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GT060N04D5
GOFORD(谷峰)
使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷 · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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06N06L
GOFORD(谷峰)
使用先进沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷 · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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G4616-B
GOFORD(谷峰)
类型：N+P沟道@@漏源电压(Vdss)：40V · -40V@@连续漏极电流(Id)：8A · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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