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本页样本常见封装:SMA、SOT-23-3、SOT-23、SOT-89。
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ES1D-13-F,DIODES(美台),二极管 > 快恢复/高效率二极管,SMA封装,1,650,000件现货,特性:玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层,符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件DIODES(美台)
AZ431AN-ATRE1,DIODES(美台),电源管理 > 电压基准芯片,SOT-23-3封装,1,609,000件现货,AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器,在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VREDIODES(美台)
AZ431AN-ATRG1,DIODES(美台),电源管理 > 电压基准芯片,SOT-23-3封装,1,074,000件现货,AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器,在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VREDIODES(美台)
MMBT4403-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,693,000件现货,特性:外延平面芯片结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保产品DIODES(美台)
MMBT2222A-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,489,136件现货,特性:外延平面芯片结构。 低饱和电压:VCE(sat) < 300mV @ 150mA。 互补PNP型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用DIODES(美台)
SDM40E20LC-7,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SOT-23封装,416,000件现货,特性:极低的正向电压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 高电导率。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 有符合汽车标准的型号,具体数据手册不同DIODES(美台)
ZXTP2012ZTA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-89封装,410,230件现货,特性:BVCEO > -60V。 IC = -4.3A,高连续电流。 RSAT = 32mΩ,低等效导通电阻。 低饱和电压 VREF(sat) < -65mV @ IC = -1A。 hFE 规定至 -10A,高电流增益保持。DIODES(美台)
AS358MTR-G1,DIODES(美台),运算放大器/比较器 > 运算放大器,SO-8封装,320,000件现货,AS358/358A/358B由两个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成,它们专为单电源供电而设计。也可以采用双电源供电,且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路DIODES(美台)
AP3015AKTR-G1,DIODES(美台),电源管理 > DC-DC电源芯片,SOT-23-5封装,297,000件现货,AP3015/A 是脉冲频率调制(PFM)DC/DC 转换器。除开关电流限制外,这两款器件在功能上等效DIODES(美台)
AN431AN-ATRG1,DIODES(美台),电源管理 > 电压基准芯片,SOT-23-3封装,270,000件现货,AN431系列集成电路是三端可调并联稳压器,在整个工作范围内具有可靠的热稳定性。这些集成电路具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。这些集成电路的输出电压可设置为DIODES(美台)
1N5819HW-7-F,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SOD-123封装,240,414件现货,该器件为单整流器,具备低正向压降(VF)和出色的高温稳定性。此器件非常适合用于一般整流应用。DIODES(美台)
B340LB-13-F,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SMB封装,222,000件现货,特性:极低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达 70A 峰值。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件DIODES(美台)
US1M-13-F,DIODES(美台),二极管 > 快恢复/高效率二极管,SMA封装,215,000件现货,特性:玻璃钝化芯片结构。 超快速恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 高电流能力。 非常适合自动组装。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件DIODES(美台)
BAT42W-7-F,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SOD-123封装,210,000件现货,特性:低正向压降。 快速开关时间。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 提供无铅/符合RoHS标准的版本DIODES(美台)
B560C-13-F,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SMC封装,201,000件现货,这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。DIODES(美台)
B340A-13-F,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SMA封装,190,000件现货,适用于低压、高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。DIODES(美台)
AP63205WU-7,DIODES(美台),电源管理 > DC-DC电源芯片,SOT-26-6封装,177,000件现货,AP63200/AP63201/AP63203/AP63205是一款2A同步降压转换器,输入电压范围宽,为3.8V至32V,并且完全集成了一个125mΩ的高端功率MOSFET和一个68mΩ的低端功率MOSFET,以提供高效的降压式DC/DIODES(美台)
BAT54C-7-F,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SOT-23封装,174,000件现货,1对共阴极 肖特基阵列DIODES(美台)
MMBT3904-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,162,753件现货,特性:互补PNP类型可用。 适用于中功率放大和开关。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件DIODES(美台)
1N4148WS-7-F,DIODES(美台),二极管 > 开关二极管,SOD-323封装,156,000件现货,特性:快速开关速度。 小表面贴装封装。 用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF16949认证的工厂生产DIODES(美台)
1N4148W-7-F,DIODES(美台),二极管 > 开关二极管,SOD-123封装,150,000件现货,特性:快速开关速度。 低正向电压:1mA 时最大 0.715V。 快速反向恢复:最大 4ns。 低电容:最大 2pF。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 适用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤和无锑,“绿色”器件。 适合需DIODES(美台)
AS321KTR-G1,DIODES(美台),运算放大器/比较器 > 运算放大器,SOT-23-5封装,150,000件现货,AS321是一款高增益、内部频率补偿的运算放大器,专为单电源供电而设计,也可采用双电源供电,且低电源电流消耗与电源电压大小无关。典型应用包括电池充电器、有源滤波器、通用控制器以及大多数传统运算放大器电路。DIODES(美台)
QSG0115UDJ-7,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SOT-963封装,150,000件现货,这些肖特基势垒二极管采用紧凑、超小型的表面贴装SOT963封装,专为快速开关应用、电路保护和电压钳位而设计,具有低正向电压的特点。DIODES(美台)
DFLS230-7,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,PowerDI-12封装,145,000件现货,这款肖特基势垒整流器非常适合用作:极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。DIODES(美台)
PD3S160-7,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,POWERDI-32封装,144,000件现货,特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 高浪涌能力。 超小表面贴装封装。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具备高可靠性DIODES(美台)
AP62301WU-7,DIODES(美台),电源管理 > DC-DC电源芯片,SOT-23-6封装,141,000件现货,AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器,输入电压范围宽,为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET,可实现高效的DIODES(美台)
1N4148WSQ-7-F,DIODES(美台),二极管 > 开关二极管,SOD-323封装,133,060件现货,特性:快速开关速度。 小表面贴装封装。 用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF16949认证的工厂生DIODES(美台)
DFLS260Q-7,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SOD-123封装,129,000件现货,这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严苛要求而设计,非常适合用作以下器件:极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。DIODES(美台)
B340LA-13-F,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SMA封装,120,000件现货,特性:极低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达 70A 峰值。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件DIODES(美台)
PI3CH480QEX,DIODES(美台),逻辑器件 > 信号开关/编解码器/多路复用器,SSOP-16封装,120,000件现货,PI3CH480 是一个4路2:1多路复用器/解复用器,具有三态输出。该开关不会引入额外的地弹噪声或传播延迟。PI3CH480器件在切换高带宽(500 MHz)信号时非常有用。DIODES(美台)
AP2553AW6-7,DIODES(美台),电源管理 > 功率电子开关,SOT-26封装,107,474件现货,单通道精密可调限流开关,适用于需要精密限流的应用,或在重载/短路时提供高达2.1A的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻在75mA至2.36A(典型值)之间设置可编程的电流限制阈值。在高电流限制设置下,可实现±6%的电流限制精度。控制上升和下降时DIODES(美台)
ZXTD4591E6TA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23-6封装,106,200件现货,特性:NPN晶体管:BVCEO > 60V,IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压(最大500mV @ 1A)。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A,低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -6DIODES(美台)
ZXTN2010ZTA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-89封装,93,465件现货,特性:BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ,低等效导通电阻。 低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A,高电流增益保持。 互补 PNP 类型。应DIODES(美台)
AP4310AMTR-G1,DIODES(美台),运算放大器/比较器 > 运算放大器,SOP-8封装,92,224件现货,AP4310A 是一款专为调节开关电池充电器和电源供应器的输出电流和电压水平而设计的单片 IC。该设备包含两个运算放大器和一个2.5V精密分流电压基准源。运算放大器1用于电压控制,其非反相输入端内部连接到分流稳压器的输出;运算放大器2用于DIODES(美台)
B0530W-7-F,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SOD-123封装,91,900件现货,特性:低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电导。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件DIODES(美台)
BAV70-7-F,DIODES(美台),二极管 > 开关二极管,SOT-23封装,91,231件现货,特性:快速开关速度。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高电导率。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16DIODES(美台)
AH1911-W-7,DIODES(美台),传感器 > 霍尔开关,SC-59封装,90,000件现货,AH1911/AH1921是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统,在3V电压下,其平均供电电流仅为1.6μA,这使得AH1911/AH1921非常适合用于电池供电的消费产品、燃气表或水表、烟雾探测器以及物联网设备。更宽的供电电压范围(1.DIODES(美台)
AH3781-SA-7,DIODES(美台),传感器 > 线性霍尔传感器,SOT-23封装,90,000件现货,AH3781是一款带有内部上拉电阻的高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC,专为工业、家用消费电器和个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求,该设计经过优化,可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。ADIODES(美台)
BAS40LP-7,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,X1-DFN1006封装,90,000件现货,特性:低正向压降。 快速开关。 超小型无铅表面贴装封装。 PN结保护环,用于瞬态和ESD保护。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该产品符合JEDEC高可靠性标准DIODES(美台)
BAV199-7-F,DIODES(美台),二极管 > 通用二极管,SOT-23封装,90,000件现货,特性:表面贴装封装,非常适合自动插入。 极低的泄漏电流。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF16949认证的工厂生产DIODES(美台)
BCX5316QTA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-89封装,90,000件现货,Bipolar Junction Transistor (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。DIODES(美台)
TL431BSA-7,DIODES(美台),电源管理 > 电压基准芯片,SOT-23封装,90,000件现货,TL431和TL432是三端可调并联稳压器,具有出色的温度稳定性和高达100 mA的输出电流处理能力。通过选择两个外部分压电阻,输出电压可设置为2.5至36 V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中,这些器件可作为齐纳二极管的替代品DIODES(美台)
BAS21Q-7-F,DIODES(美台),二极管 > 开关二极管,SOT-23-3封装,87,000件现货,特性:快速开关速度。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高电导率。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并DIODES(美台)
SDM20U30LP-7,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,DFN封装,78,000件现货,特性:低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 低电容。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准(如AEC-Q中引用),具有高可靠性DIODES(美台)
DFLS230L-7,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SOT-123封装,77,868件现货,特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 专利联锁夹设计,具有高浪涌电流能力。 高电流能力和低正向压降。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准(如AEC-Q中引用),具有高可靠性DIODES(美台)
AP2171WG-7,DIODES(美台),电源管理 > 功率电子开关,SOT-23-5封装,75,125件现货,AP2161和AP2171是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入有两种极性可选。DIODES(美台)
SBR6100CTL-13,DIODES(美台),二极管 > 超势垒整流器(SBR),TO-252封装,75,000件现货,特性:超低正向压降。 出色的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:开关电源。 DC-DC转换器DIODES(美台)
B240A-13-F,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,SMA封装,70,000件现货,特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达500A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:端子处+260℃/10秒。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合DIODES(美台)
S1M-13-F,DIODES(美台),二极管 > 通用二极管,SMA封装,70,000件现货,特性:玻璃钝化芯片结构,高可靠性。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件DIODES(美台)
ZTL431BFTA,DIODES(美台),电源管理 > 电压基准芯片,SOT-23-3封装,69,000件现货,ZTL431和ZTL432是三端可调并联稳压器,具有出色的温度稳定性,输出电流处理能力高达100mA。通过选择两个外部分压电阻,输出电压可设置为2.5V至20V之间的任意选定电压。DIODES(美台)
AP21510FM-7,DIODES(美台),电源管理 > 功率电子开关,UFDFN-6封装,66,624件现货,AP21410 和 AP21510 是针对通用串行总线 (USB) 及其他热插拔应用优化的集成高侧电源开关。该系列器件符合 USB 2.0 标准,并提供正负两种使能输入极性。它们提供了电流限制、热限制和短路保护功能,以及受控上升时间和欠压锁定功能DIODES(美台)
PI5C3257QEX,DIODES(美台),逻辑器件 > 信号开关/编解码器/多路复用器,QSOP-16P封装,65,752件现货,是一款具有三态输出的四路 2:1 多路复用器/解复用器,引脚排列和功能与 PI74FCT257T、74F257 和 74ALS/AS/LS257 兼容。输入可以通过低导通电阻 (5Ω) 连接到输出,不会产生额外的接地反弹噪声或DIODES(美台)
PI3USB3102ZLEX,DIODES(美台),通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器,TQFN-32封装,63,328件现货,提供USB 3.0 SS、2.0 HS和2.0 FS信号的1:2多路复用/解复用。用于将两个主机连接到一个设备或将一个主机连接到两个设备。DIODES(美台)
BCX5616QTA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-89封装,61,890件现货,这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。DIODES(美台)
AH1913-FA-7,DIODES(美台),传感器 > 霍尔开关,DFN-1216-4封装,60,000件现货,AH1913是Diodes公司广泛的霍尔效应开关产品系列中的一款超高灵敏度数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统,在1.8V电压下,其平均电源电流仅为12μA,这使得AH1913非常适合用于电池供电的消费产品、智能手机、电表、烟雾探测器和物DIODES(美台)
AH337-WG-7,DIODES(美台),传感器 > 霍尔开关,SC59-3封装,60,000件现货,霍尔开关DIODES(美台)
AP3032KTR-G1,DIODES(美台),电源管理 > LED驱动,SOT-23-6封装,60,000件现货,是一款基于电感的DC/DC升压转换器,设计用于驱动多达4行LED,每行7个LED并联用于背光。采用1MHz恒定频率PWM控制方案,可使用小型外部组件,典型应用中1mm高的6.8μH电感器和1μF铝输出电容器即可。具备过输出电压保护功能,可在空载DIODES(美台)
AP3402KTTR-G1,DIODES(美台),电源管理 > DC-DC电源芯片,TSOT-23-6封装,60,000件现货,AP3402是一款2A降压DC-DC转换器,支持2.7V至5.5V的输入电压范围,输出电压可调范围为0.6V至输入电压。采用内部功率开关和同步整流器,实现高效率和低外部元件数量。最大输出电流为2A,典型空载静态电流为90uA,关机电DIODES(美台)
AP3445W6-7,DIODES(美台),电源管理 > DC-DC电源芯片,SOT-23-6封装,60,000件现货,AP3445 和 AP3445L 是一款 2A 降压型 DC - DC 转换器。在重载情况下,定频 PWM 控制可实现出色的稳定性和瞬态响应,无需外部补偿元件。AP3445/L 支持 2.7V 至 5.5V 的输入电压范围,允许使用单节锂离DIODES(美台)
AP3503EMPTR-G1,DIODES(美台),电源管理 > DC-DC电源芯片,SOP-8封装,60,000件现货,AP3503E 是一款340kHz固定频率、电流模式、PWM控制的3A异步降压转换器,具有高效率、良好的线路和负载调节能力。内置低导通电阻的N沟道功率MOSFET开关,支持多种保护功能,包括过压保护、欠压锁定、软启动、过温保护和短路保护。BUYER FAQ
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建议先核对完整型号、封装、批号、包装方式、交期、数据手册和替代要求,再提交询价或 BOM。
可以从同品牌、同封装或同类目继续筛选,也可以提交 BOM,由业务人员按参数和应用场景协助确认替代料。