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HGQ014N04B-G
CRMICRO(华润微)
HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET · 采用高密度沟槽技术制成 · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN56
16,850
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CRTT029N06N
CRMICRO(华润微)
特性:使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻RDS(on) · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
14,000
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CRSS052N08N
CRMICRO(华润微)
特性:使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术 · 极低的导通电阻RDS(on) · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
7,994
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