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本页样本常见封装：SOP-8、TSOP44、TSOP86、BGA。
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
IS25LP080D-JNLE-TR
ISSI(美国芯成)
IS25LP080D-JNLE-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，310,000件现货，IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求存储器 > NOR FLASH
SOP-8
310,000
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查看详情 >IS32LT3177-GRLA3-TR
ISSI(美国芯成)
IS32LT3177-GRLA3-TR，ISSI(美国芯成)，电源管理 > LED驱动，SOP-8封装，50,000件现货，IS32LT3177 和 IS32LT3178 是具有优异温度稳定性的可调线性电流器件。仅需一个电阻即可设置从 10mA 到 200mA 的工作电流。这些器件可以在 2.9V 至 40V 的输入电压下工作，在 150mA 时的最小电压裕电源管理 > LED驱动
SOP-8
50,000
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查看详情 >IS61WV25616BLL-10TLI
ISSI(美国芯成)
IS61WV25616BLL-10TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSOP44封装，42,825件现货，4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSOP44
42,825
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查看详情 >IS61LV25616AL-10TLI
ISSI(美国芯成)
IS61LV25616AL-10TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSOP44封装，38,000件现货，4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSOP44
38,000
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查看详情 >IS42S32400F-6TL
ISSI(美国芯成)
IS42S32400F-6TL，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP86封装，31,080件现货，IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,55存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP86
31,080
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IS43TR16128DL-107MBLI
ISSI(美国芯成)
IS43TR16128DL-107MBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，21,000件现货，存储IC存储器 > DDR SDRAM
BGA
21,000
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查看详情 >IS25LP032D-JBLE-TR
ISSI(美国芯成)
IS25LP032D-JBLE-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，20,740件现货，32Mb QSPI,8-pin SOP 208Mil,RoHS,ET,T&R Flash 2.3V-3.6V存储器 > NOR FLASH
SOP-8
20,740
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查看详情 >IS43TR16128DL-125KBLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS43TR16128DL-125KBLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，TFBGA-96封装，16,500件现货，128Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz，具有1.5V±0.075V的标准电压和1.35V±0.1V的低电压选项。支持异步复位和TDQS功能。存储器 > DDR SDRAM
TFBGA-96
16,500
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查看详情 >IS32LT3953B-GRLA3-TR
ISSI(美国芯成)
IS32LT3953B-GRLA3-TR，ISSI(美国芯成)，电源管理 > LED驱动，SOP-8封装，15,000件现货，IS32LT3953B 是一款 DC-to-DC 开关转换器，集成了 N 沟道 MOSFET，以降压配置运行。该器件可在 4.5V 至 38V 的宽输入电压范围内工作，并为驱动单个 LED 或多个串联 LED 提供高达 3A 的恒流。电源管理 > LED驱动
SOP-8
15,000
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IS61C1024AL-12KLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS61C1024AL-12KLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，SOJ32封装，14,200件现货，IS61C1024AL-12KLI-TR存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
SOJ32
14,200
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查看详情 >IS43TR16128DL-125KBLI
ISSI(美国芯成)
IS43TR16128DL-125KBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，12,500件现货，IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM，支持低电压 1.35V。具有高速数据传输速率，系统频率高达 1066MHz。支持 8 个内部ban存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
12,500
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查看详情 >IS25LP512M-RMLE
ISSI(美国芯成)
IS25LP512M-RMLE，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，SOP-16封装，11,985件现货，IS25LP512M RMLE存储器 > NOR FLASH
SOP-16
11,985
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查看详情 >IS43TR16256BL-107MBL-TR
ISSI(美国芯成)
IS43TR16256BL-107MBL-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，11,000件现货，IS43TR16256BL-107MBL-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1866 MHz存储器 > DDR SDRAM
BGA
11,000
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查看详情 >IS42S16800F-7TLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16800F-7TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，TSOP54封装，10,468件现货，128-Mbit(16M × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
TSOP54
10,468
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查看详情 >IS31FL3195-QFLS2-TR
ISSI(美国芯成)
IS31FL3195-QFLS2-TR，ISSI(美国芯成)，电源管理 > LED驱动，QFN-16封装，10,000件现货，该产品是一款紧凑高效的4通道电荷泵LED驱动器，具备可编程序列操作，可实现自动化RGBW照明效果。它能够以低压降和电流匹配驱动1至4个LED，使所有4个LED保持一致的亮度，每个通道最多可支持20mA的电流。内置的电荷泵（CP）结构会电源管理 > LED驱动
QFN-16
10,000
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查看详情 >IS61C1024AL-12JLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS61C1024AL-12JLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，SOJ32封装，10,000件现货，IS61C1024AL 12JLI TR存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
SOJ32
10,000
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查看详情 >IS61LV256AL-10TLI
ISSI(美国芯成)
IS61LV256AL-10TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSOP28封装，10,000件现货，IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSOP28
10,000
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查看详情 >IS43TR81024BL-125KBL
ISSI(美国芯成)
IS43TR81024BL-125KBL，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，8,650件现货，IS43TR81024BL-125KBL存储器 > DDR SDRAM
BGA
8,650
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查看详情 >IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSOPII-44封装，6,496件现货，IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSOPII-44
6,496
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查看详情 >IS25LP016D-JBLA3-TR
ISSI(美国芯成)
IS25LP016D-JBLA3-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，SOIC-8-208封装，6,000件现货，IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据存储器 > NOR FLASH
SOIC-8-208
6,000
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查看详情 >IS42S16800F-7BLI
ISSI(美国芯成)
IS42S16800F-7BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，BGA-54封装，5,520件现货，128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 和 54-ball BGA 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 工业级温度范围 -4存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
BGA-54
5,520
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查看详情 >IS31FL3235A-QFLS2-TR
ISSI(美国芯成)
IS31FL3235A-QFLS2-TR，ISSI(美国芯成)，电源管理 > LED驱动，QFN-36封装，5,000件现货，IS31FL3235A 具备28个恒流通道和独立PWM控制的LED驱动器。PWM频率可设置为3kHz或22kHz。每个通道的输出电流可通过外部电阻设置为高达38mA（最大值），并可通过1、1/2、1/3和1/4的比例独立缩放。每个通道电源管理 > LED驱动
QFN-36
5,000
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查看详情 >IS31FL3728-QFLS2-TR
ISSI(美国芯成)
IS31FL3728-QFLS2-TR，ISSI(美国芯成)，电源管理 > LED驱动，QFN-24封装，4,925件现货，IS31FL3728 是一款通用的 8x8 LED 点阵驱动器，具有音频频率均衡器（EQ）模式或通用 LED 点阵显示模式。通用 LED 点阵显示默认为 8x8 配置，但也可以配置为 5x11、6x10 或 7x9 点阵显示。点阵图像亮电源管理 > LED驱动
QFN-24
4,925
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查看详情 >IS31FL3731-SALS2-TR
ISSI(美国芯成)
IS31FL3731-SALS2-TR，ISSI(美国芯成)，电源管理 > LED驱动，SOP-8封装，4,826件现货，IS31FL3731是一款紧凑型LED驱动器，可驱动144个单颗LED。该器件可通过兼容I2C的接口进行编程。IS31FL3731有两个模块，每个模块以1/9周期率驱动72个LED。通过使用交叉复用功能，将驱动所有144个LED所需的线路电源管理 > LED驱动
SOP-8
4,826
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查看详情 >IS62WV51216BLL-55TLI
ISSI(美国芯成)
IS62WV51216BLL-55TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSOP44封装，4,700件现货，8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSOP44
4,700
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查看详情 >IS25WP128F-JKLE-TR
ISSI(美国芯成)
IS25WP128F-JKLE-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，WSON8封装，4,500件现货，IS25WP128F JKLE TR存储器 > NOR FLASH
WSON8
4,500
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查看详情 >IS34ML02G081-TLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS34ML02G081-TLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > NAND FLASH，TFSOP-48封装，3,000件现货，IS34ML02G081-TLI-TR 是一款2Gb SLC-1bECC 3.3V X8 NAND FLASH 内存，支持标准NAND接口。它具有灵活高效的架构，支持快速读写操作，适用于多种应用场景。存储器 > NAND FLASH
TFSOP-48
3,000
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查看详情 >IS43TR16512B-125KBLI
ISSI(美国芯成)
IS43TR16512B-125KBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，TWBGA-96封装，2,720件现货，IS43TR16512B-125KBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。存储器 > DDR SDRAM
TWBGA-96
2,720
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查看详情 >IS43TR16256BL-107MBLI
ISSI(美国芯成)
IS43TR16256BL-107MBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，TWBGA-96封装，2,465件现货，IS43TR16256BL-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°存储器 > DDR SDRAM
TWBGA-96
2,465
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查看详情 >IS43LQ32512A-053BLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS43LQ32512A-053BLI-TR，ISSI(美国芯成)，现货库存，BGA-299封装，2,288件现货现货库存
BGA-299
2,288
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查看详情 >IS31FL3729-QFLS4-TR
ISSI(美国芯成)
IS31FL3729-QFLS4-TR，ISSI(美国芯成)，电源管理 > LED驱动，QFN-32封装，2,100件现货，该产品是通用的16×8或15×9矩阵LED驱动器，可通过1MHz I²C总线兼容接口进行编程。每个LED可通过8位PWM数据单独调光，每个CSx具有8位直流电流缩放功能以进行颜色校准。这种组合可为每个点实现256级线性PWM调光，并为每电源管理 > LED驱动
QFN-32
2,100
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查看详情 >IS25WP128F-JBLE-TR
ISSI(美国芯成)
IS25WP128F-JBLE-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，SOIC-8封装，2,011件现货，IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它具有高度的灵活性和高性能，且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输存储器 > NOR FLASH
SOIC-8
2,011
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查看详情 >IS25LP016D-JBLE-TR
ISSI(美国芯成)
IS25LP016D-JBLE-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，SOIC-8-208封装，2,000件现货，IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存为简化引脚封装提供了一种高度灵活且高性能的通用存储解决方案。它适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、存储器 > NOR FLASH
SOIC-8-208
2,000
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查看详情 >IS25LP128F-JBLE-TR
ISSI(美国芯成)
IS25LP128F-JBLE-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，2,000件现货，IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它具有高度的灵活性和高性能，且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出存储器 > NOR FLASH
SOP-8
2,000
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查看详情 >IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSOP44封装，2,000件现货，IS61WV51216EDALL和IS61/64WV51216EDBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSOP44
2,000
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查看详情 >IS62WV1288FBLL-45HLI
ISSI(美国芯成)
IS62WV1288FBLL-45HLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，STSOP32封装，2,000件现货，IS62WV1288FBLL-45HLI存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
STSOP32
2,000
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查看详情 >IS43DR16320D-25DBLI
ISSI(美国芯成)
IS43DR16320D-25DBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，1,929件现货，IS43DR16320D-25DBLI存储器 > DDR SDRAM
BGA
1,929
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查看详情 >IS62LV256AL-45ULI
ISSI(美国芯成)
IS62LV256AL-45ULI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，SOP-28封装，1,533件现货，256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V 环保托盘存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
SOP-28
1,533
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查看详情 >IS43TR16512S2DL-125KBLI
ISSI(美国芯成)
IS43TR16512S2DL-125KBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，1,300件现货，512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM，支持标准电压1.5V和低电压1.35V，刷新间隔为7.8us（8192周期/64ms）在-40°C到85°C范围内，高速数据传输速率高达933MHz，8个内部bank支持并发操存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
1,300
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查看详情 >IS42S32400F-6BLI
ISSI(美国芯成)
IS42S32400F-6BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，90TFBGA封装，1,100件现货，128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
90TFBGA
1,100
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查看详情 >IS61LV6416-10TLI
ISSI(美国芯成)
IS61LV6416-10TLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSOP封装，1,000件现货，IS61LV6416/IS61LV6416L是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为65,536字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSOP
1,000
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查看详情 >IS61WV102416FBLL-8BLI
ISSI(美国芯成)
IS61WV102416FBLL-8BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，BGA-48封装，1,000件现货，是高速、16M 位静态随机存取存储器，组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平（未选中）存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
BGA-48
1,000
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查看详情 >IS61WV25616EDBLL-8BLI
ISSI(美国芯成)
IS61WV25616EDBLL-8BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，BGA-48封装，957件现货，IS61WV25616EDBLL 8BLI存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
BGA-48
957
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查看详情 >IS62WV1288FBLL-45QLI
ISSI(美国芯成)
IS62WV1288FBLL-45QLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，QFP-32封装，840件现货，IS62WV1288FBLL 45QLI存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
QFP-32
840
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查看详情 >IS25LP032D-JNLE
ISSI(美国芯成)
IS25LP032D-JNLE，ISSI(美国芯成)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，663件现货，IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片存储器 > NOR FLASH
SOP-8
663
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查看详情 >IS43DR16160B-3DBLI
ISSI(美国芯成)
IS43DR16160B-3DBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，存储器 > DDR SDRAM封装，500件现货，IS43DR16160B-3DBLI存储器 > DDR SDRAM
详询
500
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查看详情 >IS42S32800G-6BLI
ISSI(美国芯成)
IS42S32800G-6BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，BGA-90封装，360件现货，IS42S32800G 是一款 256Mb 的 Synchronous DRAM，支持 200MHz 的时钟频率，3.3V 单电源供电。具有 8M x 32 的组织结构，4 个内部bank，可编程的突发长度和 CAS 延迟。存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
BGA-90
360
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查看详情 >IS43LR16320C-6BLI
ISSI(美国芯成)
IS43LR16320C-6BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-60封装，261件现货，IS43LR16320C 6BLI存储器 > DDR SDRAM
BGA-60
261
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查看详情 >IS43LR32160C-6BLI
ISSI(美国芯成)
IS43LR32160C-6BLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-90封装，240件现货，32位4Bank移动DDR SDRAM，采用双数据速率架构实现高速操作。数据输入/输出信号通过32位总线传输，每个时钟周期在I/O引脚上传输两个数据字。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。存储器 > DDR SDRAM
BGA-90
240
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查看详情 >IS43TR16256AL-125KBLI
ISSI(美国芯成)
IS43TR16256AL-125KBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BAG96封装，160件现货，芯片存储器 > DDR SDRAM
BAG96
160
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查看详情 >IS31FL3205-QFLS4-TR
ISSI(美国芯成)
IS31FL3205-QFLS4-TR，ISSI(美国芯成)，电源管理 > LED驱动，QFN-20-EP封装，询盘确认库存，是一款具有12个恒流通道的LED驱动器。每个通道可以通过16位进行脉冲宽度调制（PWM），以实现平滑的LED亮度控制。此外，每个通道都有一个8位输出电流控制寄存器，允许对电流进行微调，以实现丰富的RGB颜色混合，例如纯白色LED应用。电源管理 > LED驱动
QFN-20-EP
询盘确认
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ISSI(美国芯成)
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IS62WV51216EBLL-45BLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，VFBGA-48封装，询盘确认库存，IS62WV51216EBLL 45BLI TR存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
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品牌采购常见问题
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采购 ISSI(美国芯成) 型号时应先核对什么？
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ISSI(美国芯成) 型号找不到完全一致怎么办？
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