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TIP122
ST(意法半导体)
达林顿类型:NPN · 集电极电流IC:5A 集电极-基极击穿电压VCBO:100V 集电极-发射极击穿电压三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管
TO-220
122,841
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MJD122
CJ/长电/长晶
达林顿类型:NPN · 集电极电流IC:5A 集电极-基极击穿电压VCBO:100V 集电极-发射极击穿电压三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管
TO-252
72,300
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MMBT6427LT1G
onsemi(安森美)
此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用 · 此器件采用 SOT-23三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管
SOP
60,000
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MJD127T4G
onsemi(安森美)
器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造 · 由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管
TO-252
50,000
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BCV26
onsemi(安森美)
此器件适用于电流达 800 mA、需要极高电流增益的应用 · 源自 Process 61三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管
SOT-23
42,000
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