参数范围。
Microchip(美国微芯)
PD70224ILQ-TR,Microchip(美国微芯),二极管 > 整流桥,VQFN-40封装,32,790件现货,是双封装的基于MOSFET的全桥整流器。它包含低RDS 0.16 Ω的N沟道MOSFET,可实现更高的整体效率和更高的输出功率,特别是在以太网供电 (PoE) 应用的受电设备中使用时。用于驱动MOSFET的整个驱动电路都集成在芯片上,包括用LITEON
KBP206G,LITEON,二极管 > 整流桥,KBP封装,11,200件现货,特性:额定值达1000V PRV。 适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,可靠且成本低。 塑料材料具有UL 94V-0阻燃等级onsemi(安森美)
MDB8S,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,SSOP-4封装,10,000件现货,单相桥式整流器Vishay(威世)
PB3508-E3/45,Vishay(威世),二极管 > 整流桥,SIP-4封装,4,800件现货,PB3508-E3/45Vishay(威世)
GBUE2560-M3/P,Vishay(威世),二极管 > 整流桥,GBU-4封装,2,400件现货,特性:UL认证文件编号E312394。 氧化物平面芯片结。 低正向压降。 理想的印刷电路板应用。 高浪涌电流能力。 高外壳介电强度1500VRMS。应用:开关电源的AC/DC桥式全波整流。 家用应用Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
MBS2,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 > 整流桥,二极管 > 整流桥封装,2,279件现货,MBS2Vishay(威世)
GSIB2580-E3/45,Vishay(威世),二极管 > 整流桥,GSIB-5S封装,1,200件现货,特性:薄型单列直插式封装。 玻璃钝化芯片结。 高浪涌电流能力。 高外壳介电强度:2500 VRMS。特性: 薄型单列直插式封装。 玻璃钝化芯片结。 高浪涌电流能力。应用:开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的交流/直流桥式全波整流通用用途Vishay(威世)
PB3510-E3/45,Vishay(威世),二极管 > 整流桥,SIP-4封装,1,200件现货,特性:UL认证文件编号E312394 (QQQX2) UL 1557。 增强型高电流密度单直插式封装。 卓越的热导率。 按照JESD 22-B106标准,最大浸焊温度275℃,时间10s。应用:开关电源、家用电器和白色家电应用中的AC/DC桥式全波整流通用用Vishay(威世)
PB5010-E3/45,Vishay(威世),二极管 > 整流桥,SIP-4封装,652件现货,特性:UL认证文件编号E312394 (QQQX2) UL 1557。 增强型高电流密度单直插式封装。 卓越的热导率。 按照JESD 22-B106标准,最高275℃浸焊10s。应用:开关电源、家用电器和白色家电应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途onsemi(安森美)
GBPC3506W,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,zip-4封装,99件现货,GBPC3506W-A1-0000DIODES(美台)
ABS20T1M,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,SMD-4P封装,询盘确认库存,ABS20T1MDIODES(美台)
ABS10TM,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,SMD-4P封装,询盘确认库存,ABS10TMDIODES(美台)
MSB30TM,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,MSBL封装,询盘确认库存,MSB30TMDIODES(美台)
ABS20TM,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,SMD-4P封装,询盘确认库存,ABS20TMMDD(辰达半导体)
MB6S-46MIL,MDD(辰达半导体),二极管 > 整流桥,MBS封装,询盘确认库存,0.8A,晶圆46mil(非标准版)DIODES(美台)
GBP408_HF,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,GBP封装,询盘确认库存,特性:玻璃钝化芯片结构。 额定电压达1000V PRV。 适用于印刷电路板。 采用模制塑料,结构可靠。 UL认证文件编号E94661。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件DIODES(美台)
TT4TM,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,TTL封装,询盘确认库存,TT4TMMDD(辰达半导体)
MB10S-50MIL,MDD(辰达半导体),二极管 > 整流桥,MBS封装,询盘确认库存,普通一般通用贴片整流器GPP工艺DIODES(美台)
DF1502S-T,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,SMD-4P封装,询盘确认库存,耐压:200V 电流:1.5ADIODES(美台)
KBP4T10,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,KBP封装,询盘确认库存,KBP4T10GOODWORK(固得沃克)
MB10F-GKA,GOODWORK(固得沃克),二极管 > 整流桥,MBF封装,询盘确认库存,芯片50mil,1ADIODES(美台)
DF15005S-T,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,DF-S封装,询盘确认库存,DF15005S-TDIODES(美台)
TT8M-T,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,-封装,询盘确认库存,TT8M-TDIODES(美台)
KBP204G,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,KBP封装,询盘确认库存,特性:玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度:1500 VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值:65A 峰值。 适用于印刷电路板应用。 UL 认证,文件编号 E94661。 无铅表面处理,符合 RoHS 标准onsemi(安森美)
FDMQ8205,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,MLP封装,询盘确认库存,FDMQ8205 是用于桥式应用的 GreenBridgeTM2 系列四 MOSFET,因此输入对器件所连接电源的极性不敏感。很多知名桥式整流电路均可使用传统二极管进行配置。传统二极管桥的功率损耗相对较高,在很多应用中都不希望发生这种情况。尤其对于要求高效桥接的以太网电源DIODES(美台)
TT10M-13,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,TTL封装,询盘确认库存,TT10M-13DIODES(美台)
TT10M_HF,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,TTL封装,询盘确认库存,TT10M_HFDIODES(美台)
TT4V10,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,TT封装,询盘确认库存,TT4V10DIODES(美台)
TT6M,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,TTL封装,询盘确认库存,TT6MMDD(辰达半导体)
MB6S-50MIL,MDD(辰达半导体),二极管 > 整流桥,MBS封装,询盘确认库存,普通一般通用贴片整流器GPP工艺DIODES(美台)
KBP202G,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,KBP封装,询盘确认库存,KBP202GDIODES(美台)
KBP08G,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,KBP封装,询盘确认库存,KBP08GDIODES(美台)
KBP304G,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,KBP封装,询盘确认库存,KBP304GDIODES(美台)
GBP808N,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,GBP封装,询盘确认库存,GBP808NDIODES(美台)
GBU10V06-TU,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,GBU封装,询盘确认库存,GBU10V06-TUDIODES(美台)
GBU10V08-TU,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,GBU封装,询盘确认库存,GBU10V08-TUonsemi(安森美)
MDB10S,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,SMD-4P封装,询盘确认库存,1A、1000V MicroDIP封装,单相桥式整流器onsemi(安森美)
DF08S1,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,SMD-4P封装,询盘确认库存,随着对提高电源效率、浪涌电流额定值、可靠性和减小尺寸的迫切需求,DFxS1 系列产品将性能和成本节约提高到一个新标准。DIODES(美台)
GBU2510_HF,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,-封装,询盘确认库存,GBU2510_HFbaocheng(宝乘)
RBS210,baocheng(宝乘),二极管 > 整流桥,ABS封装,询盘确认库存,特征和功能:高浪涌电流能力、低漏电流、环保 \n应用:消费电子、工业电源、家用电子、LED照明等MDD(辰达半导体)
MB10F-50MIL,MDD(辰达半导体),二极管 > 整流桥,MBF封装,询盘确认库存,普通一般通用贴片整流器GPP工艺DIODES(美台)
KBJ601G,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,SIP-4封装,询盘确认库存,KBJ601Gonsemi(安森美)
NSR2030QMUTWG,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,UDFN-4封装,询盘确认库存,这些全桥肖特基势垒二极管专为无线充电的高速信号整流而设计。具有非常低的正向电压,可降低传导损耗。采用3.5×3.5×0.5mm的UDFN封装,非常适合空间受限的无线应用。DIODES(美台)
KBJ2008G-TU,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,SIP-4封装,询盘确认库存,KBJ2008G-TUonsemi(安森美)
DFB2010,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,TS-6P 4L封装,询盘确认库存,玻璃钝化桥式整流器onsemi(安森美)
DFB20100,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,TS-6P封装,询盘确认库存,玻璃钝化桥式整流器onsemi(安森美)
DFB2020,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,TS-6P 4L封装,询盘确认库存,玻璃钝化桥式整流器onsemi(安森美)
DFB2040,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,TS-6P 4L封装,询盘确认库存,玻璃钝化桥式整流器onsemi(安森美)
DFB2505,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,TS-6P 4L封装,询盘确认库存,玻璃钝化桥式整流器onsemi(安森美)
DFB2520,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,TS-6P 4L封装,询盘确认库存,玻璃钝化桥式整流器onsemi(安森美)
DFB2580,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,TS-6P 4L封装,询盘确认库存,DFB2580DIODES(美台)
GBJ608-F,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,GBJ封装,询盘确认库存,GBJ608-FDIODES(美台)
TT6JL-13,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,TT封装,询盘确认库存,TT6JL-13DIODES(美台)
GBJ6005-F,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,GBJ封装,询盘确认库存,耐压:50V 电流:6APANJIT(强茂)
ABS210_R2_000A1,PANJIT(强茂),二极管 > 整流桥,ABS封装,询盘确认库存,桥堆DIODES(美台)
GBJ1006-F,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,GBJ封装,询盘确认库存,特性:玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度:1500VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值达170A峰值。 适用于印刷电路板应用。 UL认证,文件编号E94661。 无铅涂层/符合RoHS标准DIODES(美台)
GBJ601-F,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,GBJ封装,询盘确认库存,GBJ601-FDIODES(美台)
GBJ2004-F,DIODES(美台),二极管 > 整流桥,GBJ封装,询盘确认库存,GBJ2004-Fonsemi(安森美)
GBU4A,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,GBU封装,询盘确认库存,GBU4Aonsemi(安森美)
GBU4G,onsemi(安森美),二极管 > 整流桥,GBU-4封装,询盘确认库存,GBU4GBUYER FAQ
当前 二极管 > 整流桥 分类收录 4,894 个公开可查询型号,其中本页优先展示 10 个公开现货样本。
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 VQFN-40、KBP、SSOP-4、SIP-4、GBU-4。
可以。多个型号建议一次提交 BOM,业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。