二极管 &gt; 变容二极管 现货库存与型号目录

SMV1763-079LF，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，3,000件现货，SMV1763-079LF

库存3,000

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SMV1763-079LF

SKYWORKS

分类二极管 > 变容二极管

1SV314(TPL3,F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SC-79封装，询盘确认库存，1SV314(TPL3,F)

库存3,000

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1SV314(TPL3,F)

TOSHIBA(东芝)

1SV325(TPH3,F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，1SV325(TPH3,F)

1SV325(TPH3,F)

TOSHIBA(东芝)

1SV282(TPH3,F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，用于有线电视调谐，高电容比：C₂V/C₂₅V = 12.5（典型值），低串联电阻：rs = 0.6Ω（典型值），具有出色的C-V特性和小跟踪误差，适用于小型调谐器。

1SV282(TPH3,F)

TOSHIBA(东芝)

MPV2100-206/TR，Microchip(美国微芯)，二极管 > 变容二极管，0402封装，询盘确认库存，MPV2100-206/TR

MPV2100-206/TR

Microchip(美国微芯)

1SV324TPH3F，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SC-76封装，询盘确认库存，特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

1SV324TPH3F

TOSHIBA(东芝)

HVC359TRF-E，RENESAS(瑞萨)/IDT，二极管 > 变容二极管，-封装，询盘确认库存，HVC359TRF-E

HVC359TRF-E

RENESAS(瑞萨)/IDT

BBY5702VH6327XTSA1

Infineon(英飞凌)

BBY5702VH6327XTSA1，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SC-79-2封装，询盘确认库存，BBY5702VH6327XTSA1

1SV281(TPH3,F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，适用于小型调谐器

1SV281(TPH3,F)

TOSHIBA(东芝)

1SV323,H3F，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

1SV323,H3F

TOSHIBA(东芝)

BB133，SHIKUES(时科)，二极管 > 变容二极管，SOD-323封装，询盘确认库存，可变电容二极管采用平面技术制造，并封装在SOD323超小型塑料SMD封装中。通过滑动匹配和直接匹配组装程序实现了出色的匹配性能。

BB133

SHIKUES(时科)

1SV305(TPH3,F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：小封装。高电容比：C₁V / C₄V = 3.0（典型值）。低串联电阻：rₛ = 0.27Ω（典型值）

1SV305(TPH3,F)

TOSHIBA(东芝)

BB910，SHIKUES(时科)，二极管 > 变容二极管，SOD-323封装，询盘确认库存，特性：优秀的线性度。电容比：C(0.5V)/C(5.0V) = 3.25（典型值）。低串联电阻：rs ≤ 0.8Ω。封装：SOD-323。应用：FM收音机中的频率调制。通信设备中的FM和AFC

BB910

SHIKUES(时科)

BBY53-03WE6327，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SOD-323封装，询盘确认库存，6V 470mΩ 电容比2.2

BBY53-03WE6327

Infineon(英飞凌)

1SV323(TPH3,F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SC-79封装，询盘确认库存，特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

1SV323(TPH3,F)

TOSHIBA(东芝)

1SV325H3F，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

1SV325H3F

TOSHIBA(东芝)

HVC376BTRF-E，RENESAS(瑞萨)/IDT，二极管 > 变容二极管，-封装，询盘确认库存，HVC376BTRF-E

HVC376BTRF-E

RENESAS(瑞萨)/IDT

BB85702VH7902XTSA1

Infineon(英飞凌)

BB85702VH7902XTSA1，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SC-79-2封装，询盘确认库存，用于卫星调谐器，具有高电容比、低串联电阻的特点，由于“在线”匹配组装程序，具有出色的均匀性和匹配性，采用无铅（符合RoHS标准）封装。

BB814E6327GR1HTSA1，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SOT-23封装，询盘确认库存，BB814E6327GR1HTSA1

BB814E6327GR1HTSA1

Infineon(英飞凌)

封装SOT-23

HVU202B

SHIKUES(时科)

HVU202B，SHIKUES(时科)，二极管 > 变容二极管，SOD-323封装，询盘确认库存，特性：优秀的线性度。高电容比：C₁₍₁V₎ / C₄₍₄V₎ > 6.2。低串联电阻：rs ≤ 0.6 Ω。封装：SOD-323

SMV1249-079LF，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，SC-79封装，询盘确认库存，硅阶跃结变容二极管设计用于低调谐电压操作的压控振荡器（VCOs）。该组变容二极管的电容和电阻会随温度变化。

SMV1249-079LF

SKYWORKS

1SV214，SHIKUES(时科)，二极管 > 变容二极管，SOD-323封装，询盘确认库存，特性：高电容比：C2V/C25V = 8.5（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4 Ω（典型值）。出色的C-V特性，跟踪误差小。适用于小尺寸调谐器

1SV214

SHIKUES(时科)

1SV270(TPH3,F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SC-76封装，询盘确认库存，特性：高电容比：C1V / C4V = 2.0（典型值）。低串联电阻：rs = 0.28Ω（典型值）。小封装

1SV270(TPH3,F)

TOSHIBA(东芝)

MPV21001-206/TR，Microchip(美国微芯)，二极管 > 变容二极管，-封装，询盘确认库存，MPV21001-206/TR

MPV21001-206/TR

Microchip(美国微芯)

MPV21004-206/TR

Microchip(美国微芯)

MPV21004-206/TR，Microchip(美国微芯)，二极管 > 变容二极管，-封装，询盘确认库存，MPV21004-206/TR

1SV305,L3F

TOSHIBA(东芝)

1SV305,L3F，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：小封装。高电容比：C₁V / C₄V = 3.0（典型值）。低串联电阻：rs = 0.27Ω（典型值）

1SV229(TPH3F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SC-76封装，询盘确认库存，特性：超低串联电阻：rs = 0.2Ω（典型值），适用于小尺寸设备

1SV229(TPH3F)

TOSHIBA(东芝)

1SV325,H3F，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

1SV325,H3F

TOSHIBA(东芝)

SVC272-TL-EX，onsemi(安森美)，二极管 > 变容二极管，-封装，询盘确认库存，SVC272-TL-EX

SVC272-TL-EX

onsemi(安森美)

SMV1705-000

SKYWORKS

SMV1705-000，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，SMD封装，询盘确认库存，SMV1705-000

封装SMD

SMV1234-079LF

SKYWORKS

SMV1234-079LF，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，SC-79封装，询盘确认库存，15V 800mΩ 电容比3.4

BBY6602VH6327XTSA1，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SC-79-2封装，询盘确认库存，特性：高电容比。高Q超突变调谐二极管。低串联电阻。专为移动通信设备中压控振荡器的低调谐电压操作而设计。极低的电容散布。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

BBY6602VH6327XTSA1

Infineon(英飞凌)

GCX1211-23-0，Microchip(美国微芯)，二极管 > 变容二极管，SOT-23-3封装，询盘确认库存，GCX1211-23-0

GCX1211-23-0

Microchip(美国微芯)

封装SOT-23-3

BB640E6327

Infineon(英飞凌)

BB640E6327，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SOD-323封装，询盘确认库存，30V 1.15Ω 电容比16.6

MAVR-011020-14110P，MACOM，二极管 > 变容二极管，FlipChip-2封装，询盘确认库存，是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件采用OMCVD外延片制造，工艺旨在实现高器件均匀性和极低寄生效应。该二极管采用氮化硅完全钝化，并额外有一层聚酰亚胺用于防刮保护。这些保护涂层可防止在自动或手动操作过程中对结造成损坏。倒装芯片配置适用于贴

MAVR-011020-14110P

MACOM

1S2638PF

ST(意法半导体)

1S2638PF，ST(意法半导体)，二极管 > 变容二极管，DO-35封装，询盘确认库存，变容二极管

封装DO-35

SMV1430-040LF

SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

SMV1430-040LF，SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)，二极管 > 变容二极管，SOD-882封装，询盘确认库存，硅突变结变容二极管适用于需要严格电容公差的压控振荡器（VCO）。这些变容二极管的低电阻使其适用于无线系统 VCO 中频率高于 10 GHz 的高 Q 谐振器。该系列变容二极管具有随温度变化的电容特性。

封装SOD-882

YVC024P034RD

INNOTION(英诺迅)

YVC024P034RD，INNOTION(英诺迅)，二极管 > 变容二极管，DFN-4-EP封装，询盘确认库存，变容管

YVC032P034R，INNOTION(英诺迅)，二极管 > 变容二极管，DFN-4-EP封装，询盘确认库存，变容管

YVC032P034R

INNOTION(英诺迅)

YVC063P034RD，INNOTION(英诺迅)，二极管 > 变容二极管，DFN-4-EP封装，询盘确认库存，变容管

YVC063P034RD

INNOTION(英诺迅)

SMV1232-040LF，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，0402封装，询盘确认库存，硅超突变结变容二极管设计用于低调谐电压操作的压控振荡器（VCO）。这些变容二极管的低电阻使其适用于无线系统VCO中的高Q谐振器，频率可超过10 GHz。该系列变容二极管的电容和电阻具有随温度变化的特性。

SMV1232-040LF

SKYWORKS

SMV2202-040LF，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，0402封装，询盘确认库存，是硅超突变结变容二极管，专为宽带、低损耗应用而设计。指定的高电容比和低反向电压使这些变容二极管适用于无线系统中频率高达 2.5 GHz 及以上的低相位噪声压控振荡器 (VCO)。

SMV2202-040LF

SKYWORKS

YVC126P034RD，INNOTION(英诺迅)，二极管 > 变容二极管，DFN-4-EP封装，询盘确认库存，变容管

YVC126P034RD

INNOTION(英诺迅)

BBY6502VH6327XTSA1，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SC-79封装，询盘确认库存，特性：高Q值超突变调谐二极管。极低的电容散布。专为移动通信设备中的压控振荡器（VCO）的低调谐电压操作而设计。适用于低频率控制元件，如温补晶振（TCXOS）和压控晶振（VCXOS）。高电容比和良好的C-V线性度。无铅（符合RoHS

BBY6502VH6327XTSA1

Infineon(英飞凌)

BB639E7904，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SOD-323封装，询盘确认库存，可变电容二极管

BB639E7904

Infineon(英飞凌)

FV1043PF，ST(意法半导体)，二极管 > 变容二极管，DO-35封装，询盘确认库存，变容二极管

FV1043PF

ST(意法半导体)

封装DO-35

SMV1235-079LF

SKYWORKS

SMV1235-079LF，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，SC-79封装，询盘确认库存，硅超突变结变容二极管设计用于低调谐电压操作的压控振荡器（VCO）。这些变容二极管的低电阻使其适用于无线系统VCO中的高Q谐振器，频率可超过10 GHz。该系列变容二极管的电容和电阻具有随温度变化的特性。

SMV2026-079LF，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，SC-79封装，询盘确认库存，SMV2026-079LF

SMV2026-079LF

SKYWORKS

BB535E7904HTSA1，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SOD-323封装，询盘确认库存，用于 UHF 电视调谐器，具有高电容比、低串联电感、低串联电阻的特点，由于采用“在线”匹配组装程序，具有出色的均匀性和匹配性，采用无铅（符合 RoHS）封装。

BB535E7904HTSA1

Infineon(英飞凌)

BB844E6327，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SOT-23封装，询盘确认库存，可变电容二极管

BB844E6327

Infineon(英飞凌)

封装SOT-23

BBY5802VH6327XTSA1

Infineon(英飞凌)

BBY5802VH6327XTSA1，Infineon(英飞凌)，二极管 > 变容二极管，SC-79-2封装，询盘确认库存，用于移动通信设备中压控振荡器（VCO）的低调谐电压操作，也适用于如温补晶振（TCXOs）和压控晶振（VCXOs）等低频控制元件。

MAVR-044769-12790T，MACOM，二极管 > 变容二极管，SC-79封装，询盘确认库存，MAVR-044769-12790T

MAVR-044769-12790T

MACOM

SMV1405-040LF，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，0402封装，询盘确认库存，硅突变结变容二极管适用于需要严格电容公差的压控振荡器（VCO）。这些变容二极管的低电阻使其适用于无线系统 VCO 中频率高于 10 GHz 的高 Q 谐振器。该系列变容二极管具有随温度变化的电容特性。

SMV1405-040LF

SKYWORKS

1SV239TPH3F，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SC-76封装，询盘确认库存，特性：超低串联电阻：rs = 0.44Ω（典型值）。适用于小尺寸设备

1SV239TPH3F

TOSHIBA(东芝)

BB175X，NXP(恩智浦)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，BB175X

BB175X

NXP(恩智浦)

1SV285TPH3F，TOSHIBA(东芝)，二极管 > 变容二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：高电容比：C₁V / C₄V = 2.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.42Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

1SV285TPH3F

TOSHIBA(东芝)

SMV1255-001LF，SKYWORKS，二极管 > 变容二极管，-封装，询盘确认库存，设计用于低调谐电压操作的压控振荡器 (VCO)。该组变容二极管的电容和电阻会随温度变化。

SMV1255-001LF

SKYWORKS

BB172X

NXP(恩智浦)

BB172X，NXP(恩智浦)，二极管 > 变容二极管，SOD-323封装，询盘确认库存，BB172X