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同一品牌下后缀常代表封装、温度等级或包装方式,建议复制完整 MPN 提交。
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本页样本常见封装:SOT-23-3、DFN-3x3、SOP-8、TSOP-6。
AOS 多型号需求建议一次提交,便于统一核对批号、交期和替代料。
用于采购筛选和客户偏好表达,不等同于授权关系或最终供货来源承诺。
同一品牌写法可能对应官方制造商、代理简称或库存来源,提交前建议核对完整 MPN。
优先打开商品详情或资料中心里的制造商 PDF,再核对封装、引脚和订购后缀。
公开库存和价格只用于初筛,最终数量、批号、包装、交期和报价以业务确认结果为准。
BRAND AUTH BOUNDARY
AI/搜索引用边界可引用品牌筛选入口、公开型号数量、封装分布、PDF覆盖和可询库存线索。
不可把品牌页表述为授权证明、官方制造商唯一证明、锁货承诺或最终成交报价。
需要把代理证书、授权区域、授权品类、有效期、交易主体和官网可查入口转到授权核对或供应线核验。
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补完整 MPN、数量、目标品牌/制造商、封装、批号包装、交期和可接受替代范围。
采购入口:AOS 品牌 候选型号:AO3422 / AON7318 / AO3418 / AO3420 / AO3400A / AO3407A 品牌/制造商范围:AOS / AOS/美国万代 分类范围:三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) / 电源管理 > 功率电子开关 / 现货库存 封装线索:SOT-23-3 / DFN-3x3 / SOP-8 / TSOP-6 / DFN-3X3 需求数量:请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量 不可放宽参数:完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 交付要求:批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件 公开库存和价格仅用于采购初筛,最终以业务人员确认报价为准
SOURCING PATH
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
把优先样本带入对比或 BOM,避免从搜索入口反复重新查找。
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
AOS
AO3422,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,329,010件现货,特性:55V, 2A, RDS(ON) = 120mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用:电机驱动。 电动工具AOS
AON7318,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-3x3封装,281,000件现货,Trench Power MOSFET technology。Low RDS(ON)。Low Gate Charge。High Current Capability。RoHS and Halogen-Free CompliantAOS
AO3418,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,280,000件现货,特性:30V,3.8A,RDS(ON)=45mΩ@VGS=10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用:MB/VGA/Vcore负载开关。 手持仪器AOS
AO3420,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,280,000件现货,类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 6.5AAOS/美国万代
AO3400A,AOS/美国万代,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,273,113件现货,特性:VDS(max) = 30V。 ID(max) = 5.8A。 RDS(ON) = 20mΩ(max)(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 32mΩ(max)(VGS = 4.5V)。 改善的dv/dt能力。 有AOS
AO3407A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,267,724件现货,特性:VDS(max) = -30V。 ID(max) = -4A。 RDS(ON) < 51mΩ (max)@VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ (max)@VGS = -4.5V。 先进沟槽技术。 出色的RDS(OAOS
AO3402,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,249,001件现货,MOS场效应管AOS
AO3414,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,246,000件现货,特性:20V, 3A, RDS(ON) = 50mΩ@VGS = 4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件。应用:笔记本电脑。 负载开关AOS
AO3401A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,210,000件现货,AO3401AAOS
AO3406,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,210,000件现货,特性:30V,3.5A, RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用:MB/VGA/Vcore。 负载开关AOS
AO4822A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,206,700件现货,N-CHAOS
AO4612,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,201,000件现货,1个N沟道+1个P沟道 耐压:60VAOS
AO6409,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TSOP-6封装,190,000件现货,P沟 -20V -5.5AAOS
AO4407C,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,173,800件现货,产地:重庆 1个P沟道 耐压:30VAOS
AO3404A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,171,000件现货,特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = 5.8A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 18mΩ(典型值)@VGS = 10V。 RDS(ON) = 24mΩ(典型值)@VGSAOS
AON7544,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-3X3封装,165,000件现货,AON7544采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。AOS
AON6512,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-5X6-8L封装,163,268件现货,N沟道,30V,150A,1.7mΩ@10VAOS
AO3415A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23封装,162,623件现货,特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。 漏极电流ID为 -4A。 最大导通电阻RDS(ON):在 -4.5V时为36mΩ,在 -AOS
AON6354,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-5X6-8L封装,150,812件现货,沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准AOS
AO3400C,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,141,000件现货,AO3400C 是电源开关器件,不支持高速信号。AOS
AON7408,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-8封装,130,000件现货,N-CHAOS
AO3416,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,129,000件现货,使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于用作负载开关或PWM应用,具有ESD保护功能。AOS
AO3423,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,129,000件现货,特性:-20V, -2.0A, RDS(ON) = 95mΩ@VGS = -4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件。应用:笔记本电脑。 负载开关AOS
AO3403,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,120,000件现货,特性:-30V, -3.0A, RDS(ON) = 85mΩ @ VGS = -10V。快速开关。有环保器件。适用于 -4.5V 栅极驱动应用。应用:笔记本电脑。负载开关AOS
AO3442,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,120,000件现货,特性:100V, 1.3A, RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件。应用:网络。 负载开关AOS
AO4468,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,120,000件现货,特性:高密度单元设计,超低导通电阻。 雪崩电压和电流经过全面表征。 出色的散热封装。应用:电源开关应用AOS
AON7534,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-3X3封装,120,000件现货,N沟AOS
AO4606,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,112,695件现货,使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。AOS
AONR21321,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-3X3封装,110,000件现货,1个P沟道 耐压:30V 电流:24AAOS
AO3415,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-23-3封装,108,000件现货,PMOS 漏源电压(Vdss):20V VGS=±12V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)):37mΩ@4.5V,3A 耗散功率(Pd):1.5WAOS
AO4435,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,108,000件现货,特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压(VDS):-30V。 漏极电流(ID):-12A。 导通电阻(RDS(ON))< 20mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关AOS
AO4441,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,102,000件现货,P沟道,-60V,-4A,100mΩ@-10VAOS
AO4406A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,99,000件现货,特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 栅极电压低至4.5V时可工作。 VDS = 30V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 13mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用AOS
AO4407A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,99,000件现货,使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷,栅极额定电压为25V。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。产品为无铅产品(符合ROHS和索尼259规格)。AOS
AO4419,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,99,000件现货,P-MOSAOS
AO4447A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,99,000件现货,P沟 30V 17AAOS
AON6411,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-5X6封装,99,000件现货,P沟道,-20V,-85A,2.5mΩ@-4.5VAOS
AON6413,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-5x6封装,99,000件现货,1个P沟道 耐压:30V 电流:32AAOS
AON7405,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN3.3X3.3封装,99,000件现货,P沟道AOS
AONS21321,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-5x6封装,99,000件现货,1个P沟道 耐压:30V 电流:24AAOS
AONS21357,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-5X6封装,99,000件现货,1个P沟道 耐压:30V 电流:21AAOS
AO4614B,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,96,000件现货,使用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。AOS
AO4800,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,96,000件现货,N沟道,30V,6.9A,27mΩ@10VAOS
AOD407,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,95,000件现货,AOD407采用先进的沟槽技术,可实现出色的 $\\mathsf{R}_{\\mathsf{DS}(\\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性,该器件非常适合大电流负载应用。AOS
AOD409,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,92,500件现货,特性:高密度单元设计,实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 出色的封装,实现良好的散热。应用:PWM应用。 电源管理AOS
AON7407,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-33EP封装,92,000件现货,AON7407将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。符合RoHS标准 无卤素AOS
AO6602,AOS,现货库存,TSOP-6封装,90,000件现货AOS
AO6604,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TSOP-6封装,90,000件现货,结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的导通电阻RDS(ON)。 适用于负载开关和电池保护应用。AOS
AO6800,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TSOP-6封装,90,000件现货,特性:VDS(V)=20V。 RDS(ON)<22mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<28mΩ(VGS=4.5V)AOS
AONR21357,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-3X3EP封装,89,114件现货,AONR21357采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。AOS
AO4411,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,87,000件现货,P沟道,-30V,-8A,32mΩ@-10VAOS
AO4459,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,84,492件现货,结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,具有极低的导通电阻,适用于负载开关和电池保护应用。AOS
AOD4185,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,83,435件现货,P沟道 -40V -40AAOS
AO4803A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,81,000件现货,2个P沟道,-30V,-5.8A,39mΩ@-10V,-5.0A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。AOS
AOD444,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,80,000件现货,将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻。适用于PWM、负载开关和通用应用。AOS
AON7410,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-3X3封装,80,000件现货,N沟道,30V,24A,26mΩ@4.5VAOS
AO4805,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,75,000件现货,特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻。 超低栅极电荷,栅极额定电压为25V。 漏源电压:-30V。 漏极电流:-9A。 导通电阻:当栅源电压为10V时,小于15mΩ;当栅源电压为4.5V时,小于19mΩAOS
AON6144,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-5X6封装,75,000件现货,N沟道,40V,100A,2.4Ω@10VAOS
AOZ1360AIL,AOS,电源管理 > 功率电子开关,SOIC-8封装,72,000件现货,28VProgrammableCurrent-LimitedLoadSwitchAOS
AON7400A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-3x3封装,70,000件现货,结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的导通电阻。 该器件适用于开关电源和通用应用中的高端开关。 符合RoHS和无卤标准。BUYER FAQ
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建议先核对完整型号、封装、批号、包装方式、交期、数据手册和替代要求,再提交询价或 BOM。
可以从同品牌、同封装或同类目继续筛选,也可以提交 BOM,由业务人员按参数和应用场景协助确认替代料。