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HXY MOSFET(华轩阳电子) 电子元器件现货与BOM询价
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1SMB5930BT3G
HXY MOSFET(华轩阳电子)
1SMB5930BT3G，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 > 稳压二极管，SMB封装，14,176件现货，该稳压二极管的标称稳压值（VR）为16V，正向导通电流（IF）为0.0234A，正向导通压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）典型值仅为1μA，具有较低的漏电特性与良好的热稳定性。器件工作于反向击穿区时可提供稳定的电压钳位，适用于需要精确二极管 > 稳压二极管
SMB
14,176
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查看详情 >2N3904S-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
2N3904S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，这款NPN型三极管（BJT）具有0.2A的集电极电流三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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HTLP181GB-S
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HTLP181GB-S，HXY MOSFET(华轩阳电子)，光耦 > 晶体管输出光耦，SOP-4封装，询盘确认库存，这款光耦合器采用直流输入电压，光电三极管输出，设计精巧。正向电压低至1.15V，确保低功耗运行，输出电流可达50mA，提供稳定信号传输。适用于隔离电路设计、电平转换及信号调制等应用，是实现电路间高效、可靠数据通信的理想桥梁，尤其适合于精密仪表、光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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查看详情 >HMMBT5551T
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HMMBT5551T，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-523封装，询盘确认库存，这款NPN型双极结型晶体管（BJT）支持最大集电极电流（IC）为0.6A，最大集电极-发射极电压（VCEO）为160V，电流增益（HFE）在100至300之间，特征频率（FT）高达300MHz。该晶体管适合用于高频放大和三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-523
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查看详情 >BC847BM3T5G-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
BC847BM3T5G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-723封装，询盘确认库存，此款NPN型三极管（BJT）适用于广泛的电子设备中，具备集电极电流IC为0.15A，确保了在低功率应用中的高效性能。其集电极-发射极电压VCEO高达50V，使其能够承受较高的反向电压，增强了使用的安全性与稳定性三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-723
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查看详情 >HTLP185GB-S
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HTLP185GB-S，HXY MOSFET(华轩阳电子)，光耦 > 晶体管输出光耦，SOP-4封装，询盘确认库存，这款直流输入光耦合器采用光电三极管输出，正向电压1.25V，优化了能耗与性能。50mA的输出电流能力，确保了信号传输的强健与稳定，适用于广泛的电子设备隔离应用，包括家电控制电路、计算机周边及仪表设备，为您的设计提供安全、高效的信号传递解决方案。光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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SRV05-4-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SRV05-4-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOT-23-6L封装，询盘确认库存，本产品是一款具有静电和浪涌保护功能的元器件，适用于精密电子设备的瞬态电压保护。其特点为4A的额定电流、5V的工作电压、0.5pF的典型结电容以及4通道设计。单向类型确保了对特定方向电压波动的有效防护TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-6L
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查看详情 >HXY6206I-3.3
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HXY6206I-3.3，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23封装，询盘确认库存，这款SOT-23封装的LDO线性稳压器，提供精准的3.3V输出电压和0.3A最大输出电流，能在最高8V输入电压下保持高效稳定工作。设计紧凑，性能卓越，特别适合低功耗、空间有限的电子设备，实现可靠的电源转换与管理，是嵌入式系统及小型电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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查看详情 >HPESD5V0S1BA,115
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HPESD5V0S1BA,115，HXY MOSFET(华轩阳电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-323封装，询盘确认库存，此款双向ESD静电保护二极管专为单通道应用设计，5V工作电压下稳定可靠，25A峰值电流处理能力凸显其卓越的防护效能。尽管电容值为35pF，但仍能确保大多数信号传输质量，是保护精密电路免受静电破TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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查看详情 >ESD8L5.0C-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
ESD8L5.0C-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2L封装，询盘确认库存，这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统设计，提供单通道高效保护。具备3A峰值脉冲电流IPP性能，有效抑制双向瞬态ESD电压，保障电路安全。结电容低至0.6pF，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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查看详情 >AMS1117-2.5(SOT-223)
HXY MOSFET(华轩阳电子)
AMS1117-2.5(SOT-223)，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，询盘确认库存，这款SOT-223封装的LDO线性稳压器，专为高效稳压设计。其输出电压稳定在2.5V，最大电流可达1A，支持最高18V的输入电压，性能卓越，适用于各类精密电路，确保系统供电稳定可靠。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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查看详情 >SS8050(SOT89-3L)
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SS8050(SOT89-3L)，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-89-3L封装，询盘确认库存，这款SOT-89封装的高性能NPN型三极管，具备25V的VCEO耐压和1.5A的集电极电流能力，其放大倍数稳定在200至300区间，特别适用于高增益、中等电流应用场合，是您电子设计与制造的理想半导体组件。三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-89-3L
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查看详情 >ESD5Z3.3-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
ESD5Z3.3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-523封装，询盘确认库存，在售产品是一款高性能单向ESD静电防护二极管，采用小巧的SOD-523封装，专为1通道应用设计。具有3.3V高稳定VRWM电压，可有效防止过压损害。器件能在瞬态事件中承载高达11.2A的IPP峰值脉冲TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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HESDNC24VB1AF-A
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HESDNC24VB1AF-A，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2L封装，询盘确认库存，这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，适用于24V系统，提供单通道高效防护。具备5A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD冲击。其结电容为15pF，在高速数据传三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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查看详情 >HFP6291LR-G1
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HFP6291LR-G1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > DC-DC电源芯片，SOT-23-6L封装，询盘确认库存，这款DC-DC电源芯片为升压型，输入电压在2.6V至24V之间，适应一定范围的低电压。输出电压为2.5V至28V，较为灵活。输出电流最大值达4A，能满足较高的功率需求。适用于各类电子产品，为其提供稳定的升压电源。电源管理 > DC-DC电源芯片
SOT-23-6L
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查看详情 >24C02-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
24C02-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，询盘确认库存，24C02是一款低电压低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C到85°C。具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8 (2K)，标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1存储器 > EEPROM
SOP-8
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查看详情 >HCESD1006LC5VB-M
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HCESD1006LC5VB-M，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2L封装，询盘确认库存，该ESD静电保护二极管为双向单通道设计，工作电压5V，能有效承受2.5A瞬时冲击电流，确保电路安全性。其超低2.5pF电容特性，完美适应高速信号环境，不影响数据传输质量，为各类精密电子三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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查看详情 >ET3157-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
ET3157-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器，SC-70-6封装，询盘确认库存，信号切换 多路复用 电源管理 测试和测量 逻辑控制信号路由通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器
SC-70-6
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查看详情 >HMMBTA06LT1G
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HMMBTA06LT1G，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，这款NPN型三极管，额定集电极电流500mA，适合中等电流应用。其集射极击穿电压高达80V，确保了在较高电压环境下的稳定工作性能。功率损耗仅225mW，意味着更低热输出，提升了器件在紧凑设计中的适用性。适用于各类音频放三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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查看详情 >SS8550(SOT89-3L)
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SS8550(SOT89-3L)，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-89-3L封装，询盘确认库存，这款SOT-89封装的PNP型三极管，拥有25V的VCEO耐压值和1.5A的稳定集电极电流IC，其放大倍数范围在200至300之间，适用于高增益、大电流应用场景，是您电子设计与制造的理想选择。三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-89-3L
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查看详情 >HBSD5C051L
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HBSD5C051L，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-523封装，询盘确认库存，此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）具有2.5安培的峰值脉冲电流IPP，能在短时间内承受较大的电流冲击。其工作电压VRWM为5伏特，适用于需要稳定电压保护的应用。该器件的电容CJ仅为3皮法，对信号的影三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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查看详情 >HESD5341N
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HESD5341N，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2L封装，询盘确认库存，这款单向ESD保护二极管专为单通道电路定制，能在5V工作电压下稳定运行，具备4A峰值电流处理能力，为电路提供精确的静电防护。其超低电容值仅为0.6pF，确保了高速信号传输的无损与纯净，是精密电子和高三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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查看详情 >HPT05D3CE
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HPT05D3CE，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-323封装，询盘确认库存，这款双向ESD保护二极管适用于单线路，耐压5V，能有效应对更广泛的电压波动。它具备25A峰值脉冲电流处理能力，为电路提供更强悍的瞬态保护。尽管电容值为65pF，但仍确保在多数应用中信号传输的稳定性，是提升电三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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查看详情 >AMS1117-3.3(SOT-223)
HXY MOSFET(华轩阳电子)
AMS1117-3.3(SOT-223)，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，询盘确认库存，这款SOT-223封装的高性能LDO线性稳压器，专为高效电源管理设计。提供稳定的3.3V输出电压和最大1A输出电流，支持最高18V输入电压，确保在各种条件下都能实现稳定可靠的电源转换，适用于各类电子设备及精密电路电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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查看详情 >IP4220CZ6-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
IP4220CZ6-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOT-23-6L封装，询盘确认库存，本产品是一款具有静电和浪涌保护功能的元器件，适用于精密电子设备的瞬态电压保护。其特点为4A的额定电流、5V的工作电压、0.5pF的典型结电容以及4通道设计。单向类型确保了对特定方向电压波动的有效TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-6L
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查看详情 >HMMUN2233LT1G
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HMMUN2233LT1G，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管，SOT-23封装，询盘确认库存，这款数字晶体管，内置1个预偏置NPN结构，特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V，保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA，功率消耗低至246mW，非常适用于低功耗、高效能的电子设计，如逻辑电路、信三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-23
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查看详情 >SB2080L
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SB2080L，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 > 肖特基二极管，TO-277封装，询盘确认库存，肖特基二极管是一种具有快速开关特性和低正向电压降的半导体器件。本款肖特基二极管的最大平均正向电流（IF/A）为20A，反向击穿电压（VR/V）为80V，正向电压降（VF/V）仅为0.6V，漏电流（IR/uA）在室温下为100微安，瞬态浪涌电流（IFS二极管 > 肖特基二极管
TO-277
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查看详情 >HFMMT493TA
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HFMMT493TA，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，这款三极管（BJT）属于NPN型，其集电极电流最大值IC为1A，能够承受的最大集射极电压VCEO为100V，具备较高的电流增益HFE范围，在100至300之间。该器件还具有较快的特征频率FT，达到了150MHz，表明其在高三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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查看详情 >74HC573
HXY MOSFET(华轩阳电子)
74HC573，HXY MOSFET(华轩阳电子)，逻辑器件 > 锁存器，SOP-20封装，询盘确认库存，本产品是一款D型锁存器，属于74HC系列。其电源电压范围为2V至6V，具备低功耗特性。传播延迟仅为14ns，保证了高速数据传输。它适用于多种应用场景，如数据存储与同步，是实现稳定性能的理想选择。逻辑器件 > 锁存器
SOP-20
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查看详情 >UMH3N
HXY MOSFET(华轩阳电子)
UMH3N，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管，SOT-363封装，询盘确认库存，这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装，内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压（Vceo）及0.1A的最大集电极电流（Ic），功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性，在5mA集电极电流和0.25mA基极三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-363
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查看详情 >HSPX3819M5-L-5-0/TR
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HSPX3819M5-L-5-0/TR，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23-5L封装，询盘确认库存，该线性稳压器（LDO）设计用于提供稳定的5V输出电压，可在输入电压范围从宽至20V的环境下工作。其最大输出电流为0.4A，适合为各种便携式设备供电。LDO具备低至0.0018mA的静态电流，有效减少能量损耗，特电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5L
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查看详情 >HESD5471X
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HESD5471X，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2L封装，询盘确认库存，这款ESD保护器件为Bi双向类型，适用于保护敏感电路。其工作电压为5V，最大峰值脉冲电流可达3A。具备低电容特性，电容值为5.5pF，确保信号传输不受影响。单通道设计简洁实用。广泛应用于多种电子设备三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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查看详情 >2N3906S-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
2N3906S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，这款PNP型三极管（BJT）设计用于精细的电子电路中，具备0.2A的集电极电流（IC）能力，可承受最高40V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于多种电源管理场景。其直流电流增益（HFE）在100到300之间，确保了信三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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查看详情 >HPESD3V3S1BA
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HPESD3V3S1BA，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-523封装，询盘确认库存，此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），具备IPP 9A的脉冲电流承受能力，确保在遭遇瞬时高电流时仍能稳定工作。其VRWM为3.3V，适合应用于低工作电压环境，维持系统的持续稳定性。该器件的电容CJ三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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查看详情 >LD1117S33CTR-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
LD1117S33CTR-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，询盘确认库存，LD1117SxxCTR 是一系列低压差三端稳压器，在 800mA 负载电流下压差为 1.3V。与竞品的 5mA 相比，LD1117SxxCTR 的待机电流极低，仅为 2mA。除了固定电压版本（Vss = 1.2V、1.电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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查看详情 >PMBS3904-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
PMBS3904-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，这款NPN三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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查看详情 >ESD8D3.3C-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
ESD8D3.3C-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2封装，询盘确认库存，该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，提供单通道高效防护。器件能在瞬态条件下承受9A峰值脉冲电流IPP，有效防止双向静电放电对电路的影响。其结电容低至15pTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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查看详情 >HADM485ARZ
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HADM485ARZ，HXY MOSFET(华轩阳电子)，通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片，SOP-8封装，询盘确认库存，这款RS-485/RS-422芯片为收发器类型。驱动器和接收器数量均为1。数据速率达2.5Mbps，能快速传输数据。电源电压在4.75V至5.25V范围，稳定可靠。适用于各类电子产品的通信场景，确保数据高效稳定收发。通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片
SOP-8
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查看详情 >HMCP1700T-3302E/TT
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HMCP1700T-3302E/TT，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23封装，询盘确认库存，这款线性稳压器（LDO）可提供最大3.3V的输出电压(VO)，输入电压(VI)范围可达6V，适用于多种低压差应用。其输出电流(IO)为0.3A，满足小型设备的供电需求。此外，该LDO的静态工作电流(IQ)低至1.5uA电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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查看详情 >SST3906MGT116-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SST3906MGT116-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，此款PNP型三极管（BJT）专为中低功率应用设计，具备集电极电流IC达0.2A，最大集电极-发射极电压VCEO为40V。其直流电流增益HFE范围在100至300之间，确保了有效的信号放大能力。该型号的过渡频率三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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查看详情 >HESDSLC3V3D3B
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HESDSLC3V3D3B，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-323封装，询盘确认库存，这款静电和浪涌保护器件为双向类型，单通道。工作电压3.3V，可承受20A电流。结电容典型值为1pF，对电路影响极小。适用于多种电子产品，能有效双向防护静电和浪涌干扰，确保设备稳定运行，提升设备安全性三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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查看详情 >HPESD5V0F1BSF
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HPESD5V0F1BSF，HXY MOSFET(华轩阳电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2L封装，询盘确认库存，此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）设计用于提供高效的瞬态电压抑制，确保电子设备在面对电压突变时的安全。它具备4.5A的峰值脉冲电流容量IPP，能够迅速响应并吸收过量电流，保护电路免受损TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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查看详情 >HMIC5504-3.3YM5-TR
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HMIC5504-3.3YM5-TR，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23-5L封装，询盘确认库存，HMIC5504-3.3YM5-TR是一款高效线性稳压器（LDO），采用小巧的SOT-23-5L封装，专为需要稳定3.3V电源的各类应用设计。在最大输入电压6V下，该器件可提供高达0.45A的连续输出电流，确保负电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5L
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查看详情 >AMS1117-1.8(SOT-223)
HXY MOSFET(华轩阳电子)
AMS1117-1.8(SOT-223)，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，询盘确认库存，这款SOT-223封装的高性能LDO线性稳压器，专为高电流应用设计。它提供精确稳定的1.8V输出电压，并能承载高达1A的连续输出电流，支持最大18V输入电压。适用于各类对电源稳定性要求严格的电子设备和系统，确保高电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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查看详情 >XC6206P122MR-G-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
XC6206P122MR-G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23-3L封装，询盘确认库存，XC6206Pxx2R - G是一款高精度、低噪声、高速的CMOS线性稳压器，具有低功耗和低压差特性，即使在输入输出电压差较小时也能提供大输出电流。该器件在手机、笔记本电脑、电子书及其他便携式设备中展现出了更高性电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-3L
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查看详情 >HLP5907MFX-3.3/NOPB
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HLP5907MFX-3.3/NOPB，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23-5L封装，询盘确认库存，HLP5907MFX-3.3/NOPB是一款高性能线性稳压器（LDO），采用节省空间的SOT-23-5L封装，专为需要稳定3.3V电源的低功耗应用定制。在最大6V的输入电压下，该器件可提供高达0.45A的输出电电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5L
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查看详情 >LM1117IMPX-3.3/NOPB-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
LM1117IMPX-3.3/NOPB-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，询盘确认库存，LM1117IMPx-xx/NOPB是一系列低压差三端稳压器，在800mA负载电流下，压差为1.3V。与竞品的5mA相比，LM117IMPx-xx/NOPB的待机电流极低，仅为2mA。除了输出电压固定为1.电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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查看详情 >LM1117MPX-3.3/NOPB-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
LM1117MPX-3.3/NOPB-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，询盘确认库存，LM1117MPX-xx/NOPB 是一系列低压差三端稳压器，在 800mA 负载电流下的压差为 1.3V。与竞品的 5mA 相比，LM1117MPX-xx/NOPB 的待机电流极低，仅为 2mA。除了固定输电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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查看详情 >AT24C128-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
AT24C128-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，询盘确认库存，AT24C128是一款128K位的2线串行读/写非易失性存储器，适用于低功耗和低电压应用。支持最多8个设备连接到同一2线总线上。存储器 > EEPROM
SOP-8
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查看详情 >HXL1509-5.0
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HXL1509-5.0，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > DC-DC电源芯片，SOP-8封装，询盘确认库存，XL1509是一款单片IC,设计用于降压DC/DC转换器,能够驱动3A负载而无需额外的晶体管。它节省了电路板空间,外部关断功能可通过逻辑电平控制进入待机模式。内部补偿使反馈控制在线性和负载调节方面表现出色,无需外部设计。当输出电压低于0电源管理 > DC-DC电源芯片
SOP-8
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查看详情 >2N5401S-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
2N5401S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，此款PNP型三极管（BJT）提供0.6A的集电极电流三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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查看详情 >LMV721IDBVR-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
LMV721IDBVR-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，运算放大器/比较器 > 运算放大器，SOT-23-5L封装，询盘确认库存，这款单路运算放大器采用紧凑型SOT-23-5L封装，具备卓越的电气性能。其输入失调电压低至5mV，确保了更高的精度和稳定性。拥有超低的260nA输入偏置电流，有效减小误差并扩大应用范围。此外，该器件压摆率高达5.25V运算放大器/比较器 > 运算放大器
SOT-23-5L
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查看详情 >H78L05U
HXY MOSFET(华轩阳电子)
H78L05U，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-89封装，询盘确认库存，这款线性稳压器（LDO）设计用于需要精确电压调节的应用场合。它能够提供稳定的5V输出电压，支持最大0.15A的输出电流，非常适合为低功耗电子设备供电。该LDO的最大输入电压可达30V，展现了其强大的适应能力，能够兼容多种电源输入条件。其静态电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89
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查看详情 >HRT9013-33GB
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HRT9013-33GB，HXY MOSFET(华轩阳电子)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23-5L封装，询盘确认库存，这款线性稳压器（LDO）提供了一个稳定的3.3V输出电压，能够在输入电压高达7V的情况下正常工作，确保了电源解决方案的灵活性与可靠性。该LDO的最大输出电流为0.5A，适用于需要中等电流的各种应用，如消费电子产品中的微控制器电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5L
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查看详情 >AT24C64-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
AT24C64-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，询盘确认库存，AT24C64是一款64K位I2C兼容串行EEPROM，包含8K x 8位的存储阵列，每页32字节。支持单电源电压和高速模式，最低工作电压可达1.7V，1MHz时钟频率从2.5V到5.5V，400kHz时钟频率从1.7V到2.5V。具有低功耗C存储器 > EEPROM
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查看详情 >2N5551S-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
2N5551S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，这款NPN三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流IC，适用于多种电子设备的电源管理电路。其VCEO为160V，提供了宽广的操作电压范围，确保在高压环境下的稳定运行。直流电流增益HFE在100至200之间，适合中等放大需三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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查看详情 >HSD15C-7
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HSD15C-7，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-323封装，询盘确认库存，这款Bi双向单通道保护器件，专为高可靠性电路设计，耐压15V，能有效承受8A峰值电流冲击，具有35pF典型电容值，确保信号完整性的同时，为您的电路提供稳健的静电及过电压防护解决方案。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
HSS39ET，HXY MOSFET(华轩阳电子)，传感器 > 线性霍尔传感器，SOT-23-3L封装，询盘确认库存，这款线性磁传感器采用灵活的工作电压范围（3-12V），可适应多种电源环境。其静态输出电压典型值为供电电压的50%，确保了稳定的基准点。具有1.2mV/Gauss的灵敏度，能够精确检测磁场变化；25KHz的输出带宽支持快速响应需求。该传感器可在传感器 > 线性霍尔传感器
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查看详情 >HT5V0S5-7
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HT5V0S5-7，HXY MOSFET(华轩阳电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-523封装，询盘确认库存，该ESD静电保护二极管为单向类型，专注于单一通道的静电防护，额定电压5V，能够处理高达9.4A的瞬时电流，电容值为80pF，适用于对信号延迟不太敏感的应用场景，为电子设备提供强有力的静电冲击抵御能力。TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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查看详情 >HASD08C
HXY MOSFET(华轩阳电子)
HASD08C，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-323封装，询盘确认库存，此Bi向单通道保护器，VRWM为8V，能承受15A峰值脉冲电流，确保电路在高电压波动时安全无虞。其特点在于110pF的典型电容值，适合于对信号速度要求不高但需增强抗干扰能力的场合，为设备提供稳固的保护屏障，提升三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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品牌采购常见问题
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